PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTORES DE CALCOGENURO DEL TIPO ABC2 CON CONTROL OPTICO DEL PROCESO.
Procedimiento para la producción de una capa de semiconductores de calcogenuro del tipo ABC 2 con control óptico del proceso,
en el que durante la producción se irradia la capa resultante con luz, se detecta la luz reflejada y se asocia la señal luminosa registrada en función del tiempo a puntos característicos de la producción de la capa, caracterizado porque se produce la capa de semiconductores de calcogenuro, aplicando en primer lugar de forma consecutiva las dos capas metálicas de precursor formadas por los elementos A y B y a continuación se realiza un proceso de calcogenurización con control óptico simultáneo del proceso, en el que se irradia la secuencia de capas A B con luz de al menos una fuente de luz coherente, se detecta la luz dispersa difusa en la superficie y se evalúa la señal de luz dispersa medida en función del tiempo, de tal forma que - a un punto I, se asocia la transformación del precursor del compuesto AB 2 a A 11B 9, - a un punto II, se asocia la calcogenurización de la superficie de la capa resultante, de manera que se forma inicialmente la fase ABC2, - a un punto III, se asocia la formación completa de ABC 2 en el caso de una capa de precursor sin un exceso de A o de la separación completa de fases de ABC2 y de la fase AxCy en el caso de una capa de precursor con un exceso de A, y - a un punto IV, se asocia la transformación de la fase externa A xC y a la fase externa AC.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: GLIENICKER STRASSE 100,14109 BERLIN.
Inventor/es: SCHEER,ROLAND, PIETZKER,CHRISTIAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 1 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L21/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento de fabricación de un módulo optoelectrónico que tiene un soporte que comprende un sustrato metálico, un recubrimiento dieléctrico y una capa conductora, del 12 de Febrero de 2020, de Arcelormittal: Procedimiento de fabricación de un módulo optoelectrónico que comprende un soporte y una capa suplementaria situada en el soporte , estando el soporte constituido […]
Determinación de las concentraciones de dopantes aceptadores y donadores, del 14 de Marzo de 2018, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de determinación de concentraciones en dopantes en una muestra de material semiconductor, constando la muestra de tres dopantes (NAF, […]
Método y aparato para medir ópticamente por interferometría el espesor de un objeto, del 23 de Abril de 2014, de MARPOSS SOCIETA PER AZIONI: Método para medir ópticamente por interferometría el espesor (T) de un objeto ; incluyendo el método las etapas de: llevar a cabo por interferometría […]
Dispositivos de carburo de silicio de gran superficie y métodos de fabricación para los mismos, del 27 de Mayo de 2013, de CREE, INC.: Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende:
- formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo […]
MÉTODOS DE MONITORIZACIÓN DE LA SALUD DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, del 22 de Febrero de 2013, de GAMESA INNOVATION & TECHNOLOGY, S.L: Métodos de monitorización de la salud de dispositivos semiconductores. Están basados en un método para estimar cercanía de la finalización de la vida de un dispositivo […]
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA DETECTAR ANOMALÍAS DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR, del 13 de Marzo de 2012, de ICOS VISION SYSTEMS NV: Procedimiento para detectar anomalías en un sustrato semiconductor, tal como microfisuras penetrantes o no penetrantes, en particular en un sustrato de silicio policristalino, […]
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SUPERVISAR IN SITU PROCEDIMIETOS DE DEPOSICION Y GRABADO POR PLASMA USANDO UNA FUENTE DE LUZ DE BANDA ANCHA PULSADA., del 16 de Abril de 2006, de LAM RESEARCH CORPORATION: Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea, comprendiendo el monitor de […]
PROCEDIMIENTO DE PRUEBA DE RADIOFRECUENCIA SIN HILOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS Y OBLEAS., del 16 de Marzo de 2006, de THE GOVERNORS OF THE UNIVERSITY OF ALBERTA: Aparato para probar un circuito integrado sobre una oblea que comprende: a) un circuito de prueba formado sobre la oblea con el circuito […]