COMPOSICIONES EN SOLUCION PARA EL ATAQUE DE OBLEAS DE SILICIO Y METODO PARA EL ATAQUE CON TALES COMPOSICIONES.

COMPOSICIONES BASADAS EN EL USO DEL HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO, PRODUCTO NO TOXICO COMPATIBLE CON EL PROCESO CMOS A LAS QUE SE AÑADE ISOPROPANOL, Y METODO QUE SE UTILIZA PARA OBTENER ESTRUCTURAS MICROMECANICAS DE SILICIO. LA ADICION DE 2-PROPANOL AL HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO PERMITE REDUCIR Y CONTROLAR EL VALOR DEL SOBREATAQUE DEL SISTEMA DE GRABADO EN FUNCION DE LA CONCENTRACION DE HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO, DE LA CONCENTRACION DE 2-PROPANOL AÑADIDO Y DE LA TEMPERATURA A LA QUE SE REALIZA EL GRABADO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Inventor/es: ESTEVE TINTO,JAUME, MERLOS DOMINGO,ANGEL, ACERO LEAL, M. CRUZ, BRAUSELLS ROIGE, JOAN, BAO, MIN-HANG.

Fecha de Solicitud: 28 de Enero de 1993.

Fecha de Publicación: 16 de Noviembre de 1995.

Fecha de Concesión: 4 de Octubre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

C09K13/00 QUIMICA; METALURGIA. › C09 COLORANTES; PINTURAS; PULIMENTOS; RESINAS NATURALES; ADHESIVOS; COMPOSICIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE LOS MATERIALES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K SUSTANCIAS PARA APLICACIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE SUSTANCIAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › Composiciones para el ataque químico, el grabado, el abrillantado de superficie o el decapado.
H01L21/306 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

COMPOSICIONES EN SOLUCION PARA EL ATAQUE DE OBLEAS DE SILICIO Y METODO PARA EL ATAQUE CON TALES COMPOSICIONES.

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