.caracterizado por el proceso de revestimiento (16/04 tiene prioridad) [4]

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CIP: C23C16/44, .caracterizado por el proceso de revestimiento (16/04 tiene prioridad) [4]

Entorno:
  • Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto (difusión en estado sólido 8/00 a 12/00) [4]

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Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento para el revestimiento en continuo de sustratos, en el que en un dispositivo de revestimiento los sustratos son transportados a través de un espacio de deposición que está limitado por dos soportes de sustrato (1, 1') así como por un suelo y una tapa , en donde el suelo presenta un dispositivo para guiar los soportes de sustrato (1, 1'), y los sustratos son transportados sobre los soportes de sustrato (1, 1') a través del dispositivo de revestimiento, durante el transporte se realiza el revestimiento en continuo de los sustratos, y en donde la tapa está fijada a los soportes de sustrato (1, 1') y de esta manera se transporta junto con los soportes (1, 1') de sustrato mediante el dispositivo de...

  2. 2.-

    Un procedimiento de producción de una estera o película que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar un aerogel, en el que los reactantes gaseosos incluyen una fuente de carbono y un precursor del catalizador que se puede descomponer para dar un catalizador; aglomerar el aerogel para dar un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo en continuo fuera de la zona de reacción mientras se conforma para dar la estera o película.

  3. 3.-

    Un procedimiento de producción de un aglomerado que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar un aerogel; aglomerar el aerogel en un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo de forma continua fuera de la zona de reacción.

  4. 4.-

    Disposición para la separación de gases para instalaciones de recubrimiento en vacío con varias zonas de proceso, en particular en instalaciones-CVD para el recubrimiento y dotación de sustratos planos y/o en forma de cinta, con un túnel plano que rodea el sustrato y que se extiende a través de una cámara de separación, en el que están dispuestas dos instalaciones de desviación para la conducción del sustrato a una distancia predeterminada entre sí, de tal manera que las instalaciones de desviación estrechan la sección transversal del túnel, en la que el túnel está provisto con conductos de entrada y de salida de gas, caracterizada por que entre las instalaciones...

  5. 5.-

    Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido...

  6. 6.-

    Procedimiento de tratamiento previo para procedimientos de recubrimiento, en el cual las superficies secundarias de una instalación de recubrimiento aun antes del proceso de recubrimiento son sometidas a un tratamiento previo, de manera que en el proceso de recubrimiento que sigue a ello la adherencia del material de recubrimiento sobre las superficies secundarias está esencialmente reducida en comparación con la adherencia sin tratamiento previo, y en el cual en el curso del tratamiento previo se aplica una capa antiadherente sobre las superficies secundarias, comprendiendo la capa antiadherente una suspensión de polvo en disolvente...

  7. 7.-

    Un aparato para aplicar una tensión a través de una pluralidad de varillas de silicio en un reactor de CVD, comprendiendo dicho aparato: una conexión en serie en la que las varillas de silicio pueden ser insertadas como resistencias; al menos una primera unidad de suministro de energía; al menos una segunda unidad de suministro de energía; al menos una tercera unidad de suministro de energía; y al menos una unidad de control capaz de aplicar una tensión a través de las varillas de silicio en la conexión en serie por medio de las primera, segunda o tercera unidades de suministro de energía, en el que la primera unidad de suministro de energía comprende una pluralidad de...

  8. 8.-

    Cámara de vacío para instalaciones de revestimiento, en la que se disponen elementos funcionales en la cámara, donde la cámara comprende una armadura de cámara y planchas de inserción implantadas de modo mecánicamente separable y estanco en la armadura y algunas de las planchas de inserción llevan elementos funcionales, caracterizada por que la armadura de la cámara incluye por lo menos una base provista de brazos, conformada en una plancha metálica de una pieza, donde los brazos se han doblado en la región de la unión a la base de tal modo que formen los pilares de la armadura...

