METODO DE FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR MULTICAPA.
SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y UN METODO PARA FORMAR LA ESTRUCTURA,
EN DONDE UN SUBSTRATO O SUPERESTRATO DE SOPORTE (12) SUMINISTRA LA RESISTENCIA MECANICA PARA SOPORTAR LAS REGIONES ACTIVAS, FINAS, SUPERPUESTAS. LA CAPA DIELECTRICA FINA (11) DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO O EL SUPERESTRATO SIRVE PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS DEL SUBSTRATO DESDE PERSPECTIVAS OPTICAS, METALURGICAS Y/O QUIMICAS. ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR (13), LA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR ES DE SILICIO DE TIPO N CON TRATAMIENTOS APROPIADOS PARA OBTENER EL TAMAÑO GRANDE DE GRANO DESEADO. ESTA CAPA PUEDE CRISTALIZARSE A MEDIDA QUE SE DEPOSITA, O PUEDE SER DEPOSITADA EN FORMA AMORFA Y LUEGO SER CRISTALIZADA CON UN PROCESAMIENTO ADICIONAL. ENTONCES SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR UN APILAMIENTO DE CAPAS DE POLARIDAD ALTERNATIVA (14, 15, 16, 17) DE SILICIO AMORFO O DE UNA ALEACION DE SILICIO QUE INCORPORA DOPANTES DE TIPO N O DE TIPO P EN LAS CAPAS ALTERNATIVAS. ENTONCES SE REALIZA LA CRISTALIZACION DE FASE SOLIDA PARA OBTENER EL TAMAÑO DE GRANO DESEADO DE 3{MI}M O MAYOR QUE PUEDE CONSEGUIRSE MEDIANTE EL CALENTAMIENTO EXTENDIDO DE LAS CAPAS A UNA BAJA TEMPERATURA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: PACIFIC SOLAR PTY LTD.
Nacionalidad solicitante: Australia.
Dirección: 82-86 BAY STREET,BOTANY, NEW SOUTH WALES, 2019.
Inventor/es: GREEN, MARTIN, ANDREW, WENHAM, STUART, ROSS, SHI, ZHENGRONG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 1 de Diciembre de 1995.
Fecha Concesión Europea: 21 de Mayo de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L31/0352 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/0368 H01L 31/00 […] › comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Kenya, Lesotho, Malawi, Sudán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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