CIP-2021 : H01J 37/32 : Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).
H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).
H01J 37/32 · Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE LIMPIEZA DE LA SUPERFICIE DE UN MATERIAL REVESTIDO DE UNA SUSTANCIA ORGANICA, GENERADOR Y DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/05/2007). Solicitante/s: USINOR. Inventor/es: CHALEIX, DANIEL, CHOQUET, PATRICK, BARAVIAN, GERARD, LACOUR, BERNARD, PUECH, VINCENT.
Procedimiento de limpieza en continuo de la superficie de un material recubierto de una sustancia orgánica, caracterizado porque incluye las etapas que consisten en introducir dicho material en una zona de tratamiento alimentada mediante un flujo gaseoso que incluye oxígeno, en colocar dicho material en la masa, y en generar un plasma imponiendo un campo eléctrico entre la superficie de dicho material y por lo menos un electrodo recubierto de dieléctrico, siendo pulsado dicho campo eléctrico e incluyendo una sucesión de pulsaciones de tensión positivas y negativas con relación a dicho material , siendo la tensión máxima de las pulsaciones positivas U+ superior a la tensión de cebado del arco Ua, y siendo la tensión máxima de las pulsaciones negativas U- en valor absoluto inferior a la tensión de cebado Ua.
PIEZAS UNIDAS POR ELASTOMERO PARA PROCESOS POR PLASMA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y USO DE LAS MISMAS.
(16/12/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LILLELAND, JOHN, HUBACEK, JEROME, S., KENNEDY, WILLIAM, S., MARASCHIN, ROBERT, A.
Un conjunto de junta elastomérica de una cámara de reacción de plasma usada en el proceso de un sustrato semiconductor, que comprende: una primera pieza que tiene una superficie de unión, una segunda pieza que tiene una superficie de unión en contacto con la superficie de unión de la primera pieza ; y una junta elastomérica entre la primera pieza y la segunda pieza , fijando de forma resiliente la junta elastomérica la primera pieza con la segunda pieza para permitir el movimiento entre la primera pieza y la segunda pieza durante el ciclo de temperaturas de las mismas; en el que dicha junta elastomérica está localizada en un rebajo en la primera pieza definido por una pared que protege la junta elastomérica del ataque por el medio de plasma en una cámara de reactor de plasma.
REACTOR DE PLASMA RF ACOPLADO CAPACITIVAMENTE Y METODO PARA FABRICAR PIEZAS.
(16/11/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PERRIN, JEROME, ELYAAKOUBI, MUSTAPHA, SCHMITT, JACQUES.
REACTANCIA DE PLASMA RF CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO EN LA CUAL EXISTE UNA ZONA DE DESCARGA ENTRE UN PAR DE ELECTRODOS DISTANTES , UNO AL MENOS DE ESTOS ELECTRODOS ESTA SUBDIVIDIDO EN UNA MULTITUD DE SUBELECTRODOS , QUE ACTUEN EN GRUPOS (A, B, C) SOBRE SEÑALES ELECTRICAS RESPECTIVAS. SELECCIONANDO ADECUADAMENTE LA AMPLITUD, FASE Y CONTENIDO ESPECTRAL DE ESTAS SEÑALES (V 11 A V 13 ) PUEDE LOGRARSE UNA DISTRIBUCION DESEADA DEL EFECTO DE TRATAMIENTO DE UNA PIEZA DEPOSITADA SOBRE EL SEGUNDO ELECTRODO , EN ESPECIAL PARA EL TRATAMIENTO DE PIEZAS DE GRAN SUPERFICIE.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO EN FASE DE VACIO DE UN SUSTRATO.
(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.
La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.
DISPOSITIVOS PARA CONTROLAR LA DIFERENCIA DE FASE EN SISTEMAS DE PROCESAMIENTO DE PLASMA.
