CIP-2021 : H01L 29/10 : con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar,
amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/10 · · · con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para fabricar un JFET de triple implante.
(08/04/2020). Solicitante/s: United Silicon Carbide Inc. Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende:
a. aplicar una primera máscara a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior y una región de drenaje inferior ;
b. aplicar tres implantes a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva ;
c. formar una región de la fuente en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
PDF original: ES-2794629_T3.pdf
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Unidad de grifo para un dosificador de bebida.
(14/03/2018) Una parte de dispensación de bebida para su uso con una unidad de cartucho que tiene un canal interior para la dispensación de una bebida, comprendiendo la unidad de cartucho una primera parte , que está fabricada con un material inflexible y, una segunda parte , que está fabricada con un material flexible, cuya parte de dispensación de bebida , además, se puede conectar a un recipiente en el cual la bebida está almacenada y que está adaptado para tener un extremo de la unidad de cartucho insertado en este para la dispensación de bebida, mediante el cual se puede dispensar bebida a partir del recipiente a través de la unidad de cartucho y comprendiendo además la parte de dispensación de bebida…
PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO PARA TRANSISTOR BIPOLAR.
(01/11/1992). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: CHANG, SHIAO-HOO, WEINBERG, MATTHEW, THOMAS, MAMMEN.
INCLUYE LOS PASOS PARA LA FORMACION Y AUTO-ALINEAMIENTO DE LA ZONA QUE NO INVADE SUSTANCIALMENTE EL EMISOR. EN LOS PROCESOS CONOCIDOS PARA LA FABRICACION DE TRANSISTORES QUE REQUIEREN UN LECHO, PRECISAN UN COLECTOR BASE MAS ALTO POR DETENCIONES Y POR AVERIAS DE VOLTAGE.
PERFECCIONAMIENTOS EN UN TIRISTOR DE ENCENDIDO INTRINSECO.
(01/12/1984). Solicitante/s: LA TELEMECANIQUE ELECTRIQUE.
TIRISTOR DE ENCENDIDO INTRINSECO.COMPRENDE UNA PRIMERA REGION DE EMISOR , UNA PRIMERA REGION DE BASE PROXIMA A LA ANTERIOR, UNA SEGUNDA REGION DE BASE Y UNA SEGUNDA REGION DE EMISION . LA PRIMERA REGION DE EMISOR VA DOTADA DE AL MENOS UN CONTACTO DE CATODO , Y LA PRIMERA REGION DE BASE ESTA DIVIDIDA EN VARIAS ZONAS ELECTRICAMENTE CONECTADAS ENTRE SI MEDIANTE CONTACTOS DE GATILLO DE INHIBICION Y UN ORGANO DE INTERRUPCION DISPUESTO PARA CREAR UN CORTOCIRCUITO ENTRE GATILLO Y CATODO.
UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION.
(16/12/1980) METODO DE ELABORACION Y DISEÑO DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. SOBRE UN SUBSTRATO DE SILICIO SE DEPOSITA UNA CAPA DE IMPUREZAS TIPO P EPITAXIALMENTE; SOBRE ESTA SE DEPOSITA OTRA CAPA DE IMPUREZAS TIPO N. LA SUPERFICIE ES DOTADA DE UNA CAPA DE OXIDO, Y ATACADA ESTA QUIMICAMENTE SE FORMAN UNAS VENTANILLAS EN LAS QUE SE DIFUNDE MATERIAL TIPO P, OBTENIENDOSE LAS REGIONES QUE CONSTITUYEN LA CONEXION ENTRE LA ZONA DE ALIMENTACION Y EL SUSTRATO. LA REGION DE PUERTA SE OBTIENE POR DIFUSION DE BORO EN UNA VENTANILLA ABIERTA EN LA CAPA DE OXIDO. ESTA ULTIMA ES ELIMINADA Y SUSTITUIDA POR OTRA CAPA DE OXIDO LIMPIA, Y SOBRE UNAS ABERTURAS SE REALIZAN POR DIFUSION LA REGION DE ALIMENTACION Y LA DE SALIDA . OTRAS ABERTURAS SON EFECTUADAS EN LA CAPA DE OXIDO SOBRE LA REGION DE PUERTA , Y SE RETIRA EL OXIDO DE LAS REGIONES…
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN DISPOSITIVO ELECTRICO ACOPLADO POR CARGA.
(16/03/1977). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ACOPLADOS POR CARGA.
(16/10/1976). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE CARGA.
(01/06/1976). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CARGA ACOPLADOS DE CANAL SUBTERRANEO.
(01/09/1975). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY.
Resumen no disponible.