(01/12/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: LOPEZ RODRIGUEZ,ANGEL. Inventor/es: LOPEZ RODRIGUEZ,ANGEL.

Filamento fotovoltaico y su proceso de fabricación.#Es capaz de generar energía fotovoltaica mediante radiación solar, incidente sobre su superficie. Presenta una estructura de hilo multicapa con determinadas longitud y sección, y provisto de terminales toma-corriente para la extracción y conducción de la corriente producida por la conversión fotovoltaica de la radiación. La realización preferente del filamento cuenta con cuatro zonas coaxiales consistentes en: un núcleo conductor metálico/polimérico, una capa semiconductora o de conversión fotovoltaica , una capa metálica, polimérica, conductora de la electricidad y transparente a la radiación solar y un recubrimiento de polímero transparente con características ópticas adecuadas para concentrar y atrapar la radiación solar hacia la capa de conversión fotovoltaica.

(16/06/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SEVILLA. Inventor/es: LILLO BRAVO,ISIDORO, RUIZ HERNANDEZ,VALERIANO.

Módulo fotovoltaico refrigerador pasivo y autoportante.#La presente invención tiene por objeto un módulo fotovoltaico constituido por un encapsulante que se sitúa en la parte posterior de las células que es refrigerador pasivo y autoportante. El material utilizado como encapsulante posterior del módulo fotovoltaico es aluminio sometido a un proceso de oxidación electrolítica, consiguiendo que el aluminio no sea conductor eléctrico manteniendo la suficiente transmitancia térmica. La presente invención se aplica a la mejora de la eficiencia de los dispositivos de producción de energía eléctrica mediante células fotovoltaicas, permitiendo ampliar el uso de las células comerciales de silicio monocristalino y policristalino a dispositivos que realizan concentración de la radiación solar, así como a la integración arquitectónica.

(16/07/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Inventor/es: MARTINEZ SANTOS,VICTOR, JIMENO CUESTA,JUAN CARLOS, GUTIERREZ SERRANO,RUBEN, RECART BARAANO,FEDERICO, BUENO MENDIETA,GORKA, HERNANDO BRIONGOS,FERNANDO, URIARTE DEL RIO,SUSANA, SAENZ NOVALES,MARIA JOSE, IKARAN SALEGI,CARMEN, RODRIGUEZ CUESTA,VELIA, LAGO AURRECOECHEA,ROSA, PEREZ MANZANO,LOURDES, FREIRE VELASCO,IRATXE.

Estructura de célula solar con contactos posteriores y colección de corriente por efecto transistor y procedimiento para su fabricación.#La estructura de célula solar está compuesta por un substrato base, una cara frontal sobre la cual incide la luz y una cara posterior en la que se disponen todos los contactos eléctricos y que colecta los portadores fotogenerados en su cara frontal. El substrato base presenta zonas adelgazadas o de espesor reducido en las cuales se constituyen transistores bipolares que transportan los portadores fotogenerados en su cara frontal hasta la cara posterior. Cuando los substratos son de tipo p, los transistores bipolares son npn mientras que cuando los substratos son de tipo n los transistores bipolares son pnp. Estas estructuras se pueden fabricar por métodos industriales compatible con técnicas serigráficas.

(16/05/2007). Solicitante/s: UNIVERSITE DE NEUCHATEL. Inventor/es: MEIER, JOHANNES, KROLL, ULRICH.

Procedimiento de depósito de una capa de óxido semiconductor transparente sobre un sustrato dispuesto en el interior de un recinto , caracterizado porque consiste: - disponer de fuentes que contienen respectivamente un compuesto líquido a base de oxígeno, un compuesto líquido de metal destinado a formar el óxido, y un dopante en forma gaseosa o líquida, - en establecer en dicho recinto una temperatura comprendida entre 130 y 300ºC y una presión comprendida entre 0, 01 a 2 milibares, y después - poner dichas fuentes en comunicación con dicho recinto, lo que tiene por efecto vaporizar dichos líquidos en su superficie, aspirarlos en el recinto sin tener que utilizar un gas portador, y hacerlos reaccionar allí con el dopante de modo que se forme sobre el sustrato dicha capa de óxido.

