Diodos PIN vertical y método para fabricarlos.

Método para fabricar un diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical,

que comprende:

· proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa (32) de tipo N verticalmente apilada, una capa (33) intrínseca y una capa (34) de tipo P;

· formar un contacto anódico del diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, formando una metalización (35) anódica en una primera porción (34a) de la capa (34) de tipo P que define una región anódica;

· formar una capa (36) de aislamiento eléctrica alrededor de la región (34a) anódica tal que una primera porción de la capa (33) intrínseca se extienda verticalmente entre la capa (32) de tipo N y la región (34a) anódica y unas segundas porciones de la capa (33) intrínseca se extiendan verticalmente entre la capa (32) de tipo N y la capa (36) de aislamiento eléctrica;

· formar una zanja (38) en la capa (36) de aislamiento eléctrica y en las segundas porciones de la capa (33) intrínseca de manera que se exponga una porción de la capa (32) de tipo N que define una región catódica y para definir un anillo (36a) de guarda lateral sacrificial constituido por una porción de la capa (36) de aislamiento eléctrica que se extiende lateralmente entre la zanja (38) y la región (34a) anódica y lateralmente rodea dicha región (34a) anódica; y

· formar un contacto anódico del diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical formando una metalización (39) catódica en la porción expuesta de la capa (32) de tipo N que define la región catódica

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E11171779.

Solicitante: FINMECCANICA - SOCIETA PER AZIONI.

Nacionalidad solicitante: Italia.

Dirección: Piazza Monte Grappa 4 Roma ITALIA.

Inventor/es: PERONI,MARCO, PANTELLINI,ALESSIO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/329 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
  • H01L29/417 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
  • H01L29/868 H01L 29/00 […] › Diodos PIN.

PDF original: ES-2579002_T3.pdf

 

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