CIP-2021 : H01L 31/00 : Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja,
a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
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H01L 31/02 · Detalles.
H01L 31/0203 · · Contenedores; Encapsulados (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/048; para dispositivos fotosensibles orgánicos H01L 51/44).
H01L 31/0216 · · Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
H01L 31/0224 · · Electrodos.
H01L 31/0232 · · Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo (H01L 31/0236 tiene prioridad; para las células fotovoltaicas H01L 31/054; para módulos fotovoltaicos H02S 40/20).
H01L 31/0236 · · Texturas de superficie particulares.
H01L 31/024 · · Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/052).
H01L 31/0248 · caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
H01L 31/0256 · · caracterizados por los materiales.
H01L 31/0264 · · · Materiales inorgánicos.
H01L 31/0272 · · · · Selenio o teluro.
H01L 31/028 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
H01L 31/0288 · · · · · caracterizados por el material de dopado.
H01L 31/0296 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.
H01L 31/0304 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V .
H01L 31/0312 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A IV B IV p. ej. SiC.
H01L 31/032 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
H01L 31/0328 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.
H01L 31/0336 · · · · · en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
H01L 31/0352 · · caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
H01L 31/036 · · caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
H01L 31/0368 · · · comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0376 · · · comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0384 · · · comprendiendo otros materiales no monocristalinos, p. ej. partículas semiconductoras incorporadas en un material aislante (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0392 · · · comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
H01L 31/04 · adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
H01L 31/041 · · Disposiciones para la prevención de daños causados por la radiación corpuscular, p. ej. para aplicaciones espaciales.
H01L 31/042 · · Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicas (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
H01L 31/043 · · · Células fotovoltaicas mecánicamente apiladas.
H01L 31/044 · · · incluyendo diodos de bypass (diodos de derivación en la caja de conexiones H02S 40/34).
H01L 31/0443 · · · · comprenden diodos de bypass integrados o directamente asociados con los dispositivos, p. ej. diodos de bypass integrados o formados en o sobre el mismo sustrato que las células fotovoltaicas.
H01L 31/0445 · · · incluyendo células solares de película delgada, p. ej. células solares monocapa de a-Si, CIS o CdTe.
H01L 31/046 · · · · Módulos fotovoltaicos compuestos de una pluralidad de células solares de película delgada depositadas en el mismo sustrato.
H01L 31/0463 · · · · · caracterizados por métodos especiales de estructuración para conectar las células FV en un módulo, p. ej. corte por láser de las capas conductoras o activas.
H01L 31/0465 · · · · · que comprenden estructuras particulares para la interconexión eléctrica de células fotovoltaicas adyacentes en el módulo (H01L 31/0463 tiene prioridad).
H01L 31/0468 · · · · · que comprenden medios específicos para la obtención de la transmisión parcial de luz a través del módulo, p. ej. módulos solares de película delgada parcialmente transparentes para ventanas.
H01L 31/047 · · · Conjuntos de celdas fotovoltaicas, incluyendo células fotovoltaicas que tienen múltiples uniones verticales o múltiples uniones de ranura en V formadas en un sustrato semiconductor.
H01L 31/0475 · · · Conjuntos de células fotovoltaicas constituidos por celdas en una configuración plana, p. ej. repetitiva, sobre un único sustrato semiconductor; micro-conjuntos de celdas FV (módulos FV compuestos de una pluralidad de células solares de película delgada depositadas en el mismo sustrato H01L 31/046).
H01L 31/048 · · · encapsulados de modulos.
H01L 31/049 · · · · Láminas trasera de protección.
H01L 31/05 · · · Medios de interconexión eléctrica entre las células fotovoltaicas dentro del módulo fotovoltaico, p. ej. conexión en serie de células fotovoltaicas (electrodos H01L 31/0224; interconexión eléctrica de células solares de película delgada formadas sobre un sustrato común H01L 31/046; estructuras particulares para la interconexión eléctrica de células solares de película delgada adyacentes en el módulo H01L 31/0465; medios de interconexión eléctrica especialmente adaptados para conectar eléctricamente dos o más módulos fotovoltaicos H02S 40/36).
H01L 31/052 · · Medios de refrigeración directamente asociados o integrados con la célula fotovoltaica, p. ej. elementos Peltier integrados para la refrigeración activa o disipadores de calor directamente asociados con las células fotovoltaicas (medios de refrigeración en combinación con el módulo fotovoltaico H02S 40/42).