(01/04/2007). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN, MUNZER, ADOLF, SCHMIDT, HANS-JOSEF, DR.

PARA LA ELABORACION DE CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA A BASE DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POLI O MONOCRISTALINO, SE PROPONE QUE LOS CONTACTOS DE LA CARA POSTERIOR ESTEN IMPRIMIDOS CON UNA PASTA QUE CONTIENE METAL Y LOS CONTACTOS DE LA CARA DELANTERA ESTEN FINAMENTE ESTRUCTURADOS MEDIANTE DEPOSITOS QUIMICOS. MEDIANTE LA UTILIZACION DE UNA SOLUCION DE GERMINACION IONOGENICA, ES POSIBLE GENERAR UNA METALIZACION ESPECIFICA EXCLUSIVAMENTE EN ABERTURAS U HOYOS EN LA CARA FRONTAL, EN DONDE LAS CAPAS DE PASIVACION QUE CUBRE LA CAPA SEMICONDUCTORA HAN SIDO ELIMINADAS. MEDIANTE DEPOSITO QUIMICO DE AL MENOS OTRO METAL O DE LA CAPA DE GERMINACION QUE HA SIDO PRIMERAMENTE GENERADA, EL CONTACTO DE LA CARA FRONTAL ESTA REFORZADO DE FORMA QUIMICA O GALVANICA.

(01/03/2007). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C..

EL GROSOR DE LAS CAPAS INTRINSECAS (20A,20B,20C) DE LAS CELULAS (18A,18B,18C), QUE COMPRENDEN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO EN SERIE , SON SELECCIONADAS DE MANERA QUE LA CELULA TIENE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DE MAYOR CALIDAD QUE PRODUCE LA FOTOCORRIENTE MAS PEQUEÑA. ESA CELULA SERA ENTONCES LA CELULA DOMINANTE EN EL DISPOSITIVO EN SERIE, Y SUS PROPIEDADES MATERIALES CONTRIBUIRAN DE MANERA DESPROPORCIONADA A LAS PROPIEDADES TOTALES DEL DISPOSITIVO EN SERIE.

(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ISOFOTON, S.A. Inventor/es: ALONSO REVIEJO,JESUS, DIAZ LUQUE,VICENTE, ALVAREZ RICO,JOSE LUIS, MATEO OSORIO,CARLOS.

Módulo fotovoltaico de concentración y procedimiento de ensamblaje entre módulos. Módulo fotovoltaico de concentración basado en células solares de compuestos semiconductores III-V y un sistema óptico, que realiza la función de concentrar la luz sobre la célula solar, compuesto por dos lentes denominadas POE y SOE , todo ello alojado sobre un substrato o panel (5 ó 5'). La fabricación del módulo se realiza siguiendo una serie de etapas como son el pegado de la célula solar al substrato, la conexión del contacto frontal al exterior, el pegado de la lente SOE al substrato, llenado de la lente SOE con un encapsulante y ensamblaje final del módulo. El encapsulado de célula y SOE se realiza mediante la opción de leadframe o bien por medio de PCB's mejoradas térmicamente. La sujeción de las lentes POE se hace bien adhiriendo las lentes al cristal con adhesivo elastómero transparente, o bien mediante una pieza de sujeción del POE al panel trasero.

(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, METZ, AXEL.

