Conversión de fotones de alta energía en electricidad.

Sistema convertidor de energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende:



un convertidor de energía de fotones de alta energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende

una pluralidad de capas de un primer material (12, 212) que está adaptado para absorber los fotones de alta energía que presentan unas energías en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superiores a partir de un flujo de fotones (242, 342, 442, 542), y para emitir los electrones expulsados de un átomo en la primera capa de material por un fotón de alta energía que presenta una energía en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superior y absorbido en una capa de la pluralidad de capas de un primer material, presentando cada capa de la pluralidad de capas de un primer material un grosor a lo largo de la dirección de propagación de los electrones expulsados que es inferior a la longitud del recorrido libre medio de los electrones expulsados en el primer material, y

en el que la pluralidad de capas de un primer material presenta un grosor total medido a lo largo de la dirección de propagación de un fotón de alta energía que es superior a la longitud de un recorrido libre medio para el fotón de alta energía en el primer material, y

una pluralidad de capas de un segundo material (14, 214) que capta electrones emitidos desde la pluralidad de capas de un primer material y acoplada eléctricamente a la pluralidad de capas de un primer material, presentando cada capa de la pluralidad de capas de un segundo material un grosor superior a la longitud del recorrido libre medio en el segundo material de los electrones emitidos desde el primer material, en el que cada capa de la pluralidad de capas de un primer material interpone capas adyacentes de la pluralidad de capas de un segundo material, y en el que las capas están dispuestas de manera que la dirección de propagación de los fotones de alta energía está en un ángulo rasante con respecto a una superficie de límite entre las capas adyacentes de la pluralidad de capas de los primer y segundo materiales, y

una pared (230, 330, 430, 530) que rodea una fuente de flujo de fotones (240, 340, 440, 540) y que presenta una superficie que intercepta y es sustancialmente perpendicular a una dirección de propagación del flujo de fotones (242, 342, 442, 542) emitido desde la fuente de flujo de fotones, y una pluralidad de losas de convertidor (220, 320, 420, 520) que cubren la superficie de la pared, proporcionando las losas de convertidor la pluralidad de capas del primer material y la pluralidad de capas del segundo material.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2011/020001.

Solicitante: TAE Technologies, Inc.

Inventor/es: BINDERBAUER,MICHL, TAJIMA,TOSHIKI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01T1/28 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01T MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X (análisis de materiales por radiaciones, espectrometría de masas G01N 23/00; tubos para determinar la presencia, intensidad, densidad o energía de una radiación o de partículas H01J 47/00). › G01T 1/00 Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas (G01T 3/00, G01T 5/00 tienen prioridad). › con detectores de emisión secundaria.
  • G21H1/04 G […] › G21 FISICA NUCLEAR; TECNICA NUCLEAR.G21H OBTENCION DE ENERGIA A PARTIR DE FUENTES RADIACTIVAS; APLICACIONES DE LA RADIACION DE FUENTES RADIACTIVAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; UTILIZACION DE LOS RAYOS COSMICOS (medición de la radiación nuclear o de rayos X G01T; reactores de fusión G21B; reactores nucleares G21C; lámparas con atmósfera gaseosa llevada a la luminiscencia por una radiación corpuscular exterior o por un material radioactivo asociado estructuralmente a la lámpara H01J 65/04, H01J 65/06). › G21H 1/00 Disposiciones para obtener energía eléctrica a partir de fuentes radiactivas, p. ej. a partir de isótopos radiactivos. › Células que utilizan una emisión secundaria inducida por radiación alfa, radiación beta, o radiación gamma.
  • G21H1/06 G21H 1/00 […] › Células en las que la radiación es aplicada a la unión de materiales semiconductores diferentes.
  • H01L31/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
  • H01L31/0352 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/0725 H01L 31/00 […] › Células solares a unión múltiple o tandem.
  • H01L31/115 H01L 31/00 […] › Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.

PDF original: ES-2705690_T3.pdf

 

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