DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ZONAS DIFUSAS SELECTIVAMENTE.
LA PRESENTE INVENCION DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (2) EN FORMA DE UNA REBANADA,
PROCEDIMIENTO QUE COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: 1) APLICAR SELECTIVAMENTE UNA CONFIGURACION DE FUENTE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS A UNA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (2); 2) DIFUNDIR LOS ATOMOS DE ADULTERANTE DE DICHA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS EN EL SUBSTRATO (2) MEDIANTE UNA FASE DE TRATAMIENTO TERMICO CONTROLADO EN UN AMBIENTE GASEOSO QUE RODEA AL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (2), EL ADULTERANTE OBTENIDO DE LA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDO SE DIFUNDE DIRECTAMENTE EN EL INTERIOR DEL SUBSTRATO (2) PARA FORMAR UNA PRIMERA ZONA DE DIFUSION (12) Y, AL MISMO TIEMPO DIFUNDIR EL ADULTERANTE OBTENIDO DE LA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS INDIRECTAMENTE MEDIANTE EL ENTORNO GASEOSO PARA FORMAR UNA SEGUNDA ZONA DE DIFUSION (15) EN AL MENOS ALGUNAS ZONAS DEL SUBSTRATO (2) NO CUBIERTAS POR DICHA CONFIGURACION; Y 3) FORMAR UNA CONFIGURACION DE CONTACTO METALICO (20) BASICAMENTE EN ALINEACION CON LA PRIMERA ZONA DE DIFUSION (12) SIN HABER ATACADO CON ACIDO SUSTANCIALMENTE LA SEGUNDA ZONA DE DIFUSION (15).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: IMEC VZW.
Nacionalidad solicitante: Bélgica.
Dirección: KAPELDREEF 75,B-3001 LEUVEN HEVERLEE.
Inventor/es: HORZEL, JORG, HONORE, MIA, NIJS, JOHAN, SZLUFCIK, JOZEF.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 22 de Diciembre de 1997.
Fecha Concesión Europea: 3 de Noviembre de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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