IMPLANTACION DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIAS.
SE PROPORCIONA UNA INSTALACION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA RF QUE REDUCE LA INDUCTANCIA COMUN DEL CONDUCTOR ELECTRICO Y LOS FALLOS DE FUNCIONAMIENTO ASOCIADOS.
UNA CELULA TRANSISTORA RF SE ROTA 90 (GRADOS) CON RESPECTO A LA CELULA TRANSISTORA CONVENCIONAL DE MODO QUE UNOS ADAPTADORES DE CONEXION SE SITUEN DE FORMA MAS PROXIMA AL BORDE DE UNA HILERA DE ESTIRAR ALAMBRE DE SILICIO, REDUCIENDO LA LONGITUD DEL CONDUCTOR DE CONEXION Y POR LO TANTO MEJORANDO EL FUNCIONAMIENTO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SITUACION DEL ADAPTADOR DE CONEXION Y LA DISTRIBUCION DE LAS DIFERENTES PIEZAS DE LA INSTALACION DEL TRANSISTOR REDUCEN AUN MAS LA INDUCTANCIA COMUN DE LOS CONDUCTORES ELECTRICOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON.
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: ,S-126 25 STOCKHOLM.
Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, HAMBERG, IVAR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 16 de Agosto de 1995.
Fecha Concesión Europea: 21 de Noviembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/495 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Bastidores conductores.
- H01L23/66 H01L 23/00 […] › Adaptaciones para la alta frecuencia.
- H01L29/417 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
- H01L29/423 H01L 29/00 […] › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
- H01L29/72 H01L 29/00 […] › Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Luxemburgo, Suecia, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Armenia, Australia, Barbados, Bulgaria, Brasil, Bielorusia, Canadá, China, República Checa, Estonia, Georgia, Hungría, Islandia, Japón, Kenya, Kirguistán, República de Corea, Kazajstán, Sri Lanka, Liberia, Malawi, Sudán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, República Popular Democrática de Corea, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia.
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