Método para fabricar un dispositivo de conversión fotoeléctrica.
Método para fabricar un dispositivo de conversión fotoeléctrica a base de silicio cristalino,
en el que el dispositivo de conversión fotoeléctrica a base de silicio cristalino comprende: (2) una capa a base de silicio intrínseco de un lado de la capa del primer tipo de conductividad y (3) una capa a base de silicio de un primer tipo de conductividad, en este orden sobre una superficie de un sustrato de silicio monocristalino (1) del primer tipo de conductividad; y (4) una capa a base de silicio intrínseco de un lado de la capa del tipo opuesto de conductividad y (5) una capa a base de silicio de un tipo opuesto de conductividad, en este orden sobre otra superficie del sustrato de silicio monocristalino del primer tipo de conductividad, comprendiendo el método:
al menos una de una etapa de formación de la capa a base de silicio intrínseco del lado de la capa del primer tipo de conductividad (2) y una etapa de formación de la capa a base de silicio intrínseco del lado de la capa del tipo opuesto de conductividad (4), la al menos una etapa incluyendo las subetapas en el siguiente orden:
una etapa de formación de una primera capa (21) de película delgada a base de silicio intrínseco que tiene un grosor de 1 nm a 10 nm sobre el sustrato de silicio monocristalino del primer tipo de conductividad;
una etapa de tratamiento con plasma del sustrato de silicio monocristalino del primer tipo de conductividad, en la que se forma la primera capa de película delgada a base de silicio intrínseco sobre el mismo, en una atmósfera de un gas que contiene hidrógeno como componente principal; y
una etapa de formación de una segunda capa (22) de película delgada a base de silicio intrínseco sobre la primera capa de película delgada a base de silicio intrínseco,
en el que el contenido de un gas de materia prima en la etapa de tratamiento con plasma del sustrato de silicio monocristalino es de 1/100 o menos del contenido de hidrógeno sobre la base del volumen, siendo el gas de materia prima gas usado para formar la primera capa de película delgada a base de silicio intrínseco,
en el que la suma de grosores de la primera capa de película delgada a base de silicio intrínseco y la segunda capa de película delgada a base de silicio intrínseco es de 16 nm o menos,
y en el que las capas a base de silicio intrínseco de los lados de las capas del primer tipo y del tipo opuesto de conductividad son capas a base de silicio no dopado.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2011/069811.
Solicitante: KANEKA CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-8288 JAPON.
Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, YOSHIMI,MASASHI, ICHIKAWA,MITSURU, UTO,TOSHIHIKO.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
PDF original: ES-2625473_T3.pdf
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