Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM).
Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye:
dos electrodos metálicos (104, 106); y
una fina capa de semiconductor (102) posicionada entre los dos electrodos metálicos,
en donde el grosor (116) de la capa de semiconductor es menor o comparable a los trayectos medios libres de portadoras de carga en la capa de semiconductor, dando como resultado un transporte de portadores casi balístico a través de la capa de semiconductor,
en donde las heterouniones (112, 114) entre los electrodos metálicos y la capa de semiconductor del diodo (100) de heterounión metal-semiconductor-metal incluyen las respectivas interfaces de contacto y barreras de energía en lados opuestos de la capa de semiconductor;
en donde el diodo está caracterizado por que
un lado de la capa de semiconductor (102) en el que se forma una de las heterouniones se dopa selectivamente para hacer asimétrica la estructura de bandas del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2013/037358.
Solicitante: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5000 FORBES AVENUE PITTSBURGH, PA 15213 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: LUO,YI, HUSSIN,ROZANA, CHEN,YIXUAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/329 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
- H01L29/861 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Diodos.
- H01L29/872 H01L 29/00 […] › Diodos Schottky.
PDF original: ES-2812524_T3.pdf
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