20 patentes, modelos y diseños de HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH

(20/02/2019) Procedimiento para la fabricación de un sistema de contacto posterior para una célula solar de capa fina de silicio, con una unión pn formada por una capa absorbente de silicio y una capa emisora , que presenta al menos los pasos de procedimiento de - aplicación de una capa de TCO a la capa emisora , - aplicación de una capa aislante orgánica a la capa de TCO , - después, creación de agujeros de contacto (L2, L3) en la capa aislante hasta la capa absorbente (KA) y la capa emisora (KE), para lo que - los agujeros para los contactos con la capa absorbente (KA) se practican en la capa aislante realizando…

(13/01/2016) Celda solar contactada en la cara trasera con por lo menos * una capa de absorbente y una capa de emisor dispuesta en la cara trasera, las cuales están constituidas a base de unos materiales semiconductores respectivamente con unos dopajes opuestos tipos p y n, * una rejilla de contacto metálica dispuesta entre la capa de absorbente y la capa de emisor , que está aislada eléctricamente frente a la capa de emisor por medio de una rejilla de aislamiento congruente, destinada a la recogida de los portadores de carga mayoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente , teniendo los elementos de aislamiento de la rejilla de aislamiento una anchura de…

(10/09/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de heterounión basada en obleas, con contactos en la cara trasera, con al menos una oblea de absorbedor y una capa de emisor dispuesta en la cara trasera y realizada como superficie con escotaduras con forma puntual o de banda de materiales semiconductores con dopado opuesto, en el que el contacto de la capa de emisor es establecido mediante un sistema de contacto de 5 emisor por la cara trasera, que presenta una capa de contacto de emisor con escotaduras con forma puntual o de banda congruentes con las escotaduras en la capa de emisor , y el contacto de la oblea de absorbedor es establecido mediante un sistema de contacto de absorbedor en la cara trasera que presenta una capa de contacto de absorbedor o rejilla con contactos puntuales o contactos de banda que atraviesan…

(21/05/2014) Célula solar unilateralmente contactada constituida por al menos una capa absorbedora estructurada con transcontactados y una capa emisora de materiales semiconductores de diferente dopado dispuesta sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, en donde se generan portadores de carga excedentes en la capa absorbedora por efecto de la incidencia de la luz, se separan estos portadores en la transición pn entre la capa absorbedora y la capa emisora, y se acumulan y evacuan dichos portadores de carga a través de dos sistemas de contacto dispuestos conjuntamente sobre un lado de la capa absorbedora, eléctricamente contactados desde fuera y aislados uno respecto de otro, y en donde uno de los sistemas de contacto está dispuesto sobre la capa absorbedora y está configurado como una rejilla de contacto que está cubierta al menos en todo su…

(08/01/2014) Célula solar que comprende - una capa de absorbedor semiconductora fotoactiva que sirve para generar portadores de carga excedentes de polaridad opuesta por efecto de luz incidente, en la situación de funcionamiento, sobre el lado delantero de la capa de absorbedor , - la formación de al menos un campo eléctrico en la capa de absorbedor , que sirve para la separación de los portadores de carga excedentes fotogenerados de polaridad opuesta, que pueden recorrer al menos una longitud de difusión efectiva mínima Lef,min en la capa de absorbedor , - unos primeros elementos de contacto que sirven para derivar los portadores de carga excedentes de una polaridad…

(13/11/2013) Tubo colector en vacío para el acoplamiento de la luz solar, que tiene por lo menos dos tubos dispuestosconcéntricamente uno dentro de otro, que forman un espacio cerrado, que ha sido puesto en vacío, estandodispuesta sobre el tubo interno exteriormente una capa de TCO caracterizado por que sobre la capa de TCO (TCOi) está dispuesta una capa a base de nanobarritas de ZnO (NR) colocadas libremente enposición vertical, y el tubo (Ri) con la capa de TCO (TCOi) y con las nanobarritas de ZnO (NR) forma el absorbedorselectivo del tubo colector en vacío (VR).

(06/06/2012) Método para fabricar un sello de polímero para la reproducción de dispositivos que consten de microestructuras y nanoestructuras, comprendiendo el método los pasos siguientes: disponer una lámina termoplástica ; disponer un primer sustrato ; configurar nanoestructuras en la lámina termoplástica ; configurar microestructuras sobre el primer sustrato ; cubrir la superficie del primer sustrato que comprende las microestructuras con la lámina termoplástica nanoestructurada ; realizar el moldeo de un elastómero polimérico sobre el primer sustrato con nanoestructuras y microestructuras para…

(11/05/2012) Procedimiento para la producción de un heterocontacto que tiene una capa amortiguadora doble entre una capa semiconductora activa basada en un calcogenuro y una capa de contacto de ventana, caracterizado porque - la capa semiconductora activa basada en un calcogenuro se infiltra en una cámara para la MOMBE, - después de esto la capa semiconductora se ajusta a una temperatura comprendida entre 200º C y 550º C, - se utilizan materiales precursores gaseosos que contienen zinc y oxígeno, cuya presión se ajusta para que sea menor que 10-4 mbar, efectuándose la reacción de las moléculas de los precursores solamente junto a la superficie de la capa semiconductora, - a continuación, los materiales precursores…

(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…

(18/04/2012) Espuma metálica, a base de una aleación de aluminio, caracterizada porque esta aleación de aluminio es AlMg4(±1)Si8(±1), indicada en % en peso, y la espuma metálica presenta Al, Mg, Si e impurezas condicionadas por la fabricación o Al, Mg, Si así como los componentes metálicos de un agente expansor e impurezas condicionadas por la fabricación.

