PROCEDIMIENTO DE ANALISIS NO DESTRUCTIVO PARA DETERMINAR LA CALIDAD DE UNA CELULA SOLAR Y APLICACION DEL MISMO.
Procedimiento de análisis no destructivo para determinar la calidad de una célula solar cristalina heterounida a base de calcopirita por medio de una combinación de datos derivados de una espectroscopia óptica de Raman para establecer las propiedades estructurales de una capa semiconductora y al menos derivados de una medición de corriente-tensión eléctrica bajo la influencia de una iluminación para obtener las propiedades eléctricas de una célula solar,
en donde, directamente después de la producción de la capa absorbedora semiconductora de la célula solar, se obtienen únicamente con ayuda de la espectroscopia de Raman parámetros estructurales característicos para las propiedades cristalinas que se correlacionan gráfica o numéricamente con parámetros eléctricos característicos que son conocidos por mediciones realizadas en muestras de material del mismo tipo de la capa absorbedora, y que se evalúan en función de valores límite conocidos para los parámetros estructurales característicos.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: GLIENICKER STRASSE 100,14109 BERLIN.
Inventor/es: SCHEER,ROLAND, LUCK,ILKA, RUDIGIER-VOIGT,EVELINE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Mayo de 2009.
Clasificación PCT:
- G01N21/00 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas (G01N 3/00 - G01N 19/00 tienen prioridad).
- H01L21/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
- H01L31/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
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