TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNION VERTICAL.
SE DESCRIBE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (10) Y UN METODO PARA PRODUCIRLO,
QUE INCORPORAN CAPAS SEMICONDUCTORAS HORIZONTALES (14, 16, 18, 30, 34, 38) EN UNA ABERTURA (24) PARA FORMAR UN CANAL (36), Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA, A TRAVES DE LA CUAL SE PRACTICA LA ABERTURA, QUE FORMA UN ELECTRODO DE PUERTA (19) QUE RODEA EL CANAL. LAS CAPAS SEMICONDUCTORAS HORIZONTALES PUEDEN SER UNA ALEACION SIGE CON GRADIENTE DE COMPOSICION CERCA DEL EMISOR Y DEL COLECTOR. LA INVENCION SOLUCIONA EL PROBLEMA DE LA FORMACION DE JFETS DE BAJA RESISTENCIA, Y PROPORCIONA UNA LONGITUD DE PUERTA FACILMENTE ESCALABLE A DIMENSIONES INFERIORES AL MICRON PARA CIRCUITOS DE RF, MICROONDAS, MILIMETRICOS Y LOGICOS, SIN EFECTOS DE ACORTAMIENTO DEL CANAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.
Inventor/es: MEYERSON, BERNARD S., ISMAIL,KAHLID EZZELDIN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 16 de Enero de 1998.
Fecha Concesión Europea: 29 de Agosto de 2007.
Clasificación PCT:
- H01L21/337 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con unión PN.
- H01L29/10 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
- H01L29/80 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.
- H01L29/808 H01L 29/00 […] › de unión PN.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia.
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