Flip chip que emplea un filtro de cavidad integrado y componentes, sistemas y procedimientos relacionados.
Un circuito integrado, CI, de flip chip que comprende:
un troquel semiconductor (5 14),
que comprende:
al menos una capa semiconductora (22);
una pluralidad de capas metálicas (24) para proporcionar interconexiones a la al menos una capa semiconductora;
una capa de apertura (26) que comprende una apertura de transmisión de señal de entrada (30) configurada para pasar una señal de entrada de radiofrecuencia (RF) (38) a través de la misma, y una apertura de transmisión de señal de salida (32) configurada para pasar una señal de RF de salida (42)) a través de la misma; y
al menos una capa de interconexión posterior de final de línea (28) dispuesta entre la al menos una capa semiconductora y la capa de apertura, la al menos una capa de interconexión posterior de final de línea, que comprende:
una línea de transmisión de entrada (36) configurada para transmitir la señal de RF de entrada a través de la apertura de transmisión de señal de entrada; y
una línea de transmisión de salida (40) configurada para recibir la señal de RF de salida a través de la apertura de transmisión de señal de salida; y
una pluralidad de protuberancias conductoras (16) interconectadas a al menos una de entre la pluralidad de capas metálicas (24), la pluralidad de protuberancias conductoras y la capa de apertura que definen una cavidad interior del resonador (34);
la cavidad del resonador interior configurada para recibir la señal de RF de entrada desde la línea de transmisión de entrada a través de la apertura de transmisión de señal de entrada, hacer resonar la señal de RF de entrada para generar la señal de RF de salida que comprende una señal de RF filtrada de la señal de RF de entrada y acoplar la señal de RF de salida en la línea de transmisión de salida a través de la apertura de transmisión de señal de salida.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/049440.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: LEE,JOHN JONG-HOON, SONG,YOUNG KYU, JOW,UEI-MING, CHOI,SANGJO, ZHANG,XIAONAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/552 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.
- H01P7/06 H01 […] › H01P GUIAS DE ONDAS; RESONADORES, LINEAS, U OTROS DISPOSITIVOS DEL TIPO DE GUIA DE ONDAS (que funcionan con frecuencias ópticas G02B). › H01P 7/00 Resonadores del tipo guía de ondas. › Resonadores con cavidad.
PDF original: ES-2763034_T3.pdf
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