(01/06/2006) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA, PARA MODIFICAR UNA DIFERENCIA DE FASE ENTRE UNA PRIMERA FRECUENCIA DE RADIO (RF) Y UNA SEGUNDA SEÑAL RF. UNA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA LA PRIMERA SEÑAL RF AL PRIMER ELECTRODO, Y UNA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA UNA SEGUNDA SEÑAL RF A UN SEGUNDO ELECTRODO DE UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA. LA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF ESTA ACOPLADA A LA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF COMO ESCLAVA EN UNA CONFIGURACION AMA-ESCLAVA. EL METODO INCLUYE UN PASO DE DETERMINACION DE UNA DIFERENCIA DE FASE ENTRE LA FASE DE LA PRIMERA SEÑAL RF Y LA DE LA SEGUNDA SEÑAL RF. EL METODO INCLUYE ADEMAS EL…
MONTAJE DE PLASMA A PRESION ATMOSFERICA.
(01/06/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DOW CORNING IRELAND LIMITED. Inventor/es: LEADLEY, STUART, SWALLOW, FRANK, DOBBYN, PETER.
Un montaje de generación de plasma atmosférico que tiene una unidad de generación de plasma atmosférico con un cuerpo que contiene un medio de introducción del agente reactivo , un medio de introducción de gas de proceso y una o más disposiciones de electrodos paralelos múltiples adaptadas para generar un plasma, estando dicho montaje adaptado de forma tal que el único medio de salida de un gas de proceso y agente reactivo introducidos en dicho montaje es a través de la región de plasma entre los electrodos anteriormente mencionados , caracterizado por que dicha disposición de electrodos paralelos múltiple tiene al menos un electrodo parcialmente revestido de material dieléctrico y el medio de introducción de agente reactivo es un atomizador para atomizar e introducir un agente reactivo sólido y/o líquido para formar un revestimiento.
SISTEMA DE CAPAS DE DLC Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN SISTEMA DE CAPAS DE ESTE TIPO.
(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNAXIS BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: MASSLER, ORLAW, PEDRAZZINI, MAURO, WOHLRAB, CHRISTIAN, EBERLE, HUBERT, GRISCHKE, MARTIN, MICHLER, THORSTEN.
Sistema de capas para la protección contra el desgaste, la protección anticorrosiva y para mejorar las propiedades de deslizamiento y similares sobre un sustrato, con una capa adherente para la disposición sobre un sustrato, una capa de transición para la disposición sobre la capa adherente y una capa de DLC o de diamante, caracterizado porque sobre la capa de DLC o de diamante está dispuesta una capa de deslizamiento cuya composición química difiere de la de la capa de DLC o de diamante.
CIRCUITO DE VACIO PARA UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON LA AYUDA DE UN PLASMA A BAJA PRESION.
(16/03/2006). Solicitante/s: SIDEL ACTIS SERVICES. Inventor/es: RIUS, JEAN-MICHEL.
La invención se relaciona con el dominio de dispositivos para el tratamiento de un recipiente con la ayuda de un plasma a baja presión en el cual el plasma es creado por excitación de un gas gracias a ondas electromagnéticas. El dispositivo en el cual el tratamiento por plasma a baja presión tiene por objeto efectuar un depósito de material sobre las paredes del recipiente. Por esto, es necesario aportar en la cavidad de tratamiento un gas precursor que será ionizado bajo forma de plasma. Ventajosamente, el dicho documento prevé entonces que los medios de inyección del gas precursor lleven un inyector montado sobre la tapa de la cavidad.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE POLVOS DE GRANOS COMPUESTOS Y DISPOSITIVO PARA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.
(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: APIT CORP. SA. Inventor/es: KOULIK, PAVEL, PETROV, EVGUENII, IVANOV, MARK.
Procedimiento de fabricación de polvo formado por granos compuestos que comprenden un núcleo y una o de varias capas superficiales, que comprende las etapas siguientes: mezcla de los núcleos de granos con un gas de tratamiento plasmoquímico, paso a través de un reactor de plasma principal de un flujo de dicha mezcla de núcleos y de gas de tratamiento, y generación de un plasma, esencialmente a presión atmosférica, uniforme en una zona de tratamiento del reactor principal con el fin de crear una reacción plasmoquímica entre el gas de tratamiento y las superficies de los núcleos para la formación de capas superficiales sobre ellos mientras que el flujo de dicha mezcla atraviesa el reactor.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA REVESTIR O LIMPIAR UN SUSTRATO.