  9. 9.-

    Un aparato de deposición química catalítica en fase de vapor , que comprende: una cámara de reacción , una fuente de introducción de gas (9a) para introducir un gas fuente en la cámara de reacción, un hilo de catalizador dispuesto enfrentado a un sustrato que se va a procesar que está instalado en la cámara de reacción , y una fuente de calor para calentar el hilo de catalizador ; caracterizado porque el hilo de catalizador incluye un hilo de tántalo y un boruro de la capa de tántalo metálico formada sobre una superficie del hilo de tántalo.

  10. 10.-

    Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida, un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento, en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas, caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de...

  11. 11.-

    Un procedimiento de producción de una fibra que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar unaerogel, en el que los reactantes gaseosos incluyen una fuente de carbono y un precursor del catalizador sepuede descomponer para dar un catalizador; aglomerar el aerogel para dar un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo en continuo fuera de la zona de reacción mientras se conformapara dar una fibra.

  12. 12.-

    Aparato y método para depósito químico en fase vapor con hilo caliente. El aparato y método para HWCVD comprende una cámara de vacío; al menos un filamento catalítico provisto con al menos dos contactos eléctricos; y medios para sacar de una zona de depósito una porción del filamento catalítico y para sustituirla por otra porción de filamento catalítico; donde los medios comprenden un primer carrete y un segundo carrete para cada filamento catalítico. Los segundos carretes están acoplados mecánicamente a un motor controlado en posición o velocidad. Un mecanismo de ajuste de tensión, acoplado mecánicamente...

  13. 13.-

    APARATO Y MÉTODO PARA DEPÓSITO QUÍMICO EN FASE VAPOR CON HILO CALIENTE

    . Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT DE BARCELONA. Inventor/es:

    Aparato y método para depósito químico en fase vapor con hilo caliente El aparato y método para HWCVD comprende una cámara de vacío; al menos un filamento catalítico provisto con al menos dos contactos eléctricos; y medios para sacar de una zona de depósito una porción del filamento catalítico y para sustituirla por otra porción de filamento catalítico; donde los medios comprenden un primer carrete y un segundo carrete para cada filamento catalítico. Los segundos carretes están acoplados mecánicamente a un motor controlado en posición o velocidad. Un mecanismo de ajuste de tensión, acoplado mecánicamente a cada primer carrete, comprende al menos un muelle de fuerza constante para aplicar una fuerza de tracción que mantiene tenso el filamento catalítico en cualquier situación de funcionamiento. Además, el aparato está provisto con un dispositivo para la protección ante la degradación de al menos una de las porciones frías de los filamentos catalíticos.

  14. 14.-

    Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas mediante deposición desde la fase gaseosa junto a una barra delgada, caracterizado porque en una zona situada a lo sumo a 20 mm por debajo de una punta de electrodo hasta por debajo del puente de un par de barras se introducen uno o varios discos, que se componen de un material, que en las condiciones de deposición posee una resistencia eléctrica específica más baja que la del silicio policristalino.

  15. 15.-

    Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del...

  16. 16.-

    Un sistema de suministro y escape para un aparato de polimerización por plasma en que un sustrato se mueve de manera continua comprende: una cámara de polimerización que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de polimerización y una salida de gases para gas reactivo de escape suministrado por la entrada de gases y una cámara de postratamiento instalada al lado de la cámara de polimerización y que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de postratamiento y una salida de gases para gas de escape suministrado por la entrada de gases de la cámara de postratamiento, en el que la entrada de gases de la cámara de polimerización se coloca en la misma dirección del flujo del sustrato en...

  17. 17.-

    PURIFICADOR DE GAS BASADO EN GETTER, SU UTILIZACION EN UN SISTEMA DE FABRICACION DE SEMICONDUCTORES Y METODO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO Y METODO DE PROTECCION DE UNA COLUMNA GETTER.

