UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA.

PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N,

CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE BAJA. A CONTINUACION, LA PLAQUITA SE ATACA QUIMICAMENTE PARA OBTENER VARIOS SEMICONDUCTORES DE MESETA, CADA UNA DE LAS CUALES TIENE UNA UNION P-N QUE INTERSECTA UNA PARED LATERAL DE LA ESTRUCTURA DE MESETA. ENTONCES, SE DESARROLLA UNA CAPA DE OXIDO EN LAS PAREDES LATERALES DE LAS MESETAS, NEUTRALIZANDO DICHA CAPA DE OXIDO EL DISPOSITIVO. LA FASE DE OXIDACION HACE QUE LA UNION P-N SE CURVE HACIA LA CAPA P PROXIMA A LA APA DE OXIDO. TRAS ESTO, LA UNION P-N SE DIFUNDE MAS PROFUNDAMENTE EN LA LACA P, CON UN FRENTE DE DIFUSION QUE TIENDE A CURVAR LA UNION P-N DE NUEVO HACIA LA CAPA N PROXIMA A LA CAPA DE OXIDO. ESTA DIFUSION SE LLEVA A CABO EN TAL MEDIDA QUE SE COMPENSE LA CURVATURA ORIGINADA POR LA FASE DE OXIDACION, APLANANDO ASI SUSTANCIALMENTE LA UNION P-N. UNA PLURALIDAD DE FASES SUCESIVAS DE OXIDACION/DIFUSION PUEDEN REALIZARSE PARA APLASTAR MAS LA UNION ADYACENTE A LA PARED LATERAL DE LA MESETA. LA UNION P-N RESULTANTE TIENE UNA MAYOR TENSION DISRUPTIVA EN PROXIMIDAD A LA CAPA DE OXIDO DEBIDO AL APLANAMIENTO DE LA UNION P-N. EL GRADIENTE DE CONCENTRACION DECREMENTADO DE LA ZONA GRADUADA LINEALMENTE PROXIMA A LA CAPA DE OXIDO, ORIGINADO POR LA FASE DE OXIDACION, INCREMENTA LA TENSION DISRUPTIVA EN PROXIMIDAD A LA CAPA DE OXIDO POR ENCIMA DEL VOLUMEN DE TENSION DISRUPTIVA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION OF DELAWARE.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 181 WEST MADISON STREET,CHICAGO, ILLINOIS 60602.

Inventor/es: EINTHOVEN, WILLEM G., DOWN, LINDA J.

Fecha de Publicación: 16 de Septiembre de 1998.

Fecha Concesión Europea: 8 de Abril de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/22 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L21/329 H01L 21/00 […] › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L29/866 H01L 29/00 […] › Diodos Zener.

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación, del 3 de Junio de 2020, de Vishay General Semiconductor LLC: Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende: - un sustrato semiconductor que […]

Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM), del 27 de Mayo de 2020, de CARNEGIE MELLON UNIVERSITY: Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye: dos electrodos metálicos ; y una fina capa de semiconductor posicionada entre los […]

Diodos PIN vertical y método para fabricarlos, del 6 de Abril de 2016, de FINMECCANICA - SOCIETA PER AZIONI: Método para fabricar un diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende: · proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa […]

Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora, del 2 de Mayo de 2012, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG: Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona […]

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA., del 16 de Abril de 2006, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH: Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo, transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera […]

DIODO DE RECUPERACIÓN RÁPIDA Y MÉTODO DE FABRICARLO, del 23 de Febrero de 2012, de ABB TECHNOLOGY AG: Diodo de recuperación rápida incluyendo una capa base dopada n con un lado de cátodo y un lado de ánodo opuesto al lado de cátodo , una capa de ánodo dopada […]

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS, del 16 de Diciembre de 2007, de BTG INTERNATIONAL LIMITED: Componente de circuito electrónico, que comprende un sustrato que soporta portadores de carga móviles, medios […]

Método para fabricar un JFET de triple implante, del 8 de Abril de 2020, de United Silicon Carbide Inc: Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende: a. aplicar una primera máscara […]