UN DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE.
DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE.LA BARRERA SCHOTTKY ESTA CONSTRUIDA CON HAFNIO,
CIRCONIO, ZINC O MATERIALES QUE PUEDAN FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO EN LA SUPERFICIE DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO TIPO P Y QUE TIENE UNA TENSION DE TRABAJO DE FUNCIONAMIENTO MENOR DE 4,8 VOLTIOS. PUESTO QUE LOS PORTADORES PUEDEN SER INYECTADOS EN LA DIRECCIPON VERTICAL DESEADA PARA MAXIMA SENSIBILIDAD AL FLUJO MAGNETICO DIRIGIDO PARALELAMENTE A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, LOS COLECTORES O ANODOS PUEDEN SER LLEVADOS MUY PROXIMOS A LA SUPERFICIE EMISIVA, LO QUE CONDUCE A UNA APTITUD DE FRECUENCIA ALTA DEBIDO A LOS TIEMPOS CORTOS DE TRANSITO DE PORTADORES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK, NUEVA YORK 10504.
Fecha de Solicitud: 24 de Mayo de 1984.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 28 de Noviembre de 1984.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/82 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
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