    . Solicitante/s: SAES PURE GAS INC. Inventor/es:

    Purificador de gas basado en getter, que comprende: - una columna getter que tiene un recipiente metálico con una entrada , una salida y un tabique de retención que se extiende entre dicha entrada y dicha salida , poseyendo dicho recipiente material getter dispuesto en su interior; - una primera válvula de aislamiento en comunicación de fluido con dicha entrada de dicho recipiente ; - una válvula de ventilación en comunicación de flujo con dicha entrada del recipiente ; - una segunda válvula de aislamiento en comunicación de fluido con dicha salida del recipiente ; - un primer sensor de temperatura dispuesto en la parte superior de dicho material getter.

  18. 18.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE VAPOR Y APARATO QUE LO UTILIZA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: TOKYO ELECTRON LIMITED. Inventor/es:

    UN APARATO GENERADOR DE VAPOR QUE COMPRENDE: UNA BOQUILLA CONVERGENTE-DIVERGENTE 50 QUE TIENE UN ORIFICIO DE ENTRADA 5A Y UN ORIFICIO DE SALIDA 50B DE UN GAS PARA UN MEDIO DE VAPOR, COMPRENDIENDO LA BOQUILLA CONVERGENTE-DIVERGENTE 50 UNA PORCION DE LA BOQUILLA CONVERGENTE 51A, FORMADA DE MODO QUE SE AHUSE Y ESTRECHE DESDE EL ORIFICIO DE ENTRADA 50A HACIA EL ORIFICIO DE SALIDA 50B, Y UNA PORCION DE LA BOQUILLA DIVERGENTE 51C, FORMADA DE MODO QUE SE EXPANDA DESDE LA PORCION CONVERGENTE DE LA BOQUILLA 51A HACIA EL ORIFICIO DE SALIDA 50B; Y UN ORIFICIO DE ALIMENTACION 54 PARA UN LIQUIDO A EVAPORAR, ABRIENDOSE EL ORIFICIO DE ALIMENTACION 54 A LA PORCION DIVERGENTE DE LA BOQUILLA 51C DE LA BOQUILLA CONVERGENTE-DIVERGENTE 50. DE ESTE MODO SE PUEDE PRODUCIR FACILMENTE UN GAS UTILIZANDO UN NUMERO MENOR DE FACTORES DE CONTROL Y SE PUEDE AUMENTAR LA CANTIDAD DE GAS PRODUCIDO Y REDUCIR EL TIEMPO DE GENERACION DE VAPOR.

  19. 19.-

    Un procedimiento para el procesamiento de superficie mediante la polimerización con plasma de una superficie de un metal o de un material aislante usando un plasma de descarga de CC, que comprende las etapas de: (a) posicionar un electrodo ánodo y un electrodo cátodo en una cámara; (b) mantener una presión en la cámara a un nivel de vacío predeterminado; (c) inyectar un gas hidrocarburo monomérico alifático insaturado o un gas monomérico que contiene flúor a una determinada presión y un gas no polimerizable a una presión predeterminada en la cámara; y (d) aplicar una tensión a los electrodos con el fin de obtener una descarga de CC, en el que...

  20. 20.-

    Cámara de reacción perfeccionada para un reactor epitaxial que comprende una campana fabricada de un material aislante y transparente, tal como cuarzo, un elemento de susceptibilidad provisto de cavidades (34a-n) con forma de disco para recibir plaquetas (36a-n) de material a tratar, y una placa aislante y químicamente resistente dispuesta sobre la misma, caracterizada porque emplea: un difusor formado por la tapa de un elemento de cúpula central conectada a una cámara de distribución anular simétrica provista de una pluralidad de tubos (106a-f) de igual longitud que conectan dicha cámara anular de la tapa con una zona de cúpula de la campana situada justo debajo...