SE PROPONE UNA CELULA SOLAR CON POR LO MENOS UNA SUPERFICIE SEMICONDUCTORA QUE LLEVA FORMADOS UNAS ARISTAS SEGUIDAS DE UNA ZONA A MODO DE FLANCO QUE VA ESENCIALMENTE PARALELO A LA PERPENDICULAR AL SUSTRATO, Y SOBRE LA CUAL ESTAN SITUADOS LOS CONTACTOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES. CON EL FIN DE PODER FABRICAR CON UNA TECNOLOGIA SENCILLA UNAS CELULAS SOLARES DE ALTO GRADO DE RENDIMIENTO SE APLICA MATERIAL ELECTRICAMENTE CONDUCTOR, UNA VEZ FORMADAS LAS ZONAS DE LOS FLANCOS, SOBRE LAS ZONAS A MODO DE FLANCOS Y TAMBIEN SOBRE UNA PARTE DE LAS ZONAS QUE NO FORMAN FLANCOS. A CONTINUACION SE ELIMINA EL MATERIAL ELECTRICAMENTE CONDUCTOR SIN MASCARAS Y DE FORMA SELECTIVA DE LAS ZONAS QUE NO FORMAN FLANCOS, DE MANERA QUE LOS CONTACTOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES SE MANTIENEN EXCLUSIVAMENTE EN LAS ZONAS A MODO DE FLANCOS.

(16/05/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: KANEKA CORPORATION. Inventor/es: HAYASHI, KATSUHIKO, KONDO, MASATAKA.

Un método para eliminar cortocircuitos en un elemento de célula solar compuesto por una primera (2b) y una segunda (4b) capas de electrodo y una capa semiconductora (3b) para la conversión fotoeléctrica dispuesta entre las primera (2b) y segunda (4b) capas de electrodo, donde dicho método incluye la aplicación de una tensión alterna a través de las primera (2b) y segunda (4b) capas de electrodo, tensión alterna que contiene un componente inverso en un sentido inverso y un componente directo en un sentido directo, siendo el componente directo de magnitud más pequeña que el componente inverso, caracterizado porque la tensión alterna tiene una forma de onda sinusoidal truncada.

(16/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: ISOVOLTA ISTERREICHISCHE ISOLIERSTOFFWERKE AKTIENGESELLSCHAFT FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. Inventor/es: MOOSHEIMER, ULRICH, DR., PLESSING, ALBERT, LANGOWSKI, HORST-CHRISTIAN.

Procedimiento para la fabricación de un módulo fotovoltaico en forma de un laminado, compuesto por un sistema de células solares como capa central, así como materiales de encapsulado (3, 3’) aplicados a ambos lados de éste, en el que al menos un material de encapsulado (3’) está formado por una capa de sellado (4’) y por una capa de barrera , caracterizado porque la capa de barrera está conformada a partir de una lámina de plástico o de un compuesto de láminas de plástico, en el que se fabrica en la parte opuesta al sistema de células solares una capa de óxido inorgánica por medio de la separación del vapor en el vacío usando radiación de electrones.

(01/01/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: KOMORI, AYAKO, FUKAE, KIMITOSHI, TAKABAYASHI, AKIHARU, MIMURA, TOSHIHIKO, MORI, MASAHIRO, TAKADA, TAKESHI.

CON EL FIN DE GARANTIZAR UNA FIABILIDAD A LARGO PLAZO CUANDO SE DOBLA O CURVA UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO PARA DEFORMARLO: EN UN METODO DE FABRICACION DE UN MODULO DE CELULA SOLAR QUE DISPONE DE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO ENCAPSULADO CON UNA RESINA SOBRE UNA PIEZA SOPORTE, SE ADOPTA UN PASO PARA FORMAR UNA PARTE CURVADA EN EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y EN LA PIEZA SOPORTE; LA FORMACION DE LA PARTE CURVADA SE REALIZA MIENTRAS SE REDUCE LA PRESION DE TRABAJO EN LA DIRECCION NORMAL A UNA SUPERFICIE DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO; Y EN UN MODULO DE CELULA SOLAR FORMADO POR UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE, AL MENOS, UNA CAPA SEMICONDUCTORA FOTOACTIVA SOBRE UN SUSTRATO FLEXIBLE, AL MENOS UNA PARTE DEL SUSTRATO ESTA SOMETIDA A UNA DEFORMACION DE TRACCION EN LA DIRECCION PARALELA A UNA SUPERFICIE DEL SUSTRATO CON UNA TENSION MENOR A UNA TENSION CRITICA, PARA REDUCIR EL FACTOR DE RELLENO (DENOTADO A CONTINUACION COMO F.F.) DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO, CON LO QUE ESTE SE DEFORMA.

