PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO SEMICONDUCTOR METALICO MEDIANTE UNA CAPA DIELECTRICA.
Procedimiento para el contactado eléctrico de una capa (13) de semiconductor recubierta con al menos una capa (12) dieléctrica por calentamiento local por medio de la aportación de energía de radiación de un láser,
aplicando sobre la capa (12) dieléctrica una capa (11) metálica, caracterizado porque por medio de un láser (9) se calienta brevemente esta capa (11) metálica localmente de manera puntiforme o lineal de una manera controlada tal, que, después de la formación de una mezcla fundida exclusivamente a partir de la capa (11) metálica, de la capa (12) dieléctrica así como de la superficie de la capa (13) de semiconductor, que se halla inmediatamente debajo de la capa (12) dieléctrica, finaliza la aportación de energía de radiación del láser, dando lugar la solidificación de la mezcla fundida a un contacto eléctrico entre la capa (13) de semiconductor y la capa (11) metálica, que, debido a la fusión lo más pequeña posible de la superficie de la capa (13) de semiconductor, que se halla debajo de la capa (12) dieléctrica, posee una reducida profundidad de contacto de unos pocos micrometros, con lo que tanto la capa (12) dieléctrica, como también la capa (13) de semiconductor a contactar no son modificadas desde el punto de vista de sus propiedades más allá de la zona del contacto eléctrico por un sobrecalentamiento durante la aportación local de energía térmica.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: LEONRODSTRASSE 54,80636 MUNCHEN.
Inventor/es: PREU, RALF, SCHNEIDERLICHNER, ERIC, GLUNZ, STEFAN, LIDEMANN, RALF.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 30 de Agosto de 2001.
Fecha Concesión Europea: 12 de Julio de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Clasificación PCT:
- H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.
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