  21. 21.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO DE UNAS PIEZAS DE TRABAJO MEDIANTE UNA FASE DE GAS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MUNCHEN GMBH. Inventor/es:

    EN UN PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO EN FASE GASEOSA PARA REVESTIR PALETAS DE TURBINAS O PIEZAS DE CAJAS, SE COLOCAN UNA O VARIAS DE LAS PIEZAS QUE SE VAN A RECUBRIR EN UN CONTENEDOR , QUE SE CALIENTA. MEDIANTE UN TUBO DE GAS PROPULSOR SE INTRODUCE EN EL CONTENEDOR GAS PROPULSOR. UN DISTRIBUIDOR SE COLOCA CON UN ACTIVADOR EN EL FONDO DEL CONTENEDOR, Y FORMA UN GAS DE REVESTIMIENTO, QUE SE AGITA EN EL INTERIOR DEL CONTENEDOR EN FORMA DE IMPULSOS, MEDIANTE MEDIOS PARA LA AGITACION, POR EJEMPLO UN VENTURI A TRAVES DEL CUAL SALE EL GAS PROPULSOR.

  22. 22.-

    PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA PREPARACION DE CAPAS Y RECUBRIMIENTOS POR MEDIO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR ASISTIDA POR COMBUSTION.

    . Solicitante/s: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN METODO PARA APLICAR REVESTIMIENTOS A SUBSTRATOS UTILIZANDO DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO DE COMBUSTION MEZCLANDO ENTRE SI UN REAGENTE Y UNA SOLUCION PORTADORA PARA FORMAR UNA MEZCLA DE REAGENTES. ENCENDIENDO LA MEZCLA DE REAGENTES PARA CREAR UNA LLAMA O HACIENDO FLUIR LA MEZCLA DE REAGENTES A TRAVES DE UNA ANTORCHA DE PLASMA, EN LA CUAL EL REAGENTE SE VAPORIZA AL MENOS PARCIALMENTE EN UNA FASE DE VAPOR, Y PONIENDO EN CONTACTO LA BASE DE VAPOR DEL REAGENTE CON UN SUBSTRATO RESULTANDO LA DEPOSICION, AL MENOS EN PARTE DESDE LA FASE DE VAPOR, DE UN REVESTIMIENTO DEL REAGENTE QUE PUEDE CONTROLARSE DE MANERA QUE TENGA UNA ORIENTACION PREFERIDA SOBRE EL SUBSTRATO, TAMBIEN SE PRESENTA UN APARATO PARA LLEVAR A CABO EL METODO. LA FIGURA MUESTRA UN ESQUEMA DE UN APARATO CCVD EN DONDE EL SUBSTRATO PUEDE COLOCARSE DENTRO DE UNA REGION DE REDUCCION DEL SEPARADOR DE SMITHELL ENTRE LA LLAMA INTERNA (18A) Y LA LLAMA EXTERIOR (18B).

  23. 23.-

    PROCESO CVD DE MEDIA TEMPERATURA.

    . Solicitante/s: KENNAMETAL INC.. Inventor/es:

    Proceso CVD MT que comprende los pasos consistentes en: a) calentar al menos un sustrato en una cámara de reacción a una temperatura de reacción, teniendo el o los sustratos una superficie; y b) introducir dentro de dicha cámara de reacción un gas de proceso de deposición que comprende de 1 a 30 % de halogenuro de hidrógeno y cantidades predeterminadas de una fuente de carbono/nitrógeno, un compuesto de metal-halógeno, y H2 de forma que se deposite un revestimiento conteniendo carbonitruro sobre dicha superficie del o de los sustratos.

  24. 24.-

    PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL DEPOSITO ASISTIDO POR PLASMA SOBRE UN SUSTRATO DE DOS CARAS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: ESSILOR INTERNATIONAL COMPAGNIE GENERALE D'OPTIQUE. Inventor/es:

    EL PROCEDIMIENTO SEGUN LA INVENCION ES DEL TIPO SEGUN EL CUAL, PARA LA DEPOSICION DE AL MENOS UNA CAPA DELGADA SOBRE UN SUSTRATO DE DOBLE CARA (11A, 11B), SE EMPLEA UN PLASMA EN COOPERACION CON EL CUAL INTERVIENE UN FLUIDO PRECURSOR CUYOS PRODUCTOS DE REACCION CON EL PLASMA DAN LUGAR A LA DEPOSICION BUSCADA. SEGUN LA INVENCION, PARA UN TRATAMIENTO SIMULTANEO DE LAS DOS CARAS (11A, 11B) DEL SUSTRATO , SE EMPLEAN DOS PLASMAS DISTINTOS (12A, 12B), INTERVINIENDO UNO DEL LADO DE UNA DE LAS CARAS (11A, 11B) DE ESTE SUSTRATO , INTERVINIENDO EL OTRO DEL LADO DE LA OTRA CARA DE ESTAS. APLICACION, PARTICULARMENTE, EN EL TRATAMIENTO ANTIRREFLEJO DE UNA LENTILLA OFTALMICA DE MATERIAL ORGANICO.

