Elemento de conversión fotoeléctrica.

Un dispositivo de conversión fotoeléctrica que comprende:

una capa p;



una capa n;

una capa i dispuesta entre la capa p y la capa n;

un primer electrodo conectado a la capa p; y

un segundo electrodo conectado a la capa n;

en el que la capa i comprende: una capa de pared constituida por un primer semiconductor; y

una parte de estructura cuántica constituida por un segundo semiconductor y dispuesta en la capa de pared;

una banda prohibida del primer semiconductor es más ancha que la del segundo semiconductor;

está contenida una impureza de tipo p en una zona en el lado de la capa n de la capa i, y/o está contenida una impureza de tipo n en una zona en el lado de la capa p de la capa i;

en el caso de contener la impureza de tipo p en la zona del lado de la capa n de la capa i, cuando la concentración de la impureza de tipo p que puede estar contenida en el centro de la capa i en una dirección del grosor de la misma se define como Cp1, y la concentración de la impureza de tipo p contenida en la zona del lado de la capa n de la capa i se define como Cp2, se satisface la relación Cp1

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2009/063179.

Solicitante: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1 Toyota-cho Toyota-shi, Aichi-ken, 471-8571 JAPON.

Inventor/es: SUTO,HIROYUKI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/04 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
  • H01L31/075 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p.ej. células solares de sílice amorfo PIN.

PDF original: ES-2558965_T3.pdf

 

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