Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto así como célula solar de capas delgadas.

Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto (2),

que comprende las siguientes etapas:

- generación al menos de una pila de capas precursoras (11), que se compone de una primera capa precursora (5.1), una segunda capa precursora (6) y una tercera capa precursora (5.2), en donde en una primera etapa se fabrica la primera capa precursora (5.1) mediante depósito de los metales cobre, indio y galio sobre un cuerpo (12), y en una segunda etapa se fabrica la segunda capa precursora (6) mediante depósito al menos de un calcógeno, seleccionado entre azufre y selenio, sobre la primera capa precursora (5.1), y en una tercera etapa se fabrica la tercera capa precursora (5.2) mediante depósito de los metales cobre, indio y galio sobre la segunda capa precursora (6);

- tratamiento térmico de la al menos una pila de capas precursoras (11) en una cámara de proceso (13), de manera que los metales de la primera capa precursora (5.1), el al menos un calcógeno de la segunda capa precursora (6) y los metales de la tercera capa precursora (5.2) se transforman de manera reactiva formando el semiconductor compuesto (2).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/076158.

Solicitante: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 18 AVENUE D'ALSACE 92400 COURBEVOIE FRANCIA.

Inventor/es: JOST, STEFAN, LECHNER, ROBERT, DALIBOR,THOMAS, ERAERDS,PATRICK.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/02 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
  • H01L21/36 H01L 21/00 […] › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

PDF original: ES-2686620_T3.pdf

 

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