Revestimiento de nitruro de aluminio y titanio con morfología adaptada para una resistencia mejorada al desgaste en operaciones de mecanizado y método para ello.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(14/08/2019). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Clasificación: C23C28/04, C23C14/06, C23C30/00, C23C14/32, C23C14/00, C23C14/22.
Revestimiento monocapa de (AI,Ti)N que exhibe dos partes de revestimiento diferentes, una parte de revestimiento A y una parte de revestimiento B, exhibiendo ambas partes de revestimiento A y B estructuras cuyo tamaño de grano está en el intervalo de nanómetros, caracterizado por que
• la parte de revestimiento A se deposita sobre el sustrato, y la parte de revestimiento B se deposita sobre la parte de revestimiento A,
• la parte de revestimiento A exhibe un módulo elástico más alto que la parte de revestimiento B, y
• el tamaño de grano en la parte de revestimiento A es al menos 1,25 veces mayor que en la parte de revestimiento B,
en donde ambas partes de revestimiento A y B exhiben estructuras cristalinas cúbicas centradas en la cara y una textura cristalográfica predominantemente , y en donde el revestimiento exhibe una dureza entre 37 GPa y 55 GPa y módulo elástico entre 410 GPa y 450 GPa y un tamaño de grano entre 5 nm y 50 nm.
PDF original: ES-2750572_T3.pdf
(19/03/2019) Fuente de plasma en una cámara de vacío para generar un plasma en la cámara de vacío , comprendiendo la fuente de plasma una carcasa de fuente con una abertura que se adentra en la cámara de vacío y estando previsto en la carcasa de fuente un filamento al cual, a través de líneas eléctricas que se han pasado de forma aislada a través de la carcasa de fuente , se puede aplicar una tensión de calentamiento (Vcal.) de tal modo que se puede calentar el filamento mediante un flujo de corriente, estando dispuesta la carcasa de fuente de forma eléctricamente aislada de la cámara de vacío en la misma, caracterizada por que:
• están previstos medios que permiten medir la caída de…
Proceso de pulverización catódica reactiva.
(14/03/2019) Procedimiento para la pulverización catódica reactiva en el que mediante bombardeo de iones se expulsa golpeando material de la superficie de un primer blanco y este pasa a la fase gaseosa, y en el blanco se aplica una tensión negativa por impulsos, de tal forma que en la superficie del blanco se produce una corriente eléctrica con una densidad de corriente superior a 0,5 A/cm2, de modo que el material que pasa a la fase gaseosa queda al menos parcialmente ionizado y en el que se establece un flujo de gas reactivo y el gas reactivo reacciona con el material de la superficie del blanco, y en el que durante un impulso…
Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones.
(08/03/2019) Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende:
• proporcionar una base de carrusel que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje de carrusel (A20);
• proporcionar a lo largo de la periferia de y sobre dicha base de carrusel al menos dos soportes (22; 22a) planetarios, cada uno que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje planetario (A22; A22a) paralelo a dicho eje de carrusel;
• generar una nube (CL; BI; BPL; PL) que comprenda iones y que tenga, considerado en un plano transversal perpendicular a dicho carrusel y dichos ejes planetarios, un eje…
Procedimiento para recubrir sustratos y fuente de pulverización de alta potencia para el mismo.
(17/01/2019) Procedimiento para generar una descarga de plasma con una densidad de corriente de descarga que al menos en algunas zonas es localmente superior a 0,2 A/cm2, con las etapas:
- proporcionar una unidad de suministro de potencia con una potencia máxima predeterminada
- proporcionar al menos dos fuentes de pulverización catódica por magnetrón (q1-q6) con en cada caso pista predeterminada y límite superior térmico predeterminado, donde la pista se diseña tan pequeña que al actuar la potencia máxima de la unidad de suministro de potencia sobre en cada caso una de las fuentes de bombardeo catiónico por magnetrón (q1-q6) la densidad de corriente de descarga es superior a 0,2 A/cm2;
- por medio de la unidad…
Objetivo de pulverización con mayor compatibilidad de potencia.
(06/06/2018) Fuente de revestimiento como proveedor de material para un revestimiento PVD, que comprende
a) un soporte y una placa, alojada en el soporte, con lado delantero de placa (1a) y lado trasero de placa (1c) y con medios de centrado, comprendiendo el soporte una montura de placa con forma de marco para el alojamiento de la placa , siendo la placa un objetivo, y estando previsto el lado delantero de placa (1a) para transferir material de revestimiento desde la superficie a la fase gaseosa durante el proceso PVD, y estando configurados los medios de centrado de forma que está garantizado el centrado a diferentes temperaturas…
Fuente de deposición por arco con campo eléctrico definido.
