CIP-2021 : H01L 23/552 : Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

CIP-2021HH01H01LH01L 23/00H01L 23/552[1] › Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/552 · Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.

(05/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.

En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.

(03/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.

Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo. En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tienen forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.

PDF original: ES-2745740_B2.pdf

PDF original: ES-2745740_A1.pdf

Flip chip que emplea un filtro de cavidad integrado y componentes, sistemas y procedimientos relacionados.

(18/09/2019) Un circuito integrado, CI, de flip chip que comprende: un troquel semiconductor , que comprende: al menos una capa semiconductora ; una pluralidad de capas metálicas para proporcionar interconexiones a la al menos una capa semiconductora; una capa de apertura que comprende una apertura de transmisión de señal de entrada configurada para pasar una señal de entrada de radiofrecuencia (RF) a través de la misma, y una apertura de transmisión de señal de salida configurada para pasar una señal de RF de salida ) a través de la misma; y al menos una capa de interconexión posterior de final de línea dispuesta entre la al menos una capa semiconductora y la capa de apertura, la al menos una capa de interconexión…

Paquete microelectrónico multicapa con apantallamiento interno.

(31/07/2019) Paquete microelectrónico multicapa, del tipo que comprende - un piso superior que comprenden su cara inferior al menos un circuito impreso microelectrónico, - un piso inferior que comprende en su cara superior al menos un circuito impreso microelectrónico, - una estructura intermedia tubular que separa el piso superior del piso inferior cuya sección posee dimensiones adaptadas a las dimensiones de los planos inferior y superior, la estructura intermedia que es una estructura unitaria, realizada de una sola pieza del mismo material orgánico que los circuitos impresos de los piso superior e inferior, independiente de los pisos inferior y superior, colocada en el piso inferior y que soporta el piso superior, la estructura intermedia que está realizada de manera que forma dos…

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación.

(01/05/2019) Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar un sustrato que tiene una superficie de montaje que comprende un primer área para alojar al menos un componente electrónico; e implementar la estructura de protección eléctrica, incluyendo la estructura de protección eléctrica uno o más proyecciones eléctricamente conductoras sobre el sustrato, la una o más proyecciones eléctricamente conductoras que se extienden en forma transversal a la superficie de montaje del sustrato; la una o más proyecciones eléctricamente conductoras incluyen una o más estructuras tipo pared; la una o más estructuras tipo pared son alargadas paralelas a la superficie de montaje; en el que: la una o más proyecciones eléctricamente…

Aparato de medición de posición absoluta.

(15/03/2019) Aparato de medición de posición absoluta, que comprende • un primer subconjunto , con una medida materializada , en la que está dispuesta al menos una pista de código, y una unidad de exploración, con la que, mediante una exploración de la o las pistas de código en una dirección (X) de medición, pueden generarse señales (S) de posición a partir de las cuales puede generarse un valor digital absoluto (P) de posición, y • un segundo subconjunto , con al menos una unidad periférica , configurada para ejecutar una función adicional o auxiliar del aparato de medición de posición, así como con una interfaz digital de aparato, para la comunicación con una unidad de mando, en donde el primer subconjunto y el segundo subconjunto…

Aleación de soldadura sin plomo basada en Sn-Cu-Al-Ti.

(28/02/2019). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: OHNISHI, TSUKASA, YOSHIKAWA,SHUNSAKU, ISHIBASHI,SEIKO, FUJIMAKI,REI.

Una aleación de soldadura sin plomo que tiene una composición de aleación que consiste en: del 0,6 al 0,9% en peso de Cu, del 0,02 al 0,07% en peso de Al, del 0,02 al 0,1% en peso de Ti, opcionalmente del 0,01 al 0,05% en peso de Co y un resto de Sn.

PDF original: ES-2702240_T3.pdf

Método y aparato para blindar un circuito integrado de la radiación.