H01L 31/0525 · · · que comprenden medios para utilizar la energía térmica asociada directamente con la célula fotovoltaica, p. ej. elementos Seebeck integrados.
H01L 31/053 · · Medios de almacenamiento de energía asociados directamente o integrados con la célula fotovoltaica, p. ej. un condensador integrado con una célula fotovoltaica (medios de almacenamiento de energía asociados con el módulo fotovoltaico H02S 40/38).
H01L 31/054 · · Elementos ópticos directamente asociados o integrados en la célula fotovoltaica, p. ej. medios que reflejan la luz o medios concentradores de luz.
H01L 31/055 · · · donde la luz es absorbida y re-emitida en una longitud de onda diferente por el elemento óptico directamente asociado o integrado con la célula fotovoltaica, p. ej. mediante el uso de material luminiscente, concentradores fluorescente o disposiciones de conversión ascendente.
H01L 31/056 · · · medios para reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].
H01L 31/06 · · caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
H01L 31/061 · · · siendo las barreras de potencial del tipo de contacto de punta (H01L 31/07 tiene prioridad).
H01L 31/062 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
H01L 31/065 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo de banda prohibida gradual.
H01L 31/068 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
H01L 31/0687 · · · · Células solares de unión múltiple o tándem.
H01L 31/0693 · · · · incluyendo los dispositivos, aparte de materiales dopantes u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V , p. ej. células solares de GaAs o InP.
H01L 31/07 · · · siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky.
H01L 31/072 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo heterounión PN.
H01L 31/0725 · · · · Células solares de unión múltiple o tandem.
H01L 31/073 · · · · comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A II B VI , p. ej. células solares CdS/CdTe.
H01L 31/0735 · · · · comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A III B V , p. ej. células solares GaAs/AlGaAs o InP/GaInAs.
H01L 31/074 · · · · comprendiendo una heterounión con un elemento del grupo IV del Sistema Periódico, p. ej. células solares ITO/Si, GaAs/Si o CdTe/Si.
H01L 31/0745 · · · · comprendiendo una heterounión A IV B IV , p. ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC.
H01L 31/0747 · · · · · comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p. ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT®.
H01L 31/0749 · · · · incluyendo un compuesto A I B III C VI , p. ej. células solares de heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].
H01L 31/075 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
H01L 31/076 · · · · Células solares de unión múltiple o tándem.
H01L 31/077 · · · · Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.
H01L 31/078 · · · comprendiendo barreras de potencial de diferentes tipos cubiertas por dos o más de los grupos H01L 31/061 - H01L 31/075.
H01L 31/08 · en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
H01L 31/09 · · Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta (H01L 31/101 tiene prioridad).
H01L 31/10 · · caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
H01L 31/101 · · · Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
H01L 31/102 · · · · caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/103 · · · · · siendo la barrera de potencial de tipo homounión PN.
H01L 31/105 · · · · · siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
H01L 31/107 · · · · · funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
H01L 31/108 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
H01L 31/109 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo heterounión PN.
H01L 31/11 · · · · caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar.
H01L 31/111 · · · · caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor.
H01L 31/112 · · · · caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.
H01L 31/113 · · · · · del tipo conductor-aislante-semiconductor, p. ej. transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor.
H01L 31/115 · · · Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
H01L 31/117 · · · · del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
H01L 31/118 · · · · del tipo detectores de barrera de superficie o de unión PN superficial, p. ej. detectores de partículas alfa de barrera de superficie.
H01L 31/119 · · · · caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. detectores de tipo MIS.
H01L 31/12 · estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).
H01L 31/14 · · las fuentes de luz están controladas por el dispositivo semiconductor sensible a la radiación, p. ej. convertidores de imágenes, amplificadores de imágenes, dispositivos de almacenamiento de imagen.
H01L 31/147 · · · siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/153 · · · · formados en o sobre un sustrato común.
H01L 31/16 · · el dispositivo semiconductor sensible a la radiación está controlado por la o las fuentes de luz.
H01L 31/167 · · · siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/173 · · · · formados en o sobre un sustrato común.
H01L 31/18 · Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L 31/20 · · comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
