SENSORES DE CAMPOS MAGNETICOS.
UN MAGNETODIODO (30) PARA SU USO EN UN SENSOR MAGNETICO QUE UTILIZA UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR (52) (FORMADO VENTAJOSAMENTE A PARTIR DE UN MATERIAL DE ALTA MOVILIDAD,
DE INTERVALO DE BANDA DIRECTO, TAL COMO ARSENIURO DE GALIO) QUE TIENE UNA RETICULACION SUPERPUESTA FORMADA POR UN PERFIL DE IMPURIFICACION N-I-P-I O SUPERESTRUCTURA. ESTA RETICULACION SUPERPUESTA SE UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA REGION DE GRAN TIEMPO DE RECOMBINACION PARA EL FLUJO NORMAL DE PORTADORES DE CARGA A PARTIR DE LOS CUALES SE DESVIAN LOS PORTADORES EN REGIONES (54) DE CORTOS PERIODOS DE TIEMPO DE RECOMBINACION POR MEDIO DE UN CAMPO MAGNETICO QUE SE ESTA PERCIBIENDO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: GENERAL MOTORS CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: GENERAL MOTORS BUILDING 3044 WEST GRAND BOULEVARD,DETROIT MICHIGAN 48202.
Inventor/es: HEREMANS, JOSEPH PIERRE, PARTIN, DALE LEE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Octubre de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/08 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo.
- H01L29/32 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
- H01L29/36 H01L 29/00 […] › caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
- H01L29/82 H01L 29/00 […] › controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
Patentes similares o relacionadas:
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos, del 4 de Diciembre de 2019, de ROBERT BOSCH GMBH: Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas […]
DISPOSITIVO DE TRANSMISIÓN Y PROCESAMIENTO DE INFORMACIÓN MEDIANTE ONDAS DE ESPÍN DE BORDE, del 18 de Septiembre de 2018, de UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID: Dispositivo de transmisión y procesamiento de información mediante ondas de espín de borde, caracterizado porque el dispositivo comprende una estructura […]
Control del comportamiento electromecánico de estructuras en un dispositivo de sistemas microelectromecánicos, del 17 de Septiembre de 2014, de QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC: Un aparato de MEMS, que comprende: un sustrato ; un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato (24, 44, […]
TRANSISTOR DE ESPIN., del 16 de Enero de 2003, de ISIS INNOVATION LIMITED: EL TRANSISTOR DE ESPIN ES UN TRANSISTOR HIBRIDO DE SEMICONDUCTORES/MAGNETICO , EN EL QUE SE DISPONE UNA BARRERA MAGNETICAMENTE CONTROLABLE. […]
UN DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE, del 16 de Febrero de 1985, de INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION: DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE.LA BARRERA SCHOTTKY ESTA CONSTRUIDA CON HAFNIO, CIRCONIO, ZINC O MATERIALES QUE […]
"DISPOSITIVO TRANSISTOR PERFECCIONADO"., del 1 de Febrero de 1983, de INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION: DISPOSITIVO TRANSISTOR. FORMADO POR TRANSISTORES MAGNETICAMENTE SENSIBLES QUE HACEN SU USO DE UN MECANISMO DE TRANSDUCCION MEDIANTE MODULACION, […]
APARATO DE MANIOBRA ELÉCTRICA ACCIONADO POR VARIACIÓN DE CAMPO MAGNÉTICO, del 1 de Junio de 1960, de COMERCIAL Y FABRIL APER, SOCIEDAD ANONIMA: Aparato de maniobra eléctrica accionado por variaciones de campo magnético, que se caracteriza esencialmente por comprender al menos dos contactos asociados […]
Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad, del 15 de Octubre de 2019, de THALES: Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende: - una capa tampón […]