Célula solar de germanio y método de producción de la misma.

Método para la pasivación y el contacto de una superficie de un sustrato (1) de germanio,

que comprende las etapas de;

- proporcionar dicho sustrato (1) de germanio con una primera superficie;

- producir una capa (6) de pasivación de silicio amorfo hidrogenado intrínseco en dicha primera superficie;

- producir una capa (7) de contacto de metal sobre dicha capa de pasivación;

- aplicar una etapa de difusión, en donde dicha etapa de difusión se lleva a cabo a una temperatura entre 150 °C y 300 °C y el tiempo de difusión está entre 5 y 60 minutos, de manera que dicha superficie de germanio se pone en contacto con dicha capa (7) de contacto, a través de dicha capa de pasivación.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E04447115.

Solicitante: IMEC VZW.

Nacionalidad solicitante: Bélgica.

Dirección: KAPELDREEF 75 3001 LEUVEN BELGICA.

Inventor/es: POORTMANS,JEF, POSTHUMA,NIELS, FLAMAND,GIOVANNI.

Fecha de Publicación: 7 de Marzo de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L31/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L31/0216 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
H01L31/028 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2670168_T3.pdf

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