(01/03/2006). Solicitante/s: RECHERCHES ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RDCS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE.
PROCEDIMIENTO PARA LA FORMACION POR PULVERIZACION CATODICA DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO RESPECTIVAMENTE DE LIMPIEZA POR BOMBARDEO IONICO DE UN SUBSTRATO, ESTANDO DICHO SUBSTRATO COLOCADO EN UNA CAMARA DONDE SE GENERA UN PLASMA, SE CREA UNA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA DE LOS ELECTRONES CERCA DE UN CATODO APLICANDO UN CAMPO ELECTROMAGNETICO EN LA GAMA DE FRECUENCIAS DE MICROONDAS Y CUYA FRECUENCIA DE ONDAS ES SUPERIOR A 2,45 GH{SUB,Z} Y QUE CORRESPONDE A LA FRECUENCIA CICLOTRONICA DE LOS ELECTRONES EN EL CAMPO MAGNETICO. DE MANERA ALTERNA EL CAMPO ELECTROMAGNETICO ESTA DIRECTAMENTE ACOPLADO EN LA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA O SE LIMITA LA DIFUSION DEL PLASMA FUERA DE LA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA.
DISPOSITIVO FORMADOR DE PLASMA DE ALTA DENSIDAD.
(16/01/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: PLASMA QUEST LIMITED. Inventor/es: THWAITES, MICHAEL JOHN.
Dispositivo formador de plasma de alta densidad que tiene una cámara de vacío comprendiendo una cámara de proceso , al menos una cámara fuente completamente abierta en un extremo a la cámara de proceso y una entrada de gas ionizable ; un blanco montado dentro de la cámara de proceso; una antena de radiofrecuencia para la formación de un plasma dentro de la cámara fuente; y un medio magnético por medio del cual puede dirigirse y concentrarse el plasma sobre el blanco, en el que dicha antena es una bobina helicoidal asociada con la cámara fuente , caracterizado porque el dispositivo comprende otros medios magnéticos configurados de tal modo que el flujo de plasma se desvíe del eje longitudinal de la cámara fuente sobre el blanco por dichos medios magnéticos adicionales.
DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE PIEZAS DE TRABAJO.
(01/01/2006). Solicitante/s: STRAMKE, SIEGFRIED, DR.. Inventor/es: STRAMKE, SIEGFRIED, DR..
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE PIEZAS DE TRABAJO. PARA PONER A DISPOSICION UN DISPOSITIVO , QUE PERMITA CON MEDIOS SENCILLOS LA ELABORACION CON PLASMA DE PIEZAS DE TRABAJO POROSAS CON BUENA CALIDAD PERMANENTE, SE HA PREVISTO DE ACUERDO CON LA INVENCION QUE LAS PIEZAS DE TRABAJO SE COLOQUEN EN UN RECIPIENTE DE VACIO UNA DESPUES DE OTRA Y QUE SE SOMETAN A UN PROCESO DE LIMPIEZA PARA EVAPORACION Y ASPIRACION DE LAS SUSTANCIAS EXTRAÑAS PRESENTES Y QUE DESPUES SEAN SOMETIDAS A UN PROCESO DE TRATAMIENTO DE PLASMA. EL DISPOSITIVO SE CARACTERIZA DE TAL MODO, QUE EN LA CONDUCCION DE ASPIRACION ENTRE EL RECIPIENTE DE VACIO Y LA FUENTE DE ASPIRACION SE DISPONE DE UN SEPARADOR , QUE SEPARA LAS SUSTANCIAS EXTRAÑAS DE MEZCLA GASEOSA ASPIRADAS A PARTIR DEL RECIPIENTE DE VACIO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE UN SISTEMA DE CAPAS DLC.
