Celda solar contactada en la cara trasera con una capa de absorbente no estructurada superficialmente en relieve.
Celda solar contactada en la cara trasera (01, 20) con por lo menos
* una capa de absorbente (02,
22) y una capa de emisor (07) dispuesta en la cara trasera, las cuales están constituidas a base de unos materiales semiconductores respectivamente con unos dopajes opuestos tipos p y n,
* una rejilla de contacto (08) metálica dispuesta entre la capa de absorbente (02, 22) y la capa de emisor (07), que está aislada eléctricamente frente a la capa de emisor (07) por medio de una rejilla de aislamiento (09) congruente, destinada a la recogida de los portadores de carga mayoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente (02, 22), teniendo los elementos de aislamiento (18) de la rejilla de aislamiento (09) una anchura de recubrimiento lateral (L) situada por encima de los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08),
* una superficie de contacto (13) continua, dispuesta en la cara trasera sobre la capa de emisor (07), destinada a la recogida de los portadores de carga minoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente (02, 22) y
* una capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva, no estructurada superficialmente en relieve, dispuesta en la cara trasera, la cual está dispuesta por lo menos entre los elementos de contacto (11) individuales directamente sobre la capa de absorbente (02, 22),
* una acumulación de los portadores de carga mayoritarios en exceso y una expulsión de los portadores de carga minoritarios en exceso desde la capa de absorbente (02, 22) en la zona de la rejilla de contacto (08) mediante
* una formación de la rejilla de aislamiento (09) a base de un material de pasivación eléctricamente aislante, no dopado, que tiene una alta carga superficial, con una polaridad opuesta a la del dopaje de la capa de absorbente (02, 22), siendo la carga superficial tan alta que resulta una degeneración junto a la superficie de la capa de absorbente (2, 22), y
* una formación de la rejilla de contacto (08) metálica con una barrera de potencial, que ayuda a la acumulación y a la expulsión, con respecto a la capa de pasivación intrínsecamente conductiva (15),
* una anchura de recubrimiento (L) lateral de los elementos de aislamiento (18) de la rejilla de aislamiento (09) por encima de los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08), tal que no pueden circular portadores de carga mayoritarios desde la capa de emisor (07) hasta los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08),
CARACTERIZADA POR
* una disposición que ocupa toda la superficie de la capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva, directamente sobre la capa de absorbente (02, 22), formada de un modo no estructurada en su superficie limite (16) toda con respecto a la capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva,
* una disposición directa de la rejilla de contacto (08) sobre la capa de pasivación intrínsecamente conductiva de la electricidad (15).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/DE2011/000113.
Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HAHN-MEITNER-PLATZ 1 14109 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: STANGL, ROLF, KORTE,Lars.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/0747 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p. ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT®.
PDF original: ES-2565343_T3.pdf
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