UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION.
METODO DE ELABORACION Y DISEÑO DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
SOBRE UN SUBSTRATO (18) DE SILICIO SE DEPOSITA UNA CAPA (17) DE IMPUREZAS TIPO P EPITAXIALMENTE; SOBRE ESTA SE DEPOSITA OTRA CAPA (4) DE IMPUREZAS TIPO N. LA SUPERFICIE (3) ES DOTADA DE UNA CAPA DE OXIDO, Y ATACADA ESTA QUIMICAMENTE SE FORMAN UNAS VENTANILLAS EN LAS QUE SE DIFUNDE MATERIAL TIPO P, OBTENIENDOSE LAS REGIONES QUE CONSTITUYEN LA CONEXION ENTRE LA ZONA DE ALIMENTACION Y EL SUSTRATO. LA REGION DE PUERTA (7) SE OBTIENE POR DIFUSION DE BORO EN UNA VENTANILLA ABIERTA EN LA CAPA DE OXIDO. ESTA ULTIMA ES ELIMINADA Y SUSTITUIDA POR OTRA CAPA DE OXIDO (9) LIMPIA, Y SOBRE UNAS ABERTURAS (10, 11) SE REALIZAN POR DIFUSION LA REGION DE ALIMENTACION (5) Y LA DE SALIDA (6). OTRAS ABERTURAS (12) SON EFECTUADAS EN LA CAPA DE OXIDO (9) SOBRE LA REGION DE PUERTA (7), Y SE RETIRA EL OXIDO DE LAS REGIONES P (8). SE DEPOSITA UNA CAPA DE METALIZACION Y POR ATAQUE QUIMICO ENMASCARADO, SE FORMAN LAS ZONAS METALICAS DE CONEXION (13, 14, 15). UNA METALIZACION (16) DEL LADO INFERIOR FINALIZA EL PROCESO. EL TRANSISTOR ASI OBTENIDO TIENE UNA RELACION CUADRATICA ENTRE LA CORRIENTE DE CANAL Y LA TENSION DE PUERTA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: PIETER ZEEMANSTRAAT 6,EINDHOVEN.
Fecha de Solicitud: 27 de Mayo de 1980.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Diciembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/10 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
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