PERFECCIONAMIENTOS EN UN TIRISTOR DE ENCENDIDO INTRINSECO.
TIRISTOR DE ENCENDIDO INTRINSECO.COMPRENDE UNA PRIMERA REGION DE EMISOR (5),
UNA PRIMERA REGION DE BASE (3) PROXIMA A LA ANTERIOR, UNA SEGUNDA REGION DE BASE (2) Y UNA SEGUNDA REGION DE EMISION (4). LA PRIMERA REGION DE EMISOR VA DOTADA DE AL MENOS UN CONTACTO DE CATODO (6), Y LA PRIMERA REGION DE BASE ESTA DIVIDIDA EN VARIAS ZONAS (7) ELECTRICAMENTE CONECTADAS ENTRE SI MEDIANTE CONTACTOS DE GATILLO DE INHIBICION Y UN ORGANO DE INTERRUPCION (9) DISPUESTO PARA CREAR UN CORTOCIRCUITO ENTRE GATILLO Y CATODO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LA TELEMECANIQUE ELECTRIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 33 BIS, AVENUE DU MARECHAL-JOFFRE, 92000 NANTERRE, FRANCIA.
Fecha de Solicitud: 25 de Noviembre de 1983.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 21 de Septiembre de 1984.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/10 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
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