(16/12/2005) Heterociclos bicíclicos de la **fórmula** Ra significa un átomo de hidrógeno o un grupo metilo, Rb significa un grupo fenilo, bencilo ó 1-feniletilo, en los que el núcleo de fenilo está sustituido en cada caso con los radicales R1 a R3, en donde R1 y R2, que pueden ser iguales o diferentes, represen tan en cada caso un átomo de hidrógeno, flúor, cloro, bromo o yodo, un grupo metilo, etilo, hidroxi, metoxi, etoxi, amino, ciano, vinilo o etinilo, un grupo arilo, ariloxi, arilmetilo o arilmetoxi, un grupo metilo o metoxi sustituido con 1 a 3 átomos de flúor, R1 junto con R2, si éstos están unidos a átomos de carbono contiguos, significan…
REFRIGERACION DE UN REACTOR DE PLASMA.
(16/07/2005). Solicitante/s: STRAMKE, SIEGFRIED, DR.. Inventor/es: STRAMKE, SIEGFRIED, DR..
Reactor de plasma con un recipiente que es estanco al vacío, es susceptible de ser puesto en conexión con una bomba de vacío y contiene un compartimento de trabajo en el que se ponen piezas de trabajo , una fuente de tensión para la aplicación de una tensión a la pieza de trabajo , y al menos un dispositivo de refrigeración que está dispuesto en el recipiente para la evacuación de calor radiante y consta de al menos dos elementos refrigeradores (15a, 15b; 16a, 16b); estando dicho reactor de plasma caracterizado por el hecho de que al menos dos elementos refrigeradores (15a, 15b; 16a, 16b) son serpentines refrigeradores cuyas vueltas de hélice están intercaladas entre sí, siendo dichos elementos refrigeradores susceptibles de ser conectados y desconectados individualmente para incrementar o reducir la superficie de refrigeración efectiva.
PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO DE UN SUSTRATO.
(01/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: SWISS-PLAS.COM AG GABRIEL, HERBERT M. Inventor/es: CURTINS, HERMANN.
Procedimiento para atacar un substrato en un dispositivo de evaporación por arco voltaico , en el que fluye una corriente de arco voltaico de fuerza I dentro de un espacio en el que se ha hecho el vacío entre un ánodo y un blanco compuesto de metal que actúa como cátodo para evaporar material del blanco y generar una densidad iónica metálica, caracterizado porque la densidad iónica metálica por blanco eficaz para el tratamiento del substrato se regula por medio de la cobertura al menos parcial del blanco, teniendo lugar un cambio de la densidad iónica metálica por blanco de tal forma que tiene lugar una reducción aparente de la intensidad de corriente de arco voltaico en un valor bajo el cual fluye una corriente de arco voltaico inestable entre el ánodo y el cátodo.
EXCITACION POR RESONANCIA FERROMAGNETICA Y SU USO PARA CALENTAR SUSTRATOS RELLENOS DE PARTICULAS.
(16/04/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: HENKEL KOMMANDITGESELLSCHAFT AUF AKTIEN. Inventor/es: ROTH, MARCEL, SAUER, HANS-MARTIN, KIRSTEN, CHRISTIAN, N., LAMMERSCHOP, OLAF.
Procedimiento para calentar un sustrato que, respecto al peso total del sustrato, contiene 0, 1 a 70% en peso de partículas metálicas, magnéticas, ferrimagnéticas, ferromagnéticas, antiferromagnéticas o superparamagnéticas, con un tamaño medio de partículas comprendido entre 1 y 5000 mm, sometiéndose el sustrato a una radiación electromagnética, caracterizado porque la radiación electromagnética constituye una radiación de microondas con una frecuencia situada en el intervalo de 1 a 300 GHz, y porque al mismo tiempo, sobre el sustrato se deja actuar un campo magnético equidireccional, cuya intensidad de campo es al menos dos veces más alta que la intensidad del campo magnético terrestre.
ELECTRODO PARA PROCESOS CON PLASMA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y USO DEL MISMO.
(16/04/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LILLELAND, JOHN, HUBACEK, JEROME, S., KENNEDY, WILLIAM, S.