(17/01/2018) Dispositivo de evaporación por arco que comprende
- un cátodo que contiene una superficie con aquel material, que va a evaporarse
- medios magnéticos que llevan a un campo magnético a lo largo de la superficie del cátodo
- un ánodo para la absorción de los electrones, que se extraen del cátodo durante el proceso de evaporación
- una fuente de tensión, que permite colocar en potencial positivo al menos durante cierto tiempo el ánodo frente al cátodo
caracterizado por que el ánodo está dispuesto en la proximidad inmediata del cátodo y en combinación con el campo magnético generado por los medios magnéticos de tal manera que las líneas del campo magnético…
Configuración magnética modificable para fuentes de evaporación por arco.
(11/10/2017) Fuente de evaporación por arco con una disposición de campo magnético prevista en un blanco a partir de un material de revestimiento para la generación de campos magnéticos en y por encima de la superficie de blanco, comprendiendo la disposición de campo magnético imanes permanentes centrales (5a), imanes permanentes marginales y al menos una bobina anular dispuesta detrás del blanco, cuyo diámetro interior limitado por los devanados es preferentemente menor o igual, en todo caso no considerablemente mayor que el diámetro del blanco, caracterizada por que los imanes permanentes marginales y los imanes permanentes centrales (5a) pueden desplazarse esencialmente en perpendicular a la superficie del blanco de manera que se alejan del blanco y la proyección de los imanes…
(15/02/2017) Dispositivo de generación de plasma, comprendiendo
una fuente de plasma con cuerpo hueco fuente de plasma y una unidad de emisión de electrones que hace posible emitir electrones libres en el cuerpo hueco fuente de plasma , en donde el cuerpo hueco fuente de plasma presenta una primera entrada de gas (7a) y una abertura de fuente de plasma que forma una abertura que lleva a una cámara de vacío,
así como un ánodo con cuerpo hueco de ánodo , en donde el cuerpo hueco de ánodo presenta una segunda entrada de gas (7b) y una abertura de ánodo ,
y una fuente de tensión cuyo polo negativo está unido con la unidad de emisión de electrones y cuyo polo positivo está unido con el cuerpo hueco de ánodo , en donde el polo positivo…
Fuente de revestimiento con un objetivo adaptado en un dispositivo de refrigeración indirecta.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(30/11/2016). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Clasificación: C23C14/34.
Fuente de revestimiento compuesta de un objetivo con parte delantera y trasera, cuya parte trasera está dispuesta en una pared del soporte de fuente , en el que está integrada una refrigeración indirecta con canal de refrigeración , en donde el objetivo está fijado al soporte de fuente a través de las medidas apropiadas y la pared del soporte de fuente en la que está dispuesto el objetivo , está configurada en forma de membrana flexible , la cual separa el canal de refrigeración de la parte trasera del objetivo , caracterizada por que en la parte posterior del objetivo y/o en aquella pared del soporte de fuentes, en la que está dispuesto el objetivo, se ha pegado una hoja de carbono autoadhesiva.
PDF original: ES-2617518_T3.pdf
Procedimiento para la producción de capas de TIXSI1-xN.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(11/05/2016). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Clasificación: C23C14/34, C23C14/02, C23C14/06, C23C14/35.
Método para recubrir una pieza de trabajo con un recubrimiento que comprende por lo menos una capa de TixSi1-x N, en la cual x es ≤ 0,85 y en cuyo caso las capas de TixSi1-xN contienen nanocristales y los nanocristales contenidos tienen un tamaño medio de grano de no más de 15 nm, en donde x es la concentración Ti, que se expresa en % atómico, si sólo se toman los elementos metálicos en consideración, caracterizado por que, para la preparación de la capa de TixSi1-xN, se utiliza un método de pulverización catódica en el que por lo menos un objetivo de TixSi1-xN se utiliza como un objetivo de pulverización catódica; x ≤ 0,85 en % atómico; en la superficie del objetivo del objetivo de pulverización catódica, llega a densidades de corriente de por lo menos 0,2 A / cm2, preferiblemente superiores a 0,2 A/ cm210.
PDF original: ES-2630316_T3.pdf
Procedimiento para la fabricación de capas decorativas de material duro por HIPIMS.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(04/05/2016). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Clasificación: C23C14/34, C23C14/06, C23C14/35, C23C14/00.