(16/09/2004). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: KOMORI, AYAKO, KATAOKA, ICHIRO, MORI, TAKAHIRO, YAMADA, SATORU, SHIOTSUKA, HIDENORI.

EL OBJETO ES PROPORCIONAR UN SEMICONDUCTOR CERRADO HERMETICAMENTE CON RESINA TRANSMISOR DE LUZ QUE ES EXCELENTE EN LA INTEMPERIE, RESISTENCIA AL CALOR Y PIRORRETARDANTE, LIMITA EL DETERIORO DE FUNCIONAMIENTO DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO A LARGO PLAZO DEBIDO A QUE LA PENETRACION DE LA HUMEDAD EN UNA EXTENSION MINIMA, TIENE ELASTICIDAD DE GOMA NECESARIA PARA PROTEGER EL ELEMENTO SEMICONDUCTOR, Y TIENE UN MATERIAL DE REVESTIMIENTO DE SUPERFICIE QUE ES INCOMBUSTIBLE O PIRORRETARDANTE. ESTE OBJETO SE REALIZA MEDIANTE UNA CONSTRUCCION EN DONDE UN MATERIAL DE REVESTIMIENTO PROPORCIONADO EN LA SUPERFICIE DEL LADO DE LUZ INCIDENTE DEL ELEMENTO FOTOVOLTAICO 101, COMPRENDE UN RELLENADOR TRANSPARENTE 102 QUE ES UN COPOLIMERO DE MULTIPLES COMPONENTES RETICULADO QUE CONTIENE FLUOR Y FLUORURO DE VINILIDENO Y HEXAFLUOPROPILENO COMO COMPONENTES PRINCIPALES.

(16/04/2003). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG.

UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO MEJORADO EN QUE SE UTILIZA UN ADHESIVO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR PARA FIJAR LA ESTRUCTURA DE REJILLA AL ELECTRODO SUPERIOR DEL MISMO. SI SE SELECCIONA CORRECTAMENTE LA RESISTIVIDAD DEL ADHESIVO CONDUCTOR , SE PUEDE ACOMODAR FACILMENTE UN FLUJO DE CORRIENTE FOTOGENERADO NORMAL, AL TIEMPO QUE SE ELIMINA EL FLUJO DE CORRIENTE DERIVADO A TRAVES DE DEFECTOS PATENTES O LATENTES.

(01/11/2002). Solicitante/s: EUROSOLARE S.P.A. Inventor/es: MARGADONNA, DANIELE, PASQUA, VALTER, ZARCONE, MARIANO.

UN PROCESO PARA PREPARAR MODULOS FOTOVOLTAICOS DE BAJO COSTE BASADOS EN SILICIO, CARACTERIZADO PORQUE EL SEMICONDUCTOR ES TRATADO MIENTRAS ES SOPORTADO SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE PROPIEDADES COMPATIBLES CON EL PROCESO.

(16/09/2002). Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es: SCHINDLER, ROLAND.

LA INVENCION DESCRIBE UN METODO DE IMPURIFICACION PARA FABRICAR HOMOUNIONES EN SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES EN LOS QUE LAS SUSTANCIAS DE IMPURIFICACION PENETRAN POR DIFUSION, QUE INCLUYE UNA FUENTE LUMINOSA CUYO ESPECTRO DE EMISION CONTIENE COMPONENTES ULTRAVIOLETAS Y QUE INCIDE SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR. LA INVENCION SE CARACTERIZA PORQUE ENTRE EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR Y LA FUENTE LUMINOSA SE INTRODUCE UNA MASCARA QUE, DEPENDIENDO DE LAS ZONAS A IMPURIFICAR CON SIMILAR CONCENTRACION DE IMPUREZAS, PRESENTA AREAS DE GROSOR VARIABLE HASTA LOS ORIFICIOS DE PASO DE LA MISMA; ENTRE LA MASCARA Y EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR SE INSERTAN ATOMOS DE IMPUREZAS; Y PARA INTRODUCIR LAS IMPUREZAS POR DIFUSION EN EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR SE ILUMINA LA SUPERFICIE DE LA MASCARA CON LA FUENTE LUMINOSA UTILIZANDO RAPID THERMAL PROCESSING (TRATAMIENTO TERMICO RAPIDO).

