Procedimiento para fabricar un dispositivo fotovoltaico de película delgada.
Procedimiento para fabricar, por lo menos, una capa de absorción (130) para dispositivos fotovoltaicos de película delgada (100),
cuya capa de absorción (130) está fabricada de un material de calcogenuro ABC, incluyendo variantes cuaternarias, pentanarias o multinarias del material de calcogenuro ABC, en que A representa elementos del grupo (11) de la tabla periódica de los elementos químicos definida por la Unión Internacional de Química Pura y Aplicada, incluyendo Cu y Ag, B representa elementos del grupo (13) de la tabla periódica incluyendo In, Ga y Al, y C representa elementos del grupo (16) de la tabla periódica incluyendo S, Se y Te, en las que dicha capa de absorción (130) está depositada sobre una capa de contacto posterior (120) soportada por un sustrato (110), comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas secuenciales (s1) a (s5), en el que las dos etapas (s3,r) y (s4,r) se ejecutan, por lo menos, una vez y se pueden repetir secuencialmente desde cero hasta un número R de veces, en que r es un índice de contaje de repetición que tiene un valor de 0 a R que identifica las sucesivas etapas (s3,r) y (s4,r), y en que la temperatura del sustrato (110) desde las etapas (s2) a (s5) es mayor que 350°C: (s1). depositar, por lo menos, un elemento B sobre la capa de contacto posterior (120) de dicho sustrato (110) en una cantidad mayor que el 10% y menor que el 90% de la cantidad total de elementos B requeridos al final del proceso de deposición, realizándose dicha deposición en presencia de, por lo menos, un elemento C;
(s2). depositar una cantidad inicial de, por lo menos, un elemento A en combinación con, por lo menos, un elemento B y en presencia de, por lo menos, un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que:
- Ar/Br > 1, y
- la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s2) es:**Fórmula**
(s3,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que:
- Ar/Br es menor que 1/1,2 veces Ar/Br de la etapa anterior, y
- la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s3,r) es:**Fórmula**
(s4,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que:
- Ar/Br es, por lo menos, 1,2 veces mayor que Ar/Br de la etapa anterior, y
- la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s4,r) es:**Fórmula**
(s5). depositar una cantidad inicial, por lo menos, de un elemento B en presencia, por lo menos, de un elemento C sobre la capa de absorción parcialmente completada (130), cambiando de ese modo la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapas (s5) a:**Fórmula**
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2012/051926.
Solicitante: Flisom AG.
Nacionalidad solicitante: Suiza.
Dirección: Überlandstrasse 129 8600 Dübendorf SUIZA.
Inventor/es: CHIRILA,ADRIAN, TIWARI,AYODHYA NATH, BLOESCH,PATRICK, NISHIWAKI,SHIRO, BREMAUD,DAVID.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2590464_T3.pdf
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