6 inventos, patentes y modelos de GUTIERREZ SERRANO,RUBEN

Sección de la CIP Electricidad

(27/03/2019). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Clasificación: H01L31/05, H01L31/068, H01L25/04, H01L31/043.

El dispositivo fotovoltaico tiene una pluralidad de capas configuradas para convertir luz (L) en energía eléctrica. Cada capa comprende al menos una célula solar (11A; 12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D). Cada capa está configurada de manera que presenta una banda prohibida con una anchura predeterminada, siendo la anchura de la banda prohibida de cada capa diferente de la anchura de la banda prohibida de las otras capas. Al menos una de las capas comprende al menos dos células solares (12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D) conectadas en serie y que tienen bandas prohibidas con la misma anchura. Las capas están conectadas entre sí en paralelo, de manera que la tensión (U) sobre cada capa es la misma. La invención también se refiere a un panel fotovoltaico.

PDF original: ES-2733723_T3.pdf

Sección de la CIP Electricidad

(19/06/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO EUSKAL HERRIKO UNIBERSITATEA. Clasificación: H01L31/042, H01L31/18, H01L31/0352.

La estructura de célula solar está compuesta por un substrato bae, una cara frontal sobre la cual incide la luz y una cara posteior en la que se disponen todos los contactos eléctricos y que clecta los portadores fotogenerados en su cara frontal. El substrto base presenta zonas adelgazadas o de espesor reducido en las uales se constituyen transistores bipolares que transportan los ortadores fotogenerados en su cara frontal hasta la cara posterir. Cuando los substratos son de tipo p, los transistores bipolars son npn mientras que cuando los substratos son de tipo n los tansistores bipolares son pnp. Estas estructuras se pueden fabricr por métodos industriales compatible con técnicas serigráficas.

Sección de la CIP Electricidad

(16/07/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Clasificación: H01L31/042, H01L31/18, H01L31/0352.

Estructura de célula solar con contactos posteriores y colección de corriente por efecto transistor y procedimiento para su fabricación.#La estructura de célula solar está compuesta por un substrato base, una cara frontal sobre la cual incide la luz y una cara posterior en la que se disponen todos los contactos eléctricos y que colecta los portadores fotogenerados en su cara frontal. El substrato base presenta zonas adelgazadas o de espesor reducido en las cuales se constituyen transistores bipolares que transportan los portadores fotogenerados en su cara frontal hasta la cara posterior. Cuando los substratos son de tipo p, los transistores bipolares son npn mientras que cuando los substratos son de tipo n los transistores bipolares son pnp. Estas estructuras se pueden fabricar por métodos industriales compatible con técnicas serigráficas.

Sección de la CIP Física

(01/10/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO EUSKAL HERRIJO UNIBERSITATEA. Clasificación: G01R31/26.

Sistema de evaluación de células solares. El sistema está compuesto por un sistema de iluminación continua, a base de lámparas halógenas, un sistema de control de temperatura de la célula, basado en intercambiadores de calor por efecto peltier, una estación de medida que incorpora una plataforma portacélulas y un sistema de extracción de corriente, un sistema de polarización, un sistema de adquisición de datos, un sistema de carga y descarga automática de las células solares, permitiendo establecer condiciones variables de iluminación que permiten realizar medidas de intensidad y tensión I-V de iluminación y oscuridad, así como medidas de cortocircuito a tensión de circuito abierto y de fotovoltaje en condiciones variables.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Clasificación: H01L31/18.

Procedimiento para la fabricación de células solares de silicio, con estructura de campo retrodifusor, bajo espesor de base y metalización serigráfica. El procedimiento comprende reducir el espesor del substrato de partida (oblea) mediante un ataque químico al silicio, difundir boro, enmascarar una cara de la oblea, ataca químicamente la otra y difundir fósforo. Un ataque autocontrolado de la superficie del boro permite realizar contactos eléctricos poco agresivos. La metalización de ambas caras se efectúa por deposición de una pasta serigráfica de plata que no contiene aluminio. El procedimiento es compatible con texturados de las superficies, deposición de capas antirreflectantes y limpiezas de la oblea. El procedimiento es útil para fabricar células solares con elevada eficiencia de conversión luz/electricidad.