Procedimiento de fabricación de un sistema de contacto posterior para una célula solar de capa fina de silicio.
Procedimiento para la fabricación de un sistema de contacto posterior para una célula solar de capa fina de silicio,
con una unión pn formada por una capa absorbente de silicio (3) y una capa emisora (4), que presenta al menos los pasos de procedimiento de
- aplicación de una capa de TCO (5) a la capa emisora (4),
- aplicación de una capa aislante orgánica (6) a la capa de TCO (5),
- después, creación de agujeros de contacto (L2, L3) en la capa aislante hasta la capa absorbente (KA) y la capa emisora (KE), para lo que
- los agujeros para los contactos con la capa absorbente (KA) se practican en la capa aislante realizando en primer lugar, en las futuras zonas de los contactos hacia la capa absorbente de silicio (KA) en la capa aislante orgánica (6) y con ayuda de un láser UV pulsado, unas marcas sin eliminación continua de material y decapando estas marcas a continuación en al menos un ataque químico selectivo al agua fuerte primero hasta la capa de TCO (5), que sirve de capa de bloqueo de ataque químico, y después, en al menos otro paso de ataque químico, a través de la capa emisora (4) hasta la capa absorbente de silicio (3),
- realizando a continuación en la capa aislante orgánica (6), con un láser UV pulsado, marcas sin eliminación continua de material que después se decapan en un paso de ataque químico al agua fuerte hasta la capa de TCO (5), que sirve de capa de bloqueo de ataque químico, como contactos hasta la capa emisora (KE) y
- acto seguido, aislamiento de los agujeros de contacto, de manera que la capa emisora (4) esté aislada frente a la capa absorbente (3) en los agujeros de contacto (KA),
- después aplicación de una capa de material con un punto de fusión bajo (7) para la formación de contactos n y p en los agujeros de contacto (KA, KE),
- separación de la capa metálica (7) en zonas de contacto n y p mediante corte por láser (L4)
- y después dopaje selectivo (L5) de los agujeros realizados para los contactos respecto a la capa absorbente de Si (KA).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/DE2015/100309.
Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HAHN-MEITNER-PLATZ 1 14109 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: RING, SVEN, GALL,STEFAN, WEIZMAN,MOSHE, RHEIN,HOLGER, SCHULTZ,CHRISTOF, FINK,FRANK, SCHLATMANN,RUTGER.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/046 H01L 31/00 […] › Módulos fotovoltaicos compuestos de una pluralidad de células solares de película delgada depositadas en el mismo sustrato.
- H01L31/0747 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p. ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT®.
PDF original: ES-2701124_T3.pdf
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