(01/03/2002). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SANO, MASAFUMI, SAITO, KEISHI.

UN METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO FOTOVOLTANICO COMPRENDE UN MIEMBRO BASE QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO Y UNA SUPERPOSICION FORMADA SOBRE UNA CAPA REFLACTANTE Y UNA CAPA AUMENTADA DE REFLEXION , Y UNA ESTRUCTURA DE CLAVIJA FORMADA DE CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO-N , TIPO-I Y TIPO-P QUE CONTIENEN ATOMOS DE SILICIO Y SIENDO UN CRISTAL NO SIMPLE COMO ESTRUCTURA DE CRISTAL, ESTANDO LA ESTRUCTURA DE CLAVIJA REPETIDA EN AL MENOS UNO DE DICHOS MIEMBROS BASE. EL METODO COMPRENDE LAS ETAPAS DE (A) DEPOSITAR UN MATERIAL QUE FORMA LA CAPA REFLACTANTE, A UNA TEMPERATURA DE SUBSTRATO DESDE 200 A 500 C PARA FORMAR LA CAPA RELFACTANTE; (B) BAJAR DESPUES DE LA ETAPA (A) LA TEMPERATURA DEL SUBSTRATO A 100 C O MENOS; Y (C) DEPOSITAR DESPUES DE LA ETAPA (B) UN MATERIAL QUE CONTITUYE LA CAPA QUE AUMENTA LA REFLACCION, EN LA CAPA REFLACTANTE A UNA TEMPERATURA DE SUBSTRATO DESDE 200 A 400 C PARA FORMAR LA CAPA QUE AUMENTA LA REFLACCION.

(01/02/2002). Solicitante/s: DEUTSCHE SHELL AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: RAUBER, ARMIN DR., EYER, ACHIM DR., POHLMANN, HANS-JURGEN DR.-ING.

LA INVENCION SE REFIERE A LA FABRICACION DE UNA PLACA DE SUSTENTACION DE UNA CELULA SOLAR QUE CONSISTE EN UNA CAPA DE SUSTRATO CERAMICO BASADO EN CARBURO DE SILICIO, PARTICULARMENTE CARBURO DE SILICIO UNIDO POR REACCION INFILTRADO CON SILICIO, UNA CAPA DE RECUBRIMIENTO DE SILICIO CRISTALINO Y OPCIONALMENTE UNA CAPA BARRERA DISPUESTA ENTRE MEDIAS, ASI COMO A LA CAPA DE SUSTENTACION OBTENIDA MEDIANTE EL PROCEDIMIENTO.

(16/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: TRIMBOLI LONGUETTO ANTONINO ADRIANO. Inventor/es: TRIMBOLI LONGUETTO ANTONINO ADRIANO.

Célula solar fotovoltaica y su procedimiento de fabricación, constituida a partir de un cuerpo tabular, de configuración simétrica en sandwich, en la que, en sentido entrante, se disponen cuerpos tabulares de vidrio sodocálcico y (6'), constitutivos del substrato de un fotoánodo y un fotocátodo, grabados con unos canales , presentado toda la superficie una capa de dióxido de estaño (SnO{sub,2}) dopado con flúor , sobre la que, en el interior de los canales , se encuentran conductores y (2'), encontrándose sobre ésta un estrato de dióxido de titanio (TiO{sub,2}) pulverizado con platino , en contacto con un electrolito constituido a partir de una solución de yodo en un disolvente adecuado.

(16/05/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Inventor/es: MARTINEZ SANTOS,VICTOR, JIMENO CUESTA,JUAN CARLOS, GUTIERREZ SERRANO,RUBEN, RECART BARAANO,FEDERICO, BUENO MENDIETA,GORKA, HERNANDO BRIONGOS,FERNANDO, RODRIGUEZ CUESTA,MARIA VELIA, URIARTE DEL RIO,SUSANA, SAENZ NOVALES,MARIA JOSE, IKARAN SALEGI,CARMEN.

