Método y aparato para blindar un circuito integrado de la radiación.

Un dispositivo de circuito integrado con blindaje contra radiación,

que comprende:

una base (220);

una primera cuba de blindaje contra rayos X (210) que comprende una porción inferior y una pared lateral, estando dicha primera cuba de blindaje contra rayos X acoplada a un primer lado de la base (220), estando una matriz de circuitos integrados (206) dentro y acoplada a la primera cuba de blindaje contra rayos X (210), extendiéndose la pared lateral por encima de la matriz (206);

una segunda cuba de blindaje contra rayos X (212) que comprende una parte inferior y una pared lateral, estando dicha segunda cuba de blindaje contra rayos X acoplada al lado opuesto de la base (220), estando una matriz de circuitos integrados (208) adicional dentro y acoplada a la segunda cuba de blindaje contra rayos X (212), extendiéndose la pared lateral por encima de la matriz de circuitos integrados (208) adicional;

una primera tapa de blindaje contra radiación (202) que blinda contra los rayos X y la radiación ionizante acoplada a la base (220), estando dichas primera tapa de blindaje contra radiación (202) y primera cuba de blindaje contra rayos X (210) situadas de tal manera que, con dicha pared lateral, no hay ninguna línea de ángulo de visión en la que los rayos X podrían alcanzar la matriz de circuitos integrados (206) y la matriz de circuitos integrados (206) está blindada contra los rayos X desde todos los ángulos;

una segunda tapa de blindaje contra radiación (204) que blinda contra los rayos X y la radiación ionizante acoplada a la base (220), estando dichas segunda tapa de blindaje contra radiación (204) y segunda cuba de blindaje contra rayos X (212) situadas de tal manera que, con dicha pared lateral, no hay ninguna línea de ángulo de visión en la que los rayos X podría llegar a la matriz de circuitos integrados (208) adicional y la matriz de circuitos integrados (208) adicional está blindada contra los rayos X desde todos los ángulos;

en donde la primera y la segunda tapas de blindaje contra radiación (202, 204) blindan la matriz de circuitos integrados (206) y la matriz de circuitos integrados (208) adicional contra las radiaciones ionizantes que superan las tolerancias de dosis totales de la matriz de circuitos integrados (206) y de la matriz de circuitos integrados (208) adicional y

la primera cuba de blindaje contra rayos X (210) y la segunda cuba de blindaje contra rayos X (212) son más finas de lo requerido para blindar la matriz de circuitos integrados (206) y la matriz de circuitos integrados (208) adicional frente las radiaciones ionizantes que superan las tolerancias de dosis totales de la matriz de circuitos integrados (206) y de la matriz de circuitos integrados (208) adicional, y

la primera y la segunda cubas de blindaje contra rayos X (210, 212) y la primera y la segunda tapas de blindaje contra radiaciones (202, 204) blindan la matriz de circuitos integrados (206) y la matriz de circuitos integrados (208) adicional, respectivamente, contra los rayos X que superan la tolerancia de dosis total y la tolerancia de la tasa de dosis de la matriz respectiva.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2003/030245.

Solicitante: Data Device Corporation.

Inventor/es: LONGDEN,LARRY L, PATTERSON,JANET.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/49 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › del tipo alambres de conexión.
  • H01L23/552 H01L 23/00 […] › Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

PDF original: ES-2674344_T3.pdf

 

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