Procedimiento de fabricación por pirólisis láser de partículas submicrónicas multicapas.

Procedimiento para producir partículas (10), que comprende las etapas siguientes:



- Introducir en una cámara de reacción (8) al menos un flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) que comprende como primer elemento químico silicio y que se propaga según una dirección de flujo (11),

- Proyectar un haz de radiación (3) a través de la cámara de reacción (8) en intersección con cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) en una zona de interacción (14) mediante flujo de reacción, para formar en cada flujo de reacción núcleos de partículas (15) que comprenden el primer elemento químico, y

- Introducir, en la cámara de reacción (8), un segundo elemento químico que interacciona con cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) para revestir los núcleos de partículas (15) con una capa (16) que comprende el segundo elemento químico,

estando desprovisto cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) de agente que oxida el primer elemento químico, y comprendiendo los núcleos (15) el primer elemento químico en forma no oxidada, correspondiendo el número de átomos introducidos del segundo elemento con respecto al número de átomos introducidos del primer elemento a una relación de un átomo del segundo elemento introducido por unidad de tiempo para al menos dos átomos del primer elemento introducidos por unidad de tiempo, siendo introducido el segundo elemento en la cámara (8) en un flujo de gas (2, 7) que rodea a cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106), caracterizado porque:

- el segundo elemento químico es introducido en la cámara (8) en un flujo de gas periférico (7) que rodea a cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106), emitido a partir de varios puntos (17) repartidos a lo largo de una curva cerrada que rodea a cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) y que se propaga en dirección de cada flujo de reacción, siendo introducido el segundo elemento químico en la cámara (8) en el flujo de gas periférico (7) después de la zona de interacción (14) de cada flujo de reacción, y/o

- comprende además como etapa introducir en la cámara de reacción (8), antes de la zona de interacción (14) de cada flujo de reacción, un flujo de gas de confinamiento (2) que rodea a cada flujo de reacción (1, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) y que se propaga según la dirección de flujo (11), siendo introducido el segundo elemento químico en la cámara (8) en el flujo de gas de confinamiento (2) antes de la zona de interacción (14) de cada flujo de reacción.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/064232.

Solicitante: Nanomakers.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 1 rue de Clairefontaine 78120 Rambouillet FRANCIA.

Inventor/es: TENEGAL,FRANCOIS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B01J19/08 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL.B01J PROCEDIMIENTOS QUIMICOS O FISICOS, p. ej. CATALISIS, QUIMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS (procedimientos o aparatos para usos específicos, ver las clases correspondientes a los procedimientos o al equipo, p. ej. F26B 3/08). › B01J 19/00 Procedimientos químicos, físicos o físico-químicos en general (tratamiento físico de las fibras, hilos, hilados, tejidos, plumas o artículos fibrosos hechos de estas materias, ver los lugares apropiados para dicho tratamiento, p. ej. D06M 10/00 ); Aparatos apropiados (accesorios, cargas o rejillas especialmente adaptadas para el tratamiento biológico del agua, agua residual o de alcantarilla C02F 3/10; placas o rejillas de chapoteo especialmente adaptadas para los enfriadores por chorreo F28F 25/08). › Procedimientos que utilizan la aplicación directa de la energía ondulatoria o eléctrica, o una radiación particular; Aparatos para estos usos (aplicación de ondas de choque B01J 3/08).
  • B82Y30/00 B […] › B82 NANOTECNOLOGIA.B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS.Nano tecnología para materiales o ciencia superficial, p.ej. nano compuestos.
  • C01B32/05
  • C01B33/02 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
  • C01B33/027 C01B 33/00 […] › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseoso o vaporizados distintos de sílice o un material que contiene sílice.
  • C01B33/029 C01B 33/00 […] › por descomposición de monosilano.
  • C23C16/44 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).

PDF original: ES-2649672_T3.pdf

 

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