Procedimiento para la fabricación de células solares de silicio, con estructura de campo retrodifusor, bajo espesor de base y metalización serigráfica. El procedimiento comprende reducir el espesor del substrato de partida (oblea) mediante un ataque químico al silicio, difundir boro, enmascarar una cara de la oblea, ataca químicamente la otra y difundir fósforo. Un ataque autocontrolado de la superficie del boro permite realizar contactos eléctricos poco agresivos. La metalización de ambas caras se efectúa por deposición de una pasta serigráfica de plata que no contiene aluminio. El procedimiento es compatible con texturados de las superficies, deposición de capas antirreflectantes y limpiezas de la oblea. El procedimiento es útil para fabricar células solares con elevada eficiencia de conversión luz/electricidad.

(16/05/2000). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE MALAGA. Inventor/es: LASERNA VAZQUEZ,JOSE JAVIER, MARTIN JIMENEZ,FRANCISCO, POTS,SANDER, HIDALGO NUÑEZ,MONTSERRAT.

Método computerizado de análisis mediante espectroscopia de plasmas producidos por láser para el control de calidad de células solares. Mediante este método, un potente láser de nitrógeno es enfocado sobre el material a analizar y, como resultado de la interacción con la muestra, una pequeña cantidad es vaporizada (ablación), formándose sobre la superficie del sólido un plasma de elevada temperatura y gran densidad electrónica. La resolución espectral de la luz emitida por el plasma, utilizando como detector un dispositivo de acoplamiento de carga bidimensional, proporciona información acerca de la composición química del material ablacionado, simultáneamente en superficie (técnica de mapeo) y en profundidad (perfiles de profundidad). Esta técnica es de utilidad para el control de calidad en la industria de la tecnología fotovoltaica y es aplicable tanto al material base como a los distintos estados de elaboración de la oblea durante la fabricación de células solares fotovoltaicas.

(01/05/2000). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR, MARTINELLI, GIULIANO.

SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.

(16/10/1999). Solicitante/s: ASTROPOWER INC. Inventor/es: HALL, ROBERT B., BARNETT, ALLEN M., BROWN, JACOB E., CHECCHI, JOSEPH C., FORD, DAVID H., KENDALL,CHRISTOPHER L., MULLIGAN, WILLIAM P.RAND, JAMES A., RUFFINS, TODD R.

LA INVENCION SE REFIERE A TECNICAS PARA LA FABRICACION DE LAMINAS POLICRISTALINAS DE GRANO COLUMNAR, QUE SON ESPECIALMENTE UTILES COMO SUSTRATOS O DISCOS PARA CELULAS SOLARES. LA LAMINA SE HACE APLICANDO SILICIO GRANULAR A UN MATERIAL DE FIJACION, QUE SOPORTA EL MATERIAL GRANULAR. EL MATERIAL DE FIJACION Y EL SILICIO GRANULAR SE SOMETEN A UN PERFIL TERMICO, TODO LO CUAL IMPULSA EL DESARROLLO COLUMNAR MEDIANTE LA FUSION DEL SILICIO DESDE LA PARTE SUPERIOR HACIA ABAJO. EL PERFIL TERMICO CREA SECUENCIALMENTE UNA ZONA DE FUSION EN LA PARTE SUPERIOR DEL SILICIO GRANULAR, Y DESPUES UNA ZONA DE DESARROLLO DONDE COEXISTEN TANTO EL LIQUIDO COMO LA CAPA LAMINAR POLICRISTALINA DE DESARROLLO. SE CREA UNA ZONA DE RECOCIDO, DONDE SE REDUCE CONTROLABLEMENTE LA TEMPERATURA DE LA CAPA LAMINAR DE SILICIO POLICRISTALINO DE DESARROLLO, PARA OBTENER ATENUACION DE EFECTOS RESIDUALES.