Célula solar de tipo húmedo y módulo de células solares de tipo húmedo.
Una batería solar de tipo húmedo (10), que comprende:
un soporte (1) compuesto de un material transmisor de luz;
y
un apilamiento en el que están apiladas una capa conductora (2), una capa de conversión fotoeléctrica (4) compuesta de un semiconductor poroso, una capa aislante porosa (5) y una capa conductora de contraelectrodo (6) en este orden sobre dicho soporte (1),
teniendo dicha capa conductora (2) una primera región sobre la que está apilada dicha capa de conversión fotoeléctrica (4) y una segunda región sobre la que no está apilada dicha capa de conversión fotoeléctrica (4), estando una línea de trazado (3) situada entre estas, y
estando dicha capa de conversión fotoeléctrica (4) apilada sobre una parte de una superficie de dicha primera región y no siendo una distancia D desde una porción periférica de dicha primera región orientada hacia dicha línea de trazado (3) hasta una porción periférica de dicha capa de conversión fotoeléctrica (4) menor de 50 μm ni mayor de 500 μm, no siendo una distancia A desde una periferia exterior de dicha capa conductora de contraelectrodo (6) que sobresale sobre una superficie receptora de luz en un lado que no está orientado hacia dicha línea de trazado (3) hasta una periferia exterior de dicha capa de conversión fotoeléctrica (4) mayor de 500 μm, en donde un espesor de película Y de dicha capa aislante porosa (5) satisface
Y ≥ 0,02D + 6,5,
donde Y representa dicho espesor de película (μm) de dicha capa aislante porosa (5) y D representa dicha distancia D (μm) y
cuando la periferia exterior de dicha capa de conversión fotoeléctrica (4) está ubicada dentro de la periferia exterior de dicha capa conductora de contraelectrodo (6), dicha distancia A y dicho espesor de película Y de dicha capa aislante porosa (5) satisfacen
Y ≥ 0,02A + 6,5,
donde Y representa dicho espesor de película (μm) de dicha capa aislante porosa (5) y A representa dicha distancia A (μm).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2011/062936.
Solicitante: SHARP KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 22-22, NAGAIKE-CHO, ABENO-KU OSAKA-SHI, OSAKA 545-8522 JAPON.
Inventor/es: Fukui,Atsushi, Yamanaka,Ryohsuke, KOMIYA,RYOICHI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01G9/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01G CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO (empleo de materiales especificados por sus propiedades dieléctricas H01B 3/00; condensadores con una barrera de potencial o una barrera de superficie H01L 29/00). › H01G 9/00 Condensadores electrolíticos, rectificadores electrolíticos, detectores electrolíticos, conmutadores, dispositivos de conmutación electrolíticos, dispositivos electrolíticos fotosensibles o sensibles a la temperatura; Procesos para su fabricación. › Dispositivos fotosensibles.
- H01L31/04 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
- H01M14/00 H01 […] › H01M PROCEDIMIENTOS O MEDIOS, p. ej. BATERÍAS, PARA LA CONVERSION DIRECTA DE LA ENERGIA QUIMICA EN ENERGIA ELECTRICA. › Generadores electroquímicos de corriente o tensión no previstos en los grupos H01M 6/00 - H01M 12/00; Su fabricación.
PDF original: ES-2790650_T3.pdf
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