Paquete microelectrónico multicapa con apantallamiento interno.

Paquete (10) microelectrónico multicapa, del tipo que comprende

- un piso (11) superior que comprenden su cara inferior al menos un circuito (15) impreso microelectrónico,



- un piso (13) inferior que comprende en su cara superior al menos un circuito (112) impreso microelectrónico,

- una estructura (12) intermedia tubular que separa el piso superior del piso inferior cuya sección posee dimensiones adaptadas a las dimensiones de los planos inferior y superior,

la estructura intermedia que es una estructura unitaria, realizada de una sola pieza del mismo material orgánico que los circuitos impresos de los piso superior e inferior, independiente de los pisos inferior y superior, colocada en el piso (13) inferior y que soporta el piso (11) superior, la estructura intermedia que está realizada de manera que forma dos cavidades (22, 23) separadas por un tabique (21) horizontal que permite aislar de manera recíproca un piso de las radiaciones electromagnéticas producidas por el otro piso;

las paredes de dichas cavidades que son metalizadas; dicho paquete que está caracterizado porque la cara superior y la cara inferior de la estructura (12) intermedia, así como las zonas periféricas de los circuitos impresos de los piso superior e inferior en contacto con estas caras son enteramente metalizadas, con la excepción de zonas de ahorro situadas alrededor de zonas de conexión, estas metalizaciones que permiten el montaje de estos tres elementos de manera que forman un paquete estanco.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E05109904.

Solicitante: THALES.

Inventor/es: RANANJASON,VALÉRIE, BARBIER,THIERRRY, PREDON,ERIC, NADAL,GHYSLAIN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/552 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.
  • H01L25/065 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00.

PDF original: ES-2749398_T3.pdf

 

Paquete microelectrónico multicapa con apantallamiento interno.
Paquete microelectrónico multicapa con apantallamiento interno.

Patentes similares o relacionadas:

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO, del 5 de Marzo de 2020, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método […]

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO, del 3 de Marzo de 2020, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo. En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), […]

Flip chip que emplea un filtro de cavidad integrado y componentes, sistemas y procedimientos relacionados, del 18 de Septiembre de 2019, de QUALCOMM INCORPORATED: Un circuito integrado, CI, de flip chip que comprende: un troquel semiconductor , que comprende: al menos una capa semiconductora […]

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación, del 1 de Mayo de 2019, de Thales Solutions Asia Pte Ltd: Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar […]

Aparato de medición de posición absoluta, del 15 de Marzo de 2019, de DR. JOHANNES HEIDENHAIN GMBH: Aparato de medición de posición absoluta, que comprende • un primer subconjunto , con una medida materializada , en […]

Aleación de soldadura sin plomo basada en Sn-Cu-Al-Ti, del 28 de Febrero de 2019, de SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.: Una aleación de soldadura sin plomo que tiene una composición de aleación que consiste en: del 0,6 al 0,9% en peso de Cu, del 0,02 al 0,07% en […]

Método y aparato para blindar un circuito integrado de la radiación, del 28 de Marzo de 2018, de Data Device Corporation: Un dispositivo de circuito integrado con blindaje contra radiación, que comprende: una base ; una primera cuba de blindaje contra rayos X que […]

Imagen de 'DISPOSITIVO ELECTRICO APANTALLADO Y PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR…'DISPOSITIVO ELECTRICO APANTALLADO Y PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR EL MISMO, del 16 de Marzo de 2008, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: Dispositivo eléctrico protegido que presenta por lo menos un subconjunto eléctrico que se va a proteger, presentando el dispositivo eléctrico una […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .