DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

Disposición estratificada a base de capas semiconductoras unidas heterogéneamente sobre un substrato,

con por lo menos una capa separadora intercalada que tiene una estructura previamente establecida de rejillas estratificadas, para la separación mecánica definida de las capas semiconductoras mediando participación de un calcógeno en todas las capas: caracterizada porque el substrato (2) está revestido con una película metálica (3) y la capa separadora (4) está estructurada como capa de dicalcogenuro metálico mediando participación del metal procedente de la película metálica (3) y del calcógeno procedente de por lo menos una capa semiconductora (6), y tiene una estructura de vasos (5) doblada y continua, con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo I) formada perpendicularmente a ésta en la transición hacia la película metálica (3) y con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo II) formada paralelamente a ésta en la transición hacia la capa semiconductora (6), pudiéndose efectuar la separación mecánica sin dejar residuos con respecto de la capa semiconductora (6).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: GLIENICKER STRASSE 100,14109 BERLIN.

Inventor/es: LUX-STEINER, MARTHA, CHRISTINA, FUERTES MARRON,DAVID, MEEDER,ALEXANDER, WURZ,ROLAND, SCHEDEL-NIEDRIG,THOMAS.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 28 de Mayo de 2008.

Clasificación PCT:

  • C30B33/12 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad). › en atmósfera gaseosa o en plasma.
  • H01L21/20 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
  • H01L21/304 H01L 21/00 […] › Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
  • H01L31/0256 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por los materiales.
  • H01L31/032 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
  • H01L31/0336 H01L 31/00 […] › en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
  • H01L31/0392 H01L 31/00 […] › comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
  • H01L31/072 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

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