Pasta de electrodo de Ag, celda de batería solar, y proceso para producir la celda de batería solar.

Pasta de electrodo de Ag usada para formar un electrodo lateral con superficie de recepción de luz de una celda de batería solar,

con la celda de batería solar incluyendo un sustrato semiconductor, el electrodo lateral con superficie de recepción de luz colocado en una superficie principal que funciona como una superficie receptora de luz con respecto a un par de superficies principales de dicho sustrato semiconductor enfrentadas entre sí, y un electrodo de soporte colocado sobre la otra superficie principal, que comprende:

(a) partículas de Ag;

(b) un vehículo orgánico; y

(c) fritas de vidrio sin plomo que contienen de un 13 a un 17 % en peso de SiO2, de un 0 a un 6 % en peso de B2O3, de un 65 a un 75 % en peso de Bi2O3, de un 1 a un 5 % en peso de Al2O3, de un 1 a un 3 % en peso de TiO2, y de un 0,5 a un 2 % en peso de CuO, en la que

cuando dicho electrodo lateral con superficie de recepción de luz incluye un primer electrodo obtenido por cocción de la primera pasta de electrodo de Ag y un segundo electrodo obtenido por cocción de la segunda pasta de electrodo de Ag formada sobre el primer electrodo, dicha pasta de electrodo de Ag se usa como dicha segunda pasta de electrodo de Ag.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2008/064705.

Solicitante: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 100-0004 JAPON.

Inventor/es: KAWAGUCHI,YOSHIHIRO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/04 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).

PDF original: ES-2615580_T3.pdf

 

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