  25. 25.-

    APARATOS PARA LA DEPOSICION DE VAPOR.

    . Solicitante/s: INCO LIMITED. Inventor/es:

    Un aparato para descomponer carbonilos de metal gaseosos, comprendiendo el aparato una placa base , una cubierta dispuesta en la placa base, definiendo la cubierta y la placa base una cámara , incluyendo la placa base al menos una abertura, un anillo de placa base dispuesto dentro de la abertura de la placa base, un anillo de mandril anidado dentro del anillo de la placa base, incluyendo el anillo del mandril al menos un conducto de fluido dispuesto en él, estando el anillo del mandril adaptado para recibir un mandril y medios para introducir carbonilo de metal gaseoso dentro de la cámara.

  26. 26.-

    LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE OBTENCION DE UN REVESTIMIENTO DE SUELO FORMADO POR AL MENOS UN SUSTRATO POLIMERICO ELASTICO SOBRE EL CUAL SE DEPOSITA UNA CAPA DE PROTECCION; ESTA CAPA COMPRENDE AL MENOS UN ELEMENTO INORGANICO AMORFO Y PRESENTA UNA DUREZA VICKERS SUPERIOR A 1 GPA Y UN MODULO DE ELASTICIDAD (MODULO DE YOUNG) INFERIOR A 80 GPA; ESTA OPERACION SE REALIZA CON AYUDA DE UN PLASMA FRIO DEMORADO QUE INDUCE UNA REACCION DE DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO PRECURSOR VOLATIL QUE PERMITE LA FORMACION DE UNA DELGADA PELICULA DEL...

  27. 27.-

    LECHO FLUIDIZADO CON DISTRIBUCION UNIFORME DEL CALOR Y BOQUILLA DE MULTIPLES ORIFICIOS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SULZER CARBOMEDICS INC. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN APARATO DE LECHO FLUIDIZADO QUE PRODUCE UN REVESTIMIENTO DE CARBONO PIROLITICO CON CARACTERISTICAS DE DESGASTE Y POROSIDAD MEJORADAS DEL REVESTIMIENTO PRODUCIENDO UN PERFIL DE TEMPERATURA PLANO Y MAS UNIFORME A TRAVES DE LA CAMARA DE REACCION EN EL AREA DONDE SE PRODUCE EL REVESTIMIENTO. EL APARATO TIENE SERPENTURIES DE CALEFACCION QUE RODEAN EL EXTREMO INFERIOR DE LA CAMARA DE REACCION Y ESTAN SITUADAS INMEDIATAMENTE ADYACENTES Y CON UNA LIGERA SEPARACION ENTRE SI. ESTO CONTRASTA CON LOS APARATOS ANTERIORES EN LOS QUE LOS SERPENTINES DE CALEFACCION ESTABAN SEPARADOS ENTRE 2 Y 5 CM. EL APARATO TAMBIEN TIENE UNA BOQUILLA DE CHORRO MULTIPLE PARA CONTROLAR UN FLUJO DE GASES A TRAVES DE LA CAMARA DE REACCION. LOS CHORROS EN LA BOQUILLA COMPRENDEN CONDUCTOS ORIENTADOS DE MANERA QUE LA LONGITUD DE LOS CONDUCTOS DESCANSE SOBRE UNA SERIE DE CONOS CON EJES COMUNES.