(28/03/2018) Un dispositivo de circuito integrado con blindaje contra radiación, que comprende: una base ; una primera cuba de blindaje contra rayos X que comprende una porción inferior y una pared lateral, estando dicha primera cuba de blindaje contra rayos X acoplada a un primer lado de la base , estando una matriz de circuitos integrados dentro y acoplada a la primera cuba de blindaje contra rayos X , extendiéndose la pared lateral por encima de la matriz ; una segunda cuba de blindaje contra rayos X que comprende una parte inferior y una pared lateral, estando dicha segunda cuba de blindaje contra rayos X acoplada al lado opuesto de la base , estando una matriz de circuitos integrados…

Estructura de encapsulado de componente electrónico y dispositivo electrónico.

(01/03/2017) Una estructura de encapsulado de componente electrónico, donde la estructura de encapsulado de componente electrónico comprende al menos un sustrato , una tapa conductora y un adhesivo no conductor , en la que: el sustrato tiene un área de acoplamiento fijada para acoplarse a un componente electrónico; la tapa conductora tiene una parte superior y una pared lateral que se extiende hacia el sustrato , donde un lado de la pared lateral cercano al sustrato tiene un extremo de unión , donde el extremo de unión une la tapa conductora al sustrato mediante el adhesivo no conductor , y la tapa conductora unida al sustrato encierra el área de acoplamiento y forma un espacio…

Método y aparato para blindar un circuito integrado de la radiación.

(04/05/2016). Solicitante/s: MAXWELL TECHNOLOGIES, INC.. Inventor/es: LONGDEN,LARRY L, PATTERSON,JANET.

Un método para blindar un dispositivo de circuito integrado de una radiación, que comprende: formar una cavidad en una base , formar un canal en la base, dicho canal rodeando dicha cavidad, formar una capa de revestimiento de blindaje de radiación en la parte inferior de la cavidad en la base, formar una capa de revestimiento de blindaje de radiación lateral llenando el canal, acoplar el dispositivo de circuito integrado a la capa de revestimiento de blindaje de radiación, y acoplar una parte superior de blindaje de radiación a la parte superior de la base; en el que dicha capa de revestimiento de blindaje de radiación, dicha capa de revestimiento de blindaje de radiación lateral y dicha parte superior de blindaje de radiación blindan cada una el dispositivo de circuito integrado de los rayos X, de tal manera que no hay ningún ángulo de línea de visión con el que los rayos X puedan alcanzar el dispositivo de circuito integrado.

PDF original: ES-2586036_T3.pdf

Ventilador radial con una carcasa auxiliar protegida electromagnéticamente para la electrónica de mando.

(04/03/2015) Ventilador comprendiendo una carcasa de ventilador , una rueda de ventilador dispuesta de manera giratoria en el interior de la carcasa de ventilador , un motor eléctrico destinado para el accionamiento rotacional de la rueda de ventilador , así como una carcasa auxiliar con forma de cuenco, dispuesta en el exterior de la carcasa del ventilador , en el cual la carcasa auxiliar contiene una electrónica de mando de motor , caracterizado por el hecho de que la carcasa auxiliar presenta, en su zona de conexión orientada hacia la carcasa del ventilador , un elemento de recubrimiento metálico que cubre la electrónica de mando del motor y protege contra una radiación electromagnética que proviene del motor eléctrico , en el que el elemento de recubrimiento presenta al menos…

Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras.

(27/04/2012) Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras, en el que los componentes semiconductores electrónicos y optoelectrónicos están dispuestos en una primera región de banda conductora conectada a tierra y están rodeados por una carcasa de un plástico termoplástico o termoestable, en el que una segunda región de banda conductora conectada igualmente a tierra está plegada alrededor de la carcasa , de forma que apantalla a los componentes semiconductores de radiaciones parásitas electromagnéticas, en el que la segunda región de banda conductora está conectada a la primera región de banda conductora , y en el que la segunda región de banda conductora sobresale de la carcasa , caracterizado porque la segunda región de banda conductora…

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