Un conjunto de electrodo útil para una cámara de reacción de plasma utilizada en el proceso de substratos semiconductores, el cual comprende: un elemento soporte; un electrodo activado por radiofrecuencia que tiene en uno de sus lados una superficie energizada con radiofrecuencia; caracterizado porque: el elemento soporte tiene una superficie de unión, dicho electrodo accionado por radiofrecuencia tiene una superficie de unión, en un borde exterior y en un lado opuesto a la superficie energizada por radiofrecuencia, que se pone en contacto con la superficie de unión del elemento soporte, una junta elastomérica entre el borde exterior del electrodo y el elemento soporte, caracterizada porque la junta elastomérica es un material de unión o adhesivo elastomérico polimerizable que sujeta elásticamente el electrodo al elemento soporte de manera que permita un movimiento entre el electrodo y el elemento soporte durante las variaciones cíclicas de temperatura de los mismos.
DISPOSITIVO PARA PRODUCIR PLASMAS DE MICROONDAS POTENTES.
(16/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: SPITZL, RALF ASCHERMANN, BENEDIKT. Inventor/es: SPITZL, RALF, ASCHERMANN, BENEDIKT.
EN UN DISPOSITIVO PARA GENERAR PLASMAS POTENTES DE MICROONDAS SE HA CONFORMADO EL RESONADOR COMO RESONADOR AXIAL CON CONDUCTORES INTERIORES Y EXTERIORES. EL ACOPLAMIENTO DE MICROONDAS EN LA CAMARA DE PLASMA SE REALIZA A TRAVES DE DELIMITACIONES DEL RESONADOR COAXIAL.
FILTRO DE MASA PARA PLASMA.
(16/12/2004) Se presenta un filtro de masa de plasma para separar partículas de masa baja de partículas de masa alta en un plasma multiespecie, el filtro comprende una pared de forma cilíndrica que rodea una cámara hueca. Se monta un imán sobre la pared para generar un campo magnético que se alinea básicamente en paralelo con el eje longitudinal de la cámara. También se genera un campo eléctrico que es básicamente perpendicular al campo magnético y que, junto con el campo magnético, crea campos magnéticos y eléctricos cruzados en la cámara. Es importante que el campo eléctrico tenga un potencial positivo sobre el eje con relación a la pared que sea habitualmente un potencial cero. Cuando se inyecta plasma multiespecie…
SISTEMA DE PLASMA A PRESION ATMOSFERICA.
(16/12/2004) Un sistema de plasma de tratamiento atmosférico (APP) del tipo de equilibrio no térmico que comprende: electrodos que forman una región de plasma montada en un alojamiento de recinto hermético a gases que tiene un montaje de boca de entrada y un montaje de boca de salida abiertos a la atmósfera, un gas de tratamiento precursor de aire no ambiente que tiene una densidad relativa mayor o menor que el aire ambiente a la misma presión y temperatura y medios para mover piezas de trabajo entre los electrodos desde el montaje de boca de entrada hasta el montaje de boca de salida, caracterizado porque cada boca de montaje comprende un alojamiento cerrado alargado que tiene una abertura de boca de pieza de trabajo que conecta el alojamiento con el exterior del alojamiento de recinto y una abertura…
DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO DE GAS MEDIANTE PLASMA.
(01/12/2004) Dispositivo de tratamiento de gas mediante plasma particularmente mantenido por microondas, del tipo que comprende una estructura hueca que forma guía ondas destinada para ser conectada a un generador de microondas, y medios para hacer circular el gas a tratar a través de la indicada estructura en una zona en la cual la amplitud del campo eléctrico asociado con la onda incidente es elevada y de preferencia máxima, caracterizado porque los medios para hacer circular el gas comprenden al menos una antorcha de plasma para la producción, a la salida de esta última, de un plasma en el gas a tratar, comprendiendo la antorcha un inyector de material conductor eléctrico montado en una primera gran superficie (33A) de la estructura que forma guía ondas y que se extiende en saliente a…
METODO Y APARATO PARA EL TRATAMIENTO SECUENCIAL POR PLASMA.