  28. 28.-

    DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR UTILIZANDO UN PRECURSOR DE IODURO.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es:

    LA PRESENTE INVENCION, DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR (CVD) EN EL QUE SE DEPOSITA NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, COMO NI/CU, NI/CO, SOBRE SUPERFICIES METALICAS QUE SON SUSCEPTIBLES DE RECIBIR NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, UTILIZANDO UNA FUENTE DE IODURO , PREFERIBLEMENTE UNA SAL DE IODURO, COMO IODURO DE COBRE.

  29. 29.-

    La invención se refiere a un reactor CVD que comprende lo siguiente: un alojamiento de reactor con una tapa; un suscepctor calentado (soporte de disco) que se encuentra en el alojamiento del reactor y sobre el cual puede situarse al menos un disco; una entrada central de fluido a través de la cual medio CVD especialmente templado, etc. se introduce en el reactor; y una descarga de fluido situada en la periferia del alojamiento del reactor y a través de la cual sale el medio admitido. La invención se caracteriza porque la descarga de fluido tiene aproximadamente...

  30. 30.-

    COMPUESTOS POLIMERICOS VAPORIZADOS INSTANTANEAMENTE AL VACIO.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN METODO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE COMPOSITES POLIMERICOS EN UN VACIO. DE MANERA MAS ESPECIFICA SE PRESENTE EL METODO PARA DISOLVER SALES EN UNA SOLUCION MONOMERICA, EVAPORAR LA SOLUCION MEDIANTE UNA LAMPARA DE DESTELLO AL VACIO, CONDENSAR LA SOLUCION EVAPORADA CON LA LAMPARA DE DESTELLO AL VACIO A MODO DE PELICULA LIQUIDA Y FORMAR CON LA PELICULA LIQUIDA CONDENSADA UNA CAPA DE COMPOSITE POLIMERICO SOBRE UN SUSTRATO.

  31. 31.-

    DISEÑOS DE SOPORTE PARA PELICULAS FINAS DE CARBURO DE SILICIO

    . Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es:

    Se describe un soporte para minimizar o eliminar los gradientes térmicos que afectan a una oblea sustrato durante el crecimiento epitaxial. El soporte incluye una primera porción de soporte que incluye una superficie para recibir una oblea de sustrato semiconductor en ella y una segunda porción de soporte. El soporte se caracteriza porque la segunda porción de soporte se enfrenta a la superficie receptora de sustrato y está separada de la superficie receptora de sustrato, siendo la separación suficientemente grande para permitir el flujo de gases entre ellas para el crecimiento epitaxial en un sustrato sobre la superficie, y siendo suficientemente pequeña para que la segunda porción de soporte caliente la cara expuesta del sustrato sustancialmente a la misma temperatura que la primera porción de soporte calienta la cara del sustrato que está en contacto directo con la superficie receptora de sustrato.

  32. 32.-

    PROCEDIMIENTO E INSTALACION DE ELABORACION DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE UN GAS PORTADOR, UN GAS OXIDANTE Y UN SILANO.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es:

    LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE ELABORACION DE UNA MEZCLA GASEOSA FINAL QUE COMPRENDE UN GAS PORTADOR, UN GAS OXIDANTE Y UN SILANO, DE CONTENIDO DETERMINADO EN CADA UNO DE LOS TRES COMPONENTES GASEOSOS, Y QUE INCLUYE LA REALIZACION DE UNA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA QUE COMPRENDE UN GAS NEUTRO Y EL MENCIONADO SILANO, SIENDO EL CONTENIDO EN SILANO DE LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA INFERIOR AL LIMITE DE AUTOINFLAMACION DEL SILANO CONSIDERADO EN EL AIRE, Y LA REALIZACION DE UNA MEZCLA ENTRE LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA Y UNA CORRIENTE DEL CITADO GAS PORTADOR Y, EN SU CASO, DE UNA CORRIENTE DEL CITADO GAS OXIDANTE, EN PROPORCIONES QUE PERMITEN OBTENER LA MEZCLA FINAL REQUERIDA, EFECTUANDOSE LA MEZCLA EN MODO DINAMICO.