Método para fabricar un JFET de triple implante.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'),
que comprende:
a. aplicar una primera máscara (608) a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior (606) y una región de drenaje inferior (607);
b. aplicar tres implantes (1101, 1102, 1103) a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal (604) y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva (606);
c. formar una región de la fuente (603) en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/057572.
Solicitante: United Silicon Carbide Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 7 Deer Park Drive Suite E. Monmouth Junction, NJ 08852 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/337 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con unión PN.
- H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
- H01L29/10 H01L 29/00 […] › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
- H01L29/16 H01L 29/00 […] › incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
- H01L29/808 H01L 29/00 […] › de unión PN.
PDF original: ES-2794629_T3.pdf
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