(16/06/2004) Método para el tratamiento por plasma de un sustrato hueco , que comprende las etapas siguientes: a) situar una pluralidad de fuentes de ionización de energía (7 a 10; 107 a 112) todas ellas a lo largo de la parte del sustrato que se va a tratar, b) inyectar un gas de proceso en el interior del sustrato, conteniendo dicho gas un precursor para la creación de plasma, y c) mantener la presión en el interior del tubo dentro de un rango predeterminado, caracterizado porque comprende además la etapa de: d) energizar a partir de una única fuente de energía de frecuencia de radio las fuentes de ionización de energía, en secuencia, para crear…
DISPOSICION DE ELECTRODOS.
(16/06/2004). Solicitante/s: APPLIED FILMS GMBH & CO. KG. Inventor/es: GEBELE, THOMAS, HENRICH, JURGEN, BANGERT, STEFAN, BUDKE, ELISABETH, DR., GRIMM, HELMUT, DR., HONEKAMP, JURGEN, ULRICH, JURGEN.
Disposición de electrodos para el recubrimiento con un plasma de un substrato con una capa de material, que comprende al menos un primer y un segundo componente del material, al mismo tiempo, que para generar una descarga de plasma, en especial una descarga de arco, se prevén una disposición de ánodo, que suministra el primer componente del material en un superficie de material de ánodo para su vaporización y una disposición de cátodo, que suministra el segundo componente de material en una superficie del material de cátodo, caracterizada porque la superficie del material de cátodo está formada por una parte con actividad de vaporización, que sustenta la descarga de plasma, y por una parte sin actividad de vaporización, que no sustenta la descarga de plasma.
CAMARA DE TRATAMIENTO POR PLASMA Y DISPOSITIVO QUE UTILIZA DICHA CAMARA DE TRATAMIENTO.
(01/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: EUROPEAN COMMUNITY. Inventor/es: COLPO, PASCAL, ROSSI, FRANCOIS, ERNST, ROLAND, DAVIET, JEAN-FRANCOIS.
LA CAMARA DE PROCESO PARA UN APARATO DE DEPOSICION AUMENTADA DE VAPORES QUIMICOS ES DEL TIPO ADAPTADO PARA RECIBIR ENERGIA ELECTROMAGNETICA POR ACOPLAMIENTO INDUCTIVO DESDE UN INDUCTOR EXTERIOR CONECTADO A UNA FUENTE DE CA , PARA AUMENTAR O SOSTENER UN PLASMA. DENTRO DE LA CAMARA DE PROCESO, SE PROPORCIONAN UNOS MEDIOS CONDUCTORES , DISPUESTOS A UNA DISTANCIA PREDETERMINADA (D) DE LA SUPERFICIE INTERIOR DE AL MENOS PARTE DE SUS PORCIONES DE PARED ENVOLVENTE, DE MANERA QUE INHIBA EL REVESTIMIENTO DE MATERIAL DE DEPOSICION DE VAPOR SOBRE ESTA SUPERFICIE DE PARED INTERNA. LOS MEDIOS CONDUCTORES PUEDEN ADOPTAR LA FORMA DE UNA ESTRUCTURA CONDUCTORA QUE TIENE UNA SUPERFICIE EXTERIOR QUE SIGUE UN CONTORNO DE AL MENOS PARTE DE LAS PORCIONES DE PARED QUE FORMAN LA CAMARA DE PROCESO. LA ESTRUCTURA CONDUCTORA PUEDE COMPRENDER ABERTURAS PARA FACILITAR EL PASO DE ENERGIA ELECTROMAGNETICA AL INTERIOR DE LA CAMARA DE PROCESO.
METODO Y APARATO PARA CONTROLAR IMPEDANCIAS REACTIVAS DE UNA RED DE ADAPTACION CONECTADA ENTRE UNA FUENTE R.F. Y UN PROCESADOR DE PLAMA R.F.
