PROCEDIMIENTO PARA LA RETIRADA EN UNA SOLA OPERACION DE UN ELEMENTO RESISTENTE Y UNA CAPA PROTECTORA DE PARED LATERAL.

La invención se refiere a un procedimiento para eliminar conjuntamente el material aislante innecesario y la película protectora de las paredes laterales después del ataque químico en un proceso con protección de paredes laterales,

haciendo posible simplificar el proceso para la preparación de semiconductores, etc. El procedimiento, de acuerdo con la presente invención, comprende eliminar el material aislante innecesario (3) que queda después del ataque en un procedimiento de protección de paredes laterales con una marca aislante (3) presente en el sustrato semiconductor (2) como una máscara, y una película protectora de las paredes laterales (4) depositada en las paredes laterales (22) de la marca, dicho procedimiento comprende los pasos de aplicar una hoja adhesiva sensible a la presión (1) a dicho sustrato (2), calentar la hoja adhesiva sensible a la presión (1) bajo presión de forma que el adhesivo sensible a la presión (11) se ponga en contacto con las paredes laterales (22) de la marca (4) y después pelar conjuntamente dicha hoja adhesiva sensible a la presión (1), el citado material aislante (3) y la citada película protectora de las paredes laterales (4) fuera del sustrato.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: NITTO DENKO CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1-2, SHIMOHOZUMI 1-CHOME,IBARAKI-SHI, OSAKA 567-0041.

Inventor/es: TOYODA, EIJI, NAMIKAWA, MAKOTO, HASHIMOTO, KOUICHI, SHIRAI, SELICHIRO HITACHI, LTD. DEVICE DEV CNT.

Fecha de Publicación: 1 de Mayo de 2004.

Fecha Solicitud PCT: 6 de Febrero de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

G03F7/34 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › G03F 7/00 Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K). › Eliminación según la imagen por transferencia selectiva, p. ej. por arrancamiento.
G03F7/42 G03F 7/00 […] › Eliminación de reservas o agentes a este efecto.
H01L21/027 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
H01L21/3065 H01L 21/00 […] › Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.

Países PCT: Bélgica, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.

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