Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM).
Sección de la CIP Electricidad
(27/05/2020). Solicitante/s: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Clasificación: H01L21/329, H01L29/861, H01L29/872.
Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye:
dos electrodos metálicos ; y
una fina capa de semiconductor posicionada entre los dos electrodos metálicos,
en donde el grosor de la capa de semiconductor es menor o comparable a los trayectos medios libres de portadoras de carga en la capa de semiconductor, dando como resultado un transporte de portadores casi balístico a través de la capa de semiconductor,
en donde las heterouniones entre los electrodos metálicos y la capa de semiconductor del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal incluyen las respectivas interfaces de contacto y barreras de energía en lados opuestos de la capa de semiconductor;
en donde el diodo está caracterizado por que
un lado de la capa de semiconductor en el que se forma una de las heterouniones se dopa selectivamente para hacer asimétrica la estructura de bandas del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal.
PDF original: ES-2812524_T3.pdf
Procedimiento para producir un tamiz molecular que tiene la estructura de SFE, un tamiz molecular que tiene la estructura de SFE y uso del mismo.
(11/09/2019) Procedimiento para producir un tamiz molecular que tiene la estructura de SFE, que incluye una etapa de cristalización de una mezcla que comprende una primera fuente de óxido, una segunda fuente de óxido, una plantilla orgánica y agua para obtener un tamiz molecular que tiene la estructura de SFE, y
opcionalmente, una etapa de calcinación del tamiz molecular obtenido, en el que la plantilla orgánica se selecciona de un compuesto representado por la siguiente fórmula (A), preferiblemente 4- dimetilaminopiridina,**Fórmula**
en la que R1 y R2 pueden ser idénticos o diferentes entre sí, representando cada uno independientemente un alquilo C1-2, y
en la que la primera fuente de óxido es una fuente de silicio,
la segunda fuente de óxido es una…
Procedimiento y dispositivo de alineamiento de interferencias y sistema de comunicación de múltiples canales.
(07/05/2019) Un procedimiento de alineamiento de interferencias, que comprende:
obtener 41, 61, 81 una matriz de canal en un sistema de comunicación multicanal;
determinar 42, 62, 82 una primera señal deseada y una segunda señal deseada del sistema de comunicación multicanal de acuerdo con la matriz de canal;
obtener 43, 44, 63, 64, 83, 84 vectores de precodificación y vectores de recepción; y
realizar un proceso de precodificación sobre señales de transmisión utilizando los vectores de precodificación y enviar las señales de transmisión precodificadas;
caracterizado por que la obtención de los vectores de precodificación y vectores de recepción comprende:
determinar 43, 63, 83 las ganancias de canal equivalentes relativas de cada señal de interferencia correspondiente…
Tamiz molecular SCM-11, procedimiento para producir el mismo y uso del mismo.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes
(06/02/2019). Solicitante/s: CHINA PETROLEUM & CHEMICAL CORPORATION. Clasificación: C01B39/12, C01B39/48, B01J29/86.
Tamiz molecular SCM-11, que tiene una composición química empírica tal como se ilustra mediante la fórmula "el primer óxido · el segundo óxido", en la que
el primer óxido es sílice,
el segundo óxido es una combinación de dióxido de germanio y alúmina,
la razón molar del primer óxido con respecto al segundo óxido es de 4-400, preferiblemente 5-100, más preferiblemente 5-50,
en la que SiO2/GeO2 >3, (SiO2+GeO2)/Al2O3 >5, y
el tamiz molecular tiene un patrón de difracción de rayos X tal como se ilustra sustancialmente en la siguiente tabla,**Tabla**
(a):±0,30º.
PDF original: ES-2718573_T3.pdf
Tamiz molecular SCM-10, procedimiento para producirlo y uso del mismo.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes
(09/01/2019). Solicitante/s: CHINA PETROLEUM & CHEMICAL CORPORATION. Clasificación: C01B39/12, C01B39/48, B01J29/86.
Tamiz molecular SCM-10, que tiene una composición química empírica tal como se ilustra mediante la fórmula "el primer óxido · el segundo óxido",
en el que la razón en moles del primer óxido con respecto al segundo óxido está en el intervalo de desde 3 hasta menos de 40, preferiblemente 5-30,
el primer óxido es sílice,
el segundo óxido es óxido de boro o una combinación de óxido de boro y al menos uno seleccionado del grupo que consiste en alúmina, óxido de hierro, óxido de titanio y óxido de vanadio, más preferiblemente óxido de boro o una combinación de óxido de boro y alúmina, más preferiblemente óxido de boro, y ~
el tamiz molecular en la forma calcinada tiene un patrón de difracción de rayos X tal como se ilustra sustancialmente en la siguiente tabla, **Tabla**
a:±0,3º, b: cambiado con 2θ.
PDF original: ES-2711549_T3.pdf
Método, dispositivo y sistema de transmisión para un mensaje de indicación de tráfico.
(05/07/2017) Un método para transmitir un mensaje de indicación de tráfico, que comprende:
comprimir un mensaje de indicación de tráfico de entrega y generar un mensaje de indicación de tráfico, usándose el mensaje de indicación de tráfico de entrega para indicar si al menos un dispositivo terminal asociado con un punto de acceso tiene datos que recibir, y el mensaje de indicación de tráfico de entrega indica, a través de un bit de indicación de tráfico de entrega que se corresponde con el al menos un dispositivo terminal, si el al menos un dispositivo terminal tiene datos que recibir; y
caracterizado porque comprende además:
transmitir el mensaje de indicación…
Compuestos reticulados, y métodos de preparación y uso de los mismos.
(11/12/2013) Un compuesto que tiene la fórmula I:**Fórmula**
en la que:
Y-C(O) es un resto de una macromolécula, que es un polipéptido, una glucoproteína, un polisacárido, unaproteína o un polímero sintético; y
n ≥ 2 o 3,
en la que Y-C(O) es un resto de una macromolécula distinta al hialuronano.