(01/04/2004) UN CAMPO R.F. ES PROPORCIONADO POR UN ELEMENTO DE IMPEDANCIA REACTIVA A UN PLASMA EN UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA EN VACIO. EL ELEMENTO Y LA FUENTE ESTAN CONECTADOS MEDIANTE UNA RED DE ADAPTACION, QUE INCLUYE UNA PRIMERA Y SEGUNDA REACTANCIAS VARIABLES QUE CONTROLAN LA CARGA DE LA FUENTE Y LA SINTONIZACION DE UNA CARGA, INCLUIDO EL ELEMENTO DE IMPEDANCIA REACTIVA Y EL PLASMA, A LA FUENTE. LOS VALORES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA REACTANCIAS VARIABLES SON MODIFICADOS PARA DETERMINAR EN QUE MEDIDA VA A CAMBIAR LA PRIMERA REACTANCIA VARIABLE PARA CADA CAMBIO DE UNIDAD DE LA SEGUNDA REACTANCIA VARIABLE, CON EL FIN DE CONSEGUIR LA MEJOR ADAPTACION ENTRE LAS IMPEDANCIAS QUE SE OBSERVA QUE ESTAN ORIENTADAS HACIA DENTRO Y HACIA FUERA DE LOS TERMINALES DE SALIDA DE LA FUENTE DE R.F.. A CONTINUACION, LOS…
DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON PLASMA DE MICROONDAS.
(01/04/2004) Dispositivo para el tratamiento superficial de un recipiente, del tipo en el que el tratamiento se realiza por medio de un plasma a baja presión por excitación de un fluido reactivo, merced a ondas electromagnéticas de tipo de microondas, y del tipo en el que el recipiente está colocado en un recinto de material conductor, en cuyo interior se introducen las microondas por intermedio de un dispositivo de acoplamiento, caracterizado porque el recinto es cilíndrico de revolución, alrededor de un eje principal (A1) del recipiente , porque el dispositivo de acoplamiento comprende un túnel para el guiado de las ondas que se…
APARATO DE PROCESAMIENTO DE PLASMA CON PARED CONDUCTORA ELECTRICA.
(01/01/2004) Aparato para procesamiento de plasma, que comprende: una cámara de plasma que comprende una pared eléctricamente conductora , en el que dicha pared eléctricamente conductora presenta una o mas aberturas para interrumpir un trayecto de corriente en dicha pared cuando se suministra energía electromagnética al interior de la cámara desde el exterior de la cámara, medios electromagnéticos externos para suministrar energía electromagnética al interior de dicha cámara de plasma a través de dicha pared eléctricamente conductora para crear un plasma en el interior de la cámara, y medios de sellado para sellar dicha por lo menos una abertura, caracterizado porque dichos medios de sellado comprenden uno o mas elementos de cerramiento eléctricamente conductores , y porque cada abertura esta sellada con uno de dichos elementos de cerramiento…
DISPOSITIVO DE DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR QUE UTILIZA UN PLASMA.
(16/12/2003) SE DESCRIBE UN APARTO PARA DEPOSITAR VAPOR QUIMICO DE PLASMA A FIN DE FORMAR UNA PELICULA DELGADA AMORFA, UNA PELICULA DELGADA MICROCRISTALINA O UNA PELICULA DELGADA POLICRISTALINA SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO DE ANTICATODO UTILIZANDO UNA DESCARGA LUMINISCENTE GENERADA POR UNA ENERGIA ELECTRICA SUMINISTRADA DE UNA FUENTE DE ENERGIA, QUE COMPRENDE UN DEPOSITO DE REACCION MEDIOS PARA SUMINISTRAR UN GAS REACTANTE AL INTERIOR DEL DEPOSITO DE REACCION , MEDIOS DE DESCARGA PARA DESCARGAR UN GAS RESIDUAL DEL GAS REACTANTE FUERA DEL DEPOSITO DE REACCION , UN ELECTRODO EN FORMA DE ESCALA PARA LA GENERACION DE DESCARGAS DISPUESTO DENTRO DEL DEPOSITO DE REACCION , UNA FUENTE DE ALIMENTACION PARA SUMINISTRAR UNA ENERGIA…
APARATO PARA PRODUCIR UN PLASMA INDUCTIVO EXTENSO PARA EL PROCESAMIENTO POR PLASMA.
