Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.

Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a,

20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto (24) eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato (14), en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto (24) eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara (26) sellada, comprendiendo el método:

proporcionar un sustrato (14) con una primera capa (30) de sacrificio, un contacto (24) eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto (24) eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre regiones (22a, 22b) de campo, en donde el contacto (24) eléctrico, las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y las regiones (22a, 22b) de campo están todas dispuestas en la primera capa (30) de sacrificio;

depositar una segunda capa (32) de sacrificio sobre las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, el contacto (24) eléctrico y una porción de cada una de las regiones (22a, 22b) de campo, cubriendo directamente las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, el contacto (24) eléctrico y las porciones de las regiones (22a, 22b) de campo; formar una abertura (34) en la segunda capa (32) de sacrificio, en donde la abertura (34) está posicionada en una porción de la segunda capa (32) de sacrificio la cual cubre el contacto (24) eléctrico;

depositar una primera capa (28a) de encapsulación sobre la segunda capa (32) de sacrificio que llena la abertura (34) para formar una vía (38) de contacto, en donde la primera capa (28a) de encapsulación consiste en un material semiconductivo;

formar al menos una ventilación (36) a través de la primera capa (28a) de encapsulación para permitir la eliminación de al menos una porción de la primera y segunda capas (30, 32) de sacrificio;

retirar al menos una porción de la primera y segunda capas (30, 32) de sacrificio para formar la cámara (26); sellar la cámara (26) depositando una segunda capa (28b) de encapsulación en la primera capa (28a) de encapsulación, en donde la segunda capa (28b) de encapsulación consiste en un material semiconductivo y cubre la ventilación (36).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2004/009492.

Solicitante: ROBERT BOSCH GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: POSTFACH 30 02 20 70442 STUTTGART ALEMANIA.

Inventor/es: LUTZ, MARKUS, PARTRIDGE,AARON, KRONMUELLER,SILVIA.

Fecha de Publicación: 4 de Diciembre de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

B81C1/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS. › B81C PROCEDIMIENTOS O APARATOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA LA FABRICACION O EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA (fabricación de microcápsulas o de microbolas B01J 13/02; procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/22). › Fabricación o tratamiento de dispositivos o de sistemas en o sobre un substrato (B81C 3/00 tiene prioridad).
H01L21/44 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
H01L23/28 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).
H01L23/48 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
H01L23/52 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
H01L27/14 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).
H01L29/40 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Electrodos.
H01L29/82 H01L 29/00 […] › controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
H01L29/84 H01L 29/00 […] › controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión (H01L 29/96 tiene prioridad).

PDF original: ES-2768223_T3.pdf

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