PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO PARA TRANSISTOR BIPOLAR.
INCLUYE LOS PASOS PARA LA FORMACION Y AUTO-ALINEAMIENTO DE LA ZONA QUE NO INVADE SUSTANCIALMENTE EL EMISOR.
EN LOS PROCESOS CONOCIDOS PARA LA FABRICACION DE TRANSISTORES QUE REQUIEREN UN LECHO, PRECISAN UN COLECTOR BASE MAS ALTO POR DETENCIONES Y POR AVERIAS DE VOLTAGE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453, SUNNYVALE, CA 94088.
Inventor/es: CHANG, SHIAO-HOO, WEINBERG, MATTHEW, THOMAS, MAMMEN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 25 de Marzo de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/265 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › produciendo una implantación de iones.
- H01L21/76 H01L 21/00 […] › Realización de regiones aislantes entre los componentes.
- H01L29/10 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
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