(16/10/2003) EL APARATO GENERA UN CAMPO MAGNETICO QUE VARIA CON EL TIEMPO, A TRAVES DE UNA VENTANA DE ADMISION DE CAMPO DE LA CAMARA DE PROCESO DE PLASMA , PARA CREAR O SOSTENER UN PLASMA DENTRO DE LA CAMARA POR ACOPLAMIENTO INDUCTIVO. COMPRENDE: - UN NUCLEO MAGNETICO QUE PRESENTA UNA ESTRUCTURA DE FRENTE DE POLO UNIPOLAR (26A; 260A) ADAPTADA PARA SER APLICADA CONTRA LA VENTANA O CERCA DE LA MISMA, Y QUE TIENE UNA ZONA DE EMISION DE CAMPO ACTIVA CUYO TAMAÑO Y FORMA COINCIDEN SUSTANCIALMENTE CON LA VENTANA DE ADMISION DE CAMPO, Y - UN MEDIO INDUCTOR ASOCIADO AL NUCLEO MAGNETICO, PARA GENERAR UN CAMPO MAGNETICO, VARIABLE EN EL TIEMPO Y DISTRIBUIDO DE MANERA PRACTICAMENTE UNIFORME…
VENTANA RESISTENTE AL ATAQUE Y A LA ALTA PULVERIZACION CATODICA PARA CAMARAS DE PROCESO POR PLASMA.
(01/04/2003). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: HOWALD, ARTHUR, M., CHEN, ANTHONY, L., SCHOEPP, ALAN, M.
Una ventana para una cámara de proceso por plasma, que comprende: una primera parte dieléctrica que tiene un primer grosor eléctrico y una primera resistividad respecto a un plasma ácido de grabado que está formada dentro de dicha cámara de proceso por plasma; y una segunda parte dieléctrica dispuesta dentro de dicha primera parte dieléctrica, teniendo dicha segunda parte dieléctrica un segundo grosor eléctrico que es menor que dicho primer grosor eléctrico, estando formada dicha segunda parte dieléctrica de un material sustancialmente transparente y que tiene una segunda resistividad respecto a dicho plasma ácido de grabado, siendo dicha segunda resistividad mayor que dicha primera resistividad.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE REVESTIMIENTO POR PVD.
(01/04/2003) La invención se refiere a un procedimiento para revestir PVD y a un dispositivo con una cámara para revestir PVD, en el cual están dispuestos al menos un cátodo blanco , al menos un ánodo y al menos un soporte de sustrato que se destina para soportar al menos un sustrato , y con un dispositivo de control que entrega una primera tensión con el fin de suministrar al cátodo blanco un potencial eléctrico negativo con relación al ánodo con el fin de formar un plasma (P) en el cual está dispuesto el sustrato y el cual entrega una segunda tensión con el fin de suministrar al ánodo un potencial eléctrico positivo con relación a la pared de la cámara . En este dispositivo de revestimiento por pulverización iónica, la fracción iónica del material blanco…
CONJUNTO DE ANILLO DE ENFOQUE PARA ELIMINAR SUSTANCIALMENTE EL PLASMA LIBRE EN UNA CAMARA DE TRATAMIENTO CON PLASMA.
(16/03/2003). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LENZ, ERIC, H.
Un conjunto de anillo de enfoque configurado para rodear substancialmente un plato portapiezas de una cámara de tratamiento con plasma, el cual incluye: un cuerpo dieléctrico anular; y una coraza conductora de la electricidad que rodea a dicho cuerpo dieléctrico anular, estando configurada dicha coraza conductora de la electricidad para que quede eléctricamente puesta a tierra en el interior de dicha cámara de tratamiento con plasma, incluyendo dicha coraza conductora de la electricidad: una parte tubular que está situada fuera de dicho cuerpo dieléctrico anular y rodeando al menos una parte de dicho cuerpo dieléctrico anular, caracterizado por una parte de collarín orientada hacia dentro que está en contacto eléctrico con dicha parte tubular, formando dicha parte de collarín un plano que corta a dicha parte tubular, estando dicha parte de collarín embebida en dicho cuerpo dieléctrico anular.