Procedimiento para el revestimiento al menos de zonas parciales de la superficie de un sustrato o para la fabricación de sustratos con una zona de superficie con una capa decorativa de material duro en una cámara de revestimiento, en el que para la fabricación de la capa de material duro se aplica un proceso reactivo HIPIMS, en el que se utiliza al menos un gas reactivo, y se usa al menos un objetivo de un material que puede reaccionar con el gas reactivo durante la realización del proceso HIPIMS, de manera que de este modo se produce un color de capa predeterminado, en el que el proceso HIPIMS se realiza usando pulsos de potencia y/o secuencias de pulsos de potencia con un contenido energético referido a la superficie objetivo de al menos 0,2 Joule/cm2 por pulso de potencia y/o por secuencia de pulsos de potencia , caracterizado por que el objetivo comprende titanio o titanio y aluminio o zirconio.
PDF original: ES-2636867_T3.pdf
Procedimiento para el suministro de impulsos secuenciales de potencia.
(22/04/2015) Procedimiento para el suministro de impulsos de potencia con intervalo escalable del impulso de potencia para el funcionamiento de un cátodo de atomización-PVD, comprendiendo el cátodo de atomización-PVD un primer cátodo parcial y un segundo cátodo parcial, en el que para los cátodos parciales está predeterminada una impulsión de potencia media máxima y en el que la duración de los intervalos del impulso de potencia están predeterminados y el procedimiento comprende las siguientes etapas:
a) suministrar un generador con cesión de potencia predeterminada, con preferencia constante al menos después del arranque y después de la expiración de un intervalo de formación de la potencia,
b) conexión del generador,
c) conexión del primer cátodo parcial en el generador, de manera que el primer cátodo parcial es impulsado con potencia desde el…
Procedimiento de tratamiento previo para instalaciones de recubrimiento.
(08/04/2015) Procedimiento de tratamiento previo para procedimientos de recubrimiento, en el cual las superficies secundarias de una instalación de recubrimiento aun antes del proceso de recubrimiento son sometidas a un tratamiento previo, de manera que en el proceso de recubrimiento que sigue a ello la adherencia del material de recubrimiento sobre las superficies secundarias está esencialmente reducida en comparación con la adherencia sin tratamiento previo, y en el cual en el curso del tratamiento previo se aplica una capa antiadherente sobre las superficies secundarias, comprendiendo la capa antiadherente una suspensión de polvo en disolvente volátil, preferentemente disolvente fácilmente volátil, caracterizado porque el material de polvo es polvo…
Sistema de bobinas parciales para la simulación de bobinas circulares para dispositivos de vacío.
(23/04/2014) Cámara de tratamiento por vacío con disposición de bobinas para crear un campo magnético en la cámara en donde la disposición de bobinas comprende como mínimo una primera bobina parcial y una segunda bobina parcial, en donde la primera bobina parcial y la segunda bobina parcial se encuentran en sección transversal una junto a otra, preferentemente en un plano, de tal manera que como mínimo cada una zona parcial de la primera bobina sigue esencialmente el trayecto de una zona parcial de la segunda bobina, en donde la distancia de la primera zona parcial a la segunda zona parcial es como mínimo un tamaño aproximado menor que la sección transversal de una bobina parcial y en…
Cámara de vacío en una base estructural para instalaciones de revestimiento.
(12/03/2014) Cámara de vacío para instalaciones de revestimiento, en la que se disponen elementos funcionales en la cámara, donde la cámara comprende una armadura de cámara y planchas de inserción implantadas de modo mecánicamente separable y estanco en la armadura y algunas de las planchas de inserción llevan elementos funcionales, caracterizada por que la armadura de la cámara incluye por lo menos una base provista de brazos, conformada en una plancha metálica de una pieza, donde los brazos se han doblado en la región de la unión a la base de tal modo que formen los pilares de la armadura de la cámara.
Dispositivo de encendido para fuentes de arco.
(14/08/2013) Fuente de ARCO con un primer objetivo y con un segundo objetivo , en el que el primero y el segundoobjetivos se encuentran esencialmente en un primer plano, y está previsto un dispositivo de encendido para elencendido de una chispa en el primer objetivo y en el segundo objetivo, en la que el dispositivo de encendidocomprende un linguete de disparo montado móvil, de tal manera que están revistos medios para elmovimiento de la punta de linguete del linguete de disparo hacia la superficie del primer objetivo y hacia lasuperficie del segundo objetivo, en el que los medios para la realización del movimiento comprenden unaccionamiento del grupo de accionamiento lineal o accionamiento giratorio, caracterizada porque…