TRANSISTOR DE ESPIN.
EL TRANSISTOR DE ESPIN ES UN TRANSISTOR HIBRIDO DE SEMICONDUCTORES/MAGNETICO ,
EN EL QUE SE DISPONE UNA BARRERA MAGNETICAMENTE CONTROLABLE. ENTRE UNA BASE (4) DE SEMICONDUCTORES Y EL COLECTOR (3) PARA CONTROLAR LA DIFUSION DE LOS VEHICULOS DE CARGA AL COLECTOR (3). CON EL TRANSISTOR DE ESPIN, LAS POBLACIONES DE PORTADORES DE CARGA SE DISTINGUEN POR LA DIRECCION DEL ESPIN O MOMENTO MAGNETICO DE LOS PORTADORES, EN LUGAR DE LA CARGA ELECTRONICA. SE UTILIZA UN INYECTOR DE ESPIN (1) PARA POLARIZAR EN ESPIN LA POBLACION DE PORTADORES DE CARGA, DE MANERA QUE LA POBLACION TENGA UN MOMENTO MAGNETICO SELECCIONADO EN EL QUE LA POBLACION PUEDA TENER O NO LA CAPACIDAD DEFINIDA HASTA EL COLECTOR A TRAVES DE LA BARRERA MAGNETICA. EL TRANSISTOR DE ESPIN UTILIZAR LAS CARACTERISTICAS ELECTRONICAS DE UN TRANSISTOR CLASICO DE SEMICONDUCTORES, JUNTO CON UN FLUJO DE PORTADORES CONTROLADO POR EL MOMENTO MAGNETICO, A FIN DE AUMENTAR EN LO POSIBLE LA GANANCIA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ISIS INNOVATION LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: 2 SOUTH PARKS ROAD,OXFORD OX1 3UB.
Inventor/es: GREGG, JOHN, FRANCIS, SPARKS, PATRICIA, DRESEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 28 de Abril de 1997.
Fecha Concesión Europea: 3 de Julio de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/82 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
- H01L43/00 H01L […] › Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Australia, Azerbayán, Bosnia y Herzegovina, Barbados, Bulgaria, Brasil, Bielorusia, Canadá, China, República Checa, Estonia, Georgia, Ghana, Hungría, Israel, Islandia, Japón, Kenya, Kirguistán, República de Corea, Kazajstán, Santa Lucía, Sri Lanka, Liberia, Lesotho, República del Moldova, Madagascar, Mongolia, Malawi, México, Noruega, Nueva Zelanda, Polonia, Federación de Rusia, Sudán, Singapur, Eslovaquia, Tayikistán, Turkmenistán, Turquía, Trinidad y Tabago, Ucrania, Uganda, Estados Unidos de América, Urbekistán, Viet Nam, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Cuba, República Popular Democrática de Corea, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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