APARATO PARA LOCALIZAR DEFECTOS DE FABRICACION EN UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO.
Aparato para la localización de defectos de fabricación en un elemento (1) fotovoltaico,
el cual está formado sustancialmente mediante un substrato (5, 6, 7) semiconductor en forma de oblea, sobre cuyas superficies principales opuestas se han dispuesto conductores (2, 3, 8) eléctricos para el transporte de portadores de carga eléctrica, que comprende: al menos un primer electrodo (23) en contacto eléctrico con una primera superficie principal de dicho substrato, y que es desplazable sobre el citado substrato, un segundo electrodo (31), que se dispone en contacto eléctrico con un conductor (8) sobre la segunda superficie principal, y medios (27) de ajuste para ajustar una polarización entre los conductores (2, 3, 8) eléctricos de las superficies principales opuestas de dicho substrato, que se caracteriza por: medios (24) de desplazamiento para desplazar el primer electrodo (23) sobre dicha primera superficie principal en dos dirección mutuamente perpendiculares, y medios (25) de medición de tensión, para medir la tensión existente entre al menos un primer (23) y un segundo (31) electrodos, en función de la posición del primer electrodo (23) sobre la citada primera superficie principal.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND(ECN).
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: WESTERDUINWEG 3, P.O.BOX 1,1755 ZG.
Inventor/es: VAN DER HEIDE, ARVID, SVEN, HJALMAR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 27 de Septiembre de 2000.
Fecha Concesión Europea: 29 de Enero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R31/26 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
- H01L31/18 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
- H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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