Método para controlar la modificación de la textura superficial de obleas de silicio para dispositivos de celdas fotovoltaicas.

Un método para modificar una estructura superficial de un sustrato de silicio o una capa de silicio depositada a una textura deseada,

adecuado para fabricar dispositivos fotovoltaicos, comprendiendo el método las etapas de:

disponer el sustrato de silicio o capa de silicio depositada sobre un soporte móvil;

precalentar el sustrato de silicio o capa de silicio depositada en una zona de precalentamiento;

mover continuamente el sustrato de silicio o capa de silicio depositada para atacar a partir de un entorno ambiental externo a través de una cortina de contención de gas de purga y en una cámara caliente abierta de ataque a presión atmosférica;

mover continuamente el sustrato de silicio o capa de silicio depositada a través de la cámara de ataque que comprende una característica de suministro de decapante, mientras se aplica y controla un caudal de gas flúor F2 a presión atmosférica y una concentración de entre un 5 % y un 100 % al sustrato de silicio o capa de silicio depositada para reducir la reflectividad superficial de la superficie de silicio del sustrato de silicio o capa de silicio depositada y aumentar la absorción de luz;

controlar un ángulo entre 0 y 180 grados del gas decapante flúor F2 que se aplica a presión atmosférica; y

mover continuamente el sustrato de silicio o capa de silicio depositada afuera de la cámara de ataque abierta calentada, a presión atmosférica, y a través de otro o del mismo conjunto de cortinas de contención de gas de purga al entorno ambiente externo, en el que el gas decapante flúor F2 se activa térmicamente sin la necesidad de ningún plasma; y en el que el gas decapante flúor F2 se aplica directamente a la superficie de silicio del sustrato o capa de silicio depositada a presión atmosférica para reducir su reflectividad superficial y aumentar la luz absorbida por el sustrato de silicio o capa de silicio depositada.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/057633.

Solicitante: Ultra High Vaccum Solutions Ltd. T/a Nines Engineering.

Nacionalidad solicitante: Irlanda.

Dirección: Synergy Centre ITT Dublin Tallaght Dublin 24 IRLANDA.

Inventor/es: DUFFY,EDWARD, CLOCHARD,LAURENT.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/67 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.
  • H01L31/0236 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2643645_T3.pdf

 

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