(07/03/2012) Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado que comprende una capa de soporte, una capa absorbedora fotoactiva y al menos una capa dopante depositada sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, así como otras capas funcionales, en donde el paquete de capas delgadas formado por dichas capas está subdividido en zonas de célula solar por medio de zanjas de separación aislantes, y que comprende también un primer sistema de contacto, que presenta elementos de contactado y una capa de contacto que une estos elementos, y un segundo sistema de contacto que presenta una capa de contacto, en el lado de la capa absorbedora alejado de la capa de soporte para la derivación…

(06/02/2012) Procedimiento para la producción de una estructura compuesta estratificada fotoactiva con un macroabsorbente en forma de un substrato de silicio dopado y con un gran número de nanoemisores rectificadores en forma de nanoporos provistos de un metal de revestimiento, los cuales se encuentran por lo menos en una capa de óxido, transparente y aislante de la electricidad, sobre el macroabsorbente, con las siguientes etapas del procedimiento, siendo aplicados todos los potenciales que aparecen frente a un electrodo saturado de calomelanos: I) Producción de nanoporos - Inmersión de un substrato de silicio dopado no tratado en un primer baño de…

(31/05/2011) Pila solar heterogénea de silicio amorfo/cristalino que tiene por lo menos una capa absorbente de Si cristalino de un tipo de conducción, sobre uno de cuyos lados se disponen una capa emisora de Si amorfo del tipo opuesto de conducción, sobre ésta una capa de TCO y un contacto delantero, y sobre cuyo otro lado se dispone un contacto trasero, caracterizada porque - la capa emisora de Si amorfo tiene una pequeña densidad de defectos n(E) menor que 10 19 cm -3 y está caracterizada por una energía de Urbach menor que 90 meV, y de tal manera que el nivel de Fermi (EF) está situado cercano de la arista de la banda de valencia (EV) o de la arista de la banda de conducción (EC) de la capa emisora de Si amorfo

(03/12/2010) - Célula solar de heterocontacto en estructura de ca- pas con un absorbedor de material semiconductor cristalino dopado tipo p o n, un emisor de un material semiconductor amorfo dopado en sentido contrario al absorbedor, una capa intermedia intrínseca de un material semiconductor amorfo entre el absorbedor y el emisor, una capa de cubierta sobre el lado del absorbedor vuelto hacia la luz, una capa que forma un campo de superficie reflectante de portadores de carga minoritaria, una estructura de contactado óhmico con una superficie minimizada de producción de sombra en el lado del absorbedor vuelto hacia la luz…

(23/10/2009) Procedimiento para la producción pulvimetalúrgica de un material espumado metálico y de piezas a base de un material espumado metálico, en el que un material metálico pulverulento, que contiene por lo menos un metal y/o una aleación metálica, se mezcla y se prensa bajo una presión mecánica para formar una pieza semiterminada con forma estable, caracterizado porque la pieza semiterminada se introduce en una cámara que se puede cerrar de un modo estanco a la presión, a continuación la cámara se cierra, después de esto la pieza semiterminada se calienta hasta la temperatura de fusión o respectivamente de Solidus del material metálico pulverulento, y después de haberse alcanzado la temperatura de fusión o respectivamente de Solidus del material metálico pulverulento, la presión reinante dentro de la cámara se reduce…

(27/08/2009) Procedimiento de análisis no destructivo para determinar la calidad de una célula solar cristalina heterounida a base de calcopirita por medio de una combinación de datos derivados de una espectroscopia óptica de Raman para establecer las propiedades estructurales de una capa semiconductora y al menos derivados de una medición de corriente-tensión eléctrica bajo la influencia de una iluminación para obtener las propiedades eléctricas de una célula solar, en donde, directamente después de la producción de la capa absorbedora semiconductora de la célula solar, se obtienen únicamente con ayuda de la espectroscopia de Raman parámetros estructurales característicos para las propiedades cristalinas que se correlacionan gráfica o numéricamente con parámetros eléctricos característicos que son conocidos…

(01/03/2009) Procedimiento para la producción de una capa de semiconductores de calcogenuro del tipo ABC 2 con control óptico del proceso, en el que durante la producción se irradia la capa resultante con luz, se detecta la luz reflejada y se asocia la señal luminosa registrada en función del tiempo a puntos característicos de la producción de la capa, caracterizado porque se produce la capa de semiconductores de calcogenuro, aplicando en primer lugar de forma consecutiva las dos capas metálicas de precursor formadas por los elementos A y B y a continuación se realiza un proceso de calcogenurización con control óptico simultáneo del proceso, en el que se irradia la secuencia de capas A B con luz de al menos una fuente de luz coherente, se detecta la luz dispersa difusa en la superficie y se evalúa…

(01/11/2008) Disposición estratificada a base de capas semiconductoras unidas heterogéneamente sobre un substrato, con por lo menos una capa separadora intercalada que tiene una estructura previamente establecida de rejillas estratificadas, para la separación mecánica definida de las capas semiconductoras mediando participación de un calcógeno en todas las capas: caracterizada porque el substrato está revestido con una película metálica y la capa separadora está estructurada como capa de dicalcogenuro metálico mediando participación del metal procedente de la película metálica y del calcógeno procedente de por lo menos una capa semiconductora , y tiene una estructura de vasos doblada y continua, con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo I) formada perpendicularmente a ésta en la transición hacia la película metálica y con una estructura…