Método para producir silicio de alta pureza.
Un procedimiento para producir silicio de alta pureza, que comprende proporcionar silicio fundido que contiene 1-10% en peso de calcio,
colar el silicio fundido, triturar el silicio y someter el silicio triturado a una primera etapa de lixiviación en una solución acuosa de HCl y y/o HF + FeCl3 y a una segunda etapa de lixiviación en una solución acuosa de HF y HNO3, método que se caracteriza por que las partículas de silicio lixiviadas son sometidas a tratamiento térmico a una temperatura de entre 1250ºC y 1420ºC durante un período de como mínimo 20 minutos y someter el silicio tratado térmicamente a una tercera temperatura de lixiviación en una solución acuosa de HF y HNO3.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/NO2010/000332.
Solicitante: Elkem Solar AS.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: HOFFSVEIEN 65B 0377 OSLO NORUEGA.
Inventor/es: ZEAITER,KHALIL.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/02 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
- C01B33/037 C01B 33/00 […] › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).
- C30B29/06 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
PDF original: ES-2627503_T3.pdf
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