UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA,
EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) (3) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL (2) QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO (1). LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA (6) QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2} (3).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: NORDIC SOLAR ENERGY AB.
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: P.O. BOX 1084,164 21 KISTA.
Inventor/es: BODEGAARD, MARIKA, HEDSTROM, JONAS, STOLT, LARS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 20 de Octubre de 1995.
Fecha Concesión Europea: 29 de Enero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/34 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
- H01L31/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
- H01L31/068 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes, Kenya, Malawi, Sudán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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