Sustrato semiconductor, procedimiento de formación de electrodo, y procedimiento de fabricación de célula solar.

Sustrato semiconductor (1) que presenta un electrodo (12) formado sobre el mismo,

incluyendo el electrodo por lo menos plata y frita de vidrio, comprendiendo el electrodo:

una estructura de múltiples capas constituida por una primera capa de electrodo (13) unida directamente al sustrato semiconductor (1), y una capa de electrodo superior (14) formada por al menos una capa y dispuesta sobre la primera capa de electrodo;

en el que la capa de electrodo superior (14) está formada mediante la cocción de una pasta conductora que presenta un contenido de plata total de 75% en peso o más y 95% en peso o menos, siendo el contenido de partículas de plata que presentan un diámetro medio de partícula de 4 mm o superior y 8 mm o inferior con respecto al contenido de plata total en la capa de electrodo superior que aquel en la primera capa de electrodo, y siendo el contenido de partículas de plata que presentan un diámetro medio de partícula de 0,5 μm o superior e inferior a 4 mm con respecto al contenido de plata total en la pasta conductora para la primera capa de electrodo de 80% en peso o más.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2007/065127.

Solicitante: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.

Inventor/es: OJIMA,SATOYUKI, ISHIKAWA,NAOKI, OHTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI, SAISU,SHIGENORI, UEGURI,TOYOHIRO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/28 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
  • H01L21/288 H01L 21/00 […] › a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
  • H01L31/0224 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
  • H01L31/04 H01L 31/00 […] › adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).

PDF original: ES-2